Full-bit functional, high-density 8 Mbit one transistor-one capacitor ferroelectric random access memory embedded within a low-power 130 nm logic process

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 46, Issue 4 B, 2007, Pages 2180-2183

  Udayakumar, K R ^a   Moise, T S ^a   Summerfelt, S R ^a   Boku, K ^a   Remack, K A ^a   Gertas, J ^a   Haider, A ^a   Obeng, Y ^a   Martin, J S ^a   Rodriguez, J ^a   Shinn, G ^a   McKerrow, A ^a   Eliason, J ^b   Bailey, R ^b   Fox, G R ^b  

^a TEXAS INSTRUMENTS   (United States)

^b Ramtron International Corporation   (United States)

Author keywords

Bit distribution; Embedded; Ferroelectric; FRAM; Low power; Memory; Nonvolatile; PZT

Indexed keywords

CMOS INTEGRATED CIRCUITS; DIGITAL SIGNAL PROCESSORS; EMBEDDED SYSTEMS; FABRICATION; FERROELECTRIC MATERIALS; LEAKAGE CURRENTS;

EMBEDDED FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY (EFRAM); LOGIC PROCESSES; SINGLE-BIT SUBSTITUTION;

RANDOM ACCESS STORAGE;

EID: 34547903668     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.46.2180     Document Type: Article

References (19)

1. Y. Kang, H. Joo, J. Park, S. Kang, J.-H. Kim, S. Oh, H. Kim, J. Kang, J. Jung, D. Choi, E. Lee, S. Lee, H. Jeong, and K. Kim: Symp. VLSI Technology Dig., 2006, p. 152.
2. Y. M. Kang, J. H. Kim, H. J. Joo, S. K. Kang, H. S. Rhie, J. H. Park, D. Y. Choi, S. G. Oh, B. J. Koo, S. Y. Lee, H. S. Jeong, and K. Kim: Symp. VLSI Technology Dig., 2005, p. 102.
3. H. Kanaya, K. Tomioka, T. Matsushita, M. Omura, T. Ozaki, Y. Kumura, Y. Shimojo, T. Morimoto, O. Hidaka, S. Shuto, H. Koyama, Y. Yamada, K. Osari, N. Tokoh, F. Fujisaki, N. Iwabuchi, N. Yamaguchi, T. Watanabe, M. Yabuki, H. Shinomiya, N. Watanabe, E. Itoh, T. Tsuchiya, K. Yamakawa, K. Natori, S. Yamazaki, K. akazawa, D. Takashima, S. Shiratake, S. Ohtsuki, and Y. Oowaki: Symp. VLSI Technology Dig., 2004, p. 150.
4. D. C. Yoo, B. J. Bae, J. E. Lim, D. H. Im, S. O. Park, H. S. Kim, U.-In. Chung, J. T. Moon, and B. J. Ryu: Symp. VLSI Technology Dig., 2005, p. 100.
5. K. R. Udayakumar, K. Boku, K. A. Remack, J. Rodriguez, S. R. Summerfelt, F. G. Celii, S. Aggarwal, J. S. Martin, L. Hall, L. Matz, B. Rathsack, H. McAdams, and T. S. Moise: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 3202.
6. H. H. Kim, Y. J. Song, S. Y. Lee, H. J. Joo, N. W. Jang, D. J. Jung, Y. S. Park, S. O. Park, K. M. Lee, S. H. Joo, S. W. Lee, S. D. Nam, and K. Kim: Symp. VLSI Technology Dig., 2002, p. 210.
7. G. R. Fox, R. Bailey, W. B. Kraus, F. Chu, S. Sun, and T. Davenport: in Ferroelectric Random Access Memories, ed. H. Ishiwara, M. Okuyama, and Y. Arimoto (Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, 2004) Vol. 93, p. 139.
8. T. S. Moise, S. R. Summerfelt, H. McAdams, S. Aggarwal, K. R. Udayakumar, F. Celii, S