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Volumn 69, Issue 22, 1996, Pages 3390-3392

High-resolution x-ray analysis of InGaN/GaN superlattices grown on sapphire substrates with GaN layers

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EID: 5644284809     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.117269     Document Type: Article
Times cited : (33)

References (9)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.