Manufacturable high-density 8 Mbit one transistor-one capacitor embedded ferroelectric random access memory

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 47, Issue 4 PART 2, 2008, Pages 2710-2713

  Udayakumar, K R ^a   Moise, T S ^a   Summerfelt, S R ^a   Boku, K ^a   Remack, K ^a   Rodriguez, J ^a   Arendt, M ^a   Shinn, G ^a   Eliason, J ^b   Bailey, R ^b   Staubs, P ^b  

^a TEXAS INSTRUMENTS   (United States)

^b Ramtron International Corporation   (United States)

Author keywords

Bit distribution; Embedded; Ferroelectric; FRAM; Low power; Memory; Nonvolatile; Reliability; Retention

Indexed keywords

CAPACITANCE; CAPACITORS; CHARGE COUPLED DEVICES; DIELECTRIC DEVICES; ELECTRIC EQUIPMENT; FERROELECTRIC DEVICES; FERROELECTRICITY; KETONES; LOGIC CIRCUITS; METALLIC COMPOUNDS; MOS DEVICES; PETROLEUM PRODUCTS; RELIABILITY; SEMICONDUCTOR MATERIALS;

BIT DISTRIBUTION; EMBEDDED; FERROELECTRIC; FRAM; LOW-POWER; MEMORY; NONVOLATILE; RETENTION;

RANDOM ACCESS STORAGE;

EID: 54249124996     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.47.2710     Document Type: Article

References (21)

