Control of the thickness and the length of Germanium-Telluride nanowires fabricated via the vapor-liquid-solid method

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 54, Issue 2, 2009, Pages 653-659

  Jung, Soon Won ^a   Yoon, Sung Min ^a   Park, Young Sam ^a   Lee, Seung Yun ^a   Yu, Byoung Gon ^a  

^a Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)   (South Korea)

Author keywords

Chalcogenide nanowires; GeTe; Phase change memory; Vapor liquid solid method

Indexed keywords

EID: 62149102230     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.54.653     Document Type: Article

References (23)

1. Y. H. Ha, J. H. Yi, H. Horii, J. H. Park, S. H. Joo, S. O. Park, U. I. Chung and J. T. Moon, Symp. on VLSI Tech. 175 (2001).
2. H. Horii, J. H. Yi, J. H. Park, Y. H. Ha, I. G. Baek, S. O. Park, Y. N. Hwang, S. H. Lee, Y. T. Kim, K. H. Lee, U. I. Chung and J. T. Moon, Symp. on VLSI Tech. 177 (2003).
3. N. Takaura, M. Terao, K. Kurotsuchi, T. Yamauchi, O. Tonomura, Y. Hanaoka, R. Takemura, K. Osada, T. Kawahara and H. Matsuoka, IEDM Tech. Digest 897 (2003).
4. D. H. Kang, D. H. Ahn, M. H. Kwon, H. S. Kwon, K. B. Kim, K. S. Lee and B. K. Cheong, Jpn. J. Appl. Phys. 43, 5243 (2004).
5. M. H. R. Lankhorst, B. W. S. M. M. Ketelaars and R. A. M. Wolters, Nature Materials 4, 347 (2005).
6. N. Matsuzaki, K. Kurotsuchi, Y. Matsui, O. Tonomura, N. Yamamoto, Y. Pujisaki, N. Kitai, R. Takemura, K. Osada, S. Hanzawa, H. Moriya, T. Iwasaki, T. Kawahara, N. Takaura, M. Terao, M. Matsuoka and M. Moniwa, IEDM Tech. Digest 738 (2005).
7. S. L. Cho, J. H. Yi, Y. H. Ha, B. J. Kuh, C. M. Lee, J. H. Park, S. D. Nam, H. Horii, B. O. Cho, K. C. Ryoo, S. O. Park, H. S. Kim, U. I. Chung, J. T. Moon and B. I. Ryu, Symp. on VLSI Tech. 96 (2005).
8. Y. C. Chen, C. T. Rettner, S. Raoux, G. W. Burr, S. H. Chen, R. M. Shelby, M. Salinga, W. P. Risk, T. D. Happ, G. M. McClelland, M. Breitwisch, A. Schrott, J. B. Philipp, M. H. Lee, R. Cheek, T. Nirschl, M. Lamorey, C. F. Chen, E. Joseph, S. Zaidi, B. Yee, H. L. Lung, R. Bergmann and C. Lam, IEDM Tech. Digest 346910 (2006).
9. R. Y. Kim, H. G. Kim and S. G. Yoon, Appl. Phys. Lett. 89, 102107 (2006).
10. S. M. Yoon, K. J. Choi, Y. S. Park, S. Y. Lee, N. Y. Lee and B. G. Yu, Japan. J. Appl. Phys. 45, L1080 (2006).
11. D. S. Suh, E. Lee, K. H. P. Kim, J. S. Noh, W. C. Shin, Y. S. Kang, C. Kim, Y. Khang, H. R. Yoon and W. Jo, Appl. Phys. Lett. 90, 023101 (2007).
12. S. Meister, H. Peng, K. McIlwrath, K. Jarausch, X. F. Zhang and Y. Cui, Nano Lett. 6, 1514 (2006).
13. D. Yu, J. Q. Wu, Q. A. Gu and H. K. Park, J. Am. Chem. Soc. 128, 8148 (2006).
14. S. H. Lee, D. K. Ko, Y. Jung and R. Agarwal, Appl. Phys. Lett. 89, 223116 (2006).
15. X. Sun, B. Yu, G. Ng and M. Meyyappan, J. Phys. Chem. C 111, 2421 (2007).
16. X. Sun, B. Yu, G. Ng, T. D. Nguyen and M. Meyyappan, Appl. Phys. Lett. 89, 233121 (2006).
17. B. Yu, S. Ju, X. Sun, G. Ng, T. D. Nguyen, M. Meyyappan and D. B. Janes, Appl. Phys. Lett. 91, 33119 (2007).
18. Y. Jung, S. H. Lee, D. K. Ko and R. Agarwal, J. Am. Chem. Soc. 128, 14026 (2006).
19. S. H. Lee, Y. Jung and R. Agarwal, Nature Nanotech. 2, 626 (2007).
20. R. S. Wangner and W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 4, 89 (1964).
21. T. Wojtowicz, E. Janik, W. Zaleszczyk, J. Sadowski, G. Karczewski, P. DluZewski, S. Kret, W. Szuszkiewicz, E. Dynowska, J. Domagala, M. Aleszkiewicz, L. T. Baczewski, A. Petroutchik, A. Presz, W. Pacuski, A. Golnik, P. Kossacki, J. F. Morhange, H. Kirmse, W. Neumann and W. Caliebe, J. Korean Phys. Soc. 53, 3055 (2008).
22. Y. Kim, M. S. Song, Y. D. Kim, J. H. Jung, Q. Gao, H. H. Tan and C. Jagadish, J. Korean Phys. Soc. 51, 120 (2007).
23. H. W. Kim, S. H. Shim, J. W. Lee and C. Lee, J. Korean Phys. Soc. 51, 204 (2007).