1. J.-H. Kim, D. J. Jung, S. K. Kang, Y. M. Kang, H. H. Kim, J. Y. Kang, E. S. Lee, W. W. Jung, H. J. Joo, J. Y. Jung, J. H. Park, H. Kim, D. Y. Choi, S. Y. Lee, H. S. Jeong, and K. Kim: IEDM Tech. Dig., 2006, p. 45.
2. Y. M. Kang, H. Joo, J. Park, S. Kang, J.-H. Kim, S. Oh, H. Kim, J. Kang, J. Jung, D. Choi, E. Lee, S. Lee, H. Jeong, and K. Kim: Symp. VLSI Technology Dig., 2006, p. 152.
3. Y. K. Hong, D. J. Jung, S. K. Kang, H. S. Kim, J. Y. Jung, H. K. Koh, J. H. Park, D. Y. Choi, S. E. Kim, W. S. Ann, Y. M. Kang, H. H. Kim, J. H. Kim, W. U. Jung, E. S. Lee, S. Y. Lee, H. S. Jeong, and K. Kim: Symp. VLSI Technology Dig., 2007, p. 230.
4. O. Hidaka, T. Ozaki, H. Kanaya, Y. Kumura, Y. Shimojo, S. Shuto, Y. Yamada, K. Yahashi, K. Yamakawa, S. Yamazaki, D. Takashima, T. Miyakawa, S. Shiratake, S. Ohtsuki, I. Kunishima, and A. Nitayama; Symp. VLSI Technology Dig., 2006, p. 154.
5. K. Hoya, D. Takashima, S. Shiratake, R. Ogiwara, T. Miyakawa, H. Shiga, S. Doumae, S. Ohtsuki, Y. Kumura, S. Shuto, T. Ozaki, K. Yamakawa, I. Kinishima, A. Nitayama, and S. Fujii: Proc. IEEE ISSCC, 2006, p. 134.
6. J. M. Koo, B. S. Seo, S. Kim, S. Shin, J. H. Lee, H. Baik, J. Ho Lee, J. H. Lee, B. J. Bae, J. E. Lim, D. C. Yoo, S. O. Park, H. S. Kim, H. Han, S. Baik, J. Y. Choi, Y. J. Park, and Y. Park; IEDM Tech. Dig., 2005, p. 351.
7. D. C. Yoo, C. M. Lee, B. J. Bae, I. S. Kim, J. E. Heo, D. H. Im, S. H. Choi, S. O. Park, H. S. Kim, U.-In. Chung, J. T. Moon, B. I. Ryu, D. J. Kim, and T. W. Noh: IEDM Tech. Dig., 2006, p. 161.
8. Y. Horii, Y. Hikosaka, A. Itoh, K. Matsuura, M. Kurasawa, G. Komuro, K. Maruyama, T. Eshita, and S. Kashiwagi: IEDM Tech. Dig., 2002, p. 539.
9. K. R. Udayakumar, K. Boku, K. A. Remack, J. Rodriguez, S. R. Summerfelt, F. G. Celii, S. Aggarwal, J. S. Martin, L. Hall, L. Matz, B. Rathsack, H. McAdams, and T. S. Moise: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 3202.
10. T. S. Moise, S. R. Summerfelt, H. McAdams, S. Aggarwal, K. R. Udayakumar, F. Celii, S. Martin, G. Xing, L. Hall, K. J. Taylor, T. Hurd, J. Rodriguez, K. Remack, M. D. Khan, G. Stacey, M. Yao, G. Albrecht, E. Zielinski, B. McKee, J. Rickes, J. Grace, J. Fong, D. Lee, C. Pietrzyk, R. Lanham, S. Gilbert, D. Taylor, J. Amano, R. Bailey, F. Chu, G. Fox, S. Sun, and T. Davenport: IEDM Tech. Dig., 2002, p. 535.
11. T. S. Moise, S. R. Summerfelt, G. Xing, L. Colombo, and T. Sakoda: IEDM Tech. Dig., 1999, p. 940.
12. S. Aggarwal, K. R. Udayakumar, and J. Rodriguez: J. Appl. Phys. 100 (2006) 064103.
13. F. G. Celii, M. Thakre, M. K. Gay, S. R. Summerfelt, S. Aggarwal, J. S. Martin, L. Hall, K. R. Udayakumar, and T. S. Moise: Integrated Ferroelectr. 53 (2003) 269.
14. S. R. Summerfelt, S. Aggarwal, K. Boku, F. Celii, L. Hall, L. Matz, S. Martin, H. McAdams, K. Remack, J. Rodriguez, K. Taylor, K. R. Udayakumar, T. S. Moise, R. Bailey, M. Depner, G. Fox, and J. Eliason: Non-Volatile Memory Technology Symp., 2004, p. 153.
15. J. Eliason. S. Madan, H. McAdams, G. R. Fox, T. S. Moise, C. Lin, K. Schwartz, J. Gallia, E. Jabillo, W. Kraus, and S. R. Summerfelt: Proc. IEEE CICC, 2005, p. 427.
16. V. Nagarajan, S. Aggarwal, A. Gruverman, R. Ramesh, and R. Waser: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 262910.
17. J. Chen, K. R. Udayakumar, K. G. Brooks, and L. E. Cross: J. Appl. Phys. 71 (1992) 4465.
18. H. Hu, C. J. Peng, and S. B. Krupanidhi: Thin Solid Films 223 (1993) 327.
19. K. R. Udayakumar, T. S. Moise, S. R. Summerfelt, K. Boku, K. A. Remack, J. Gertas, A. Haider, Y. Obeng, J. S. Martin, J. Rodriguez, G. Shinn, A. McKerrow, J. Eliason, R. Bailey, and G. R. Fox: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) 2180.
20. J. Rodriguez, K. Remack, K. Boku, K. R. Udayakumar, S. Aggarwal, S. Summerfelt, F. Celii, S. Martin, L. Hall, K. Taylor, T. Moise, H. McAdams, J. McPherson, G. Fox, and M. Depner: IEEE Trans. Device Mater. Reliab. 4 (2004) 436.
21. J. Rodriguez, K. Remack, K. Boku, K. R. Udayakumar, S. Aggarwal, S. Summerfelt, T. Moise, H. McAdams, J. McPherson, R. Bailey, M. Depner, and G. Fox: IEEE Reliability Physics Symp. Proc., 2004, p. 200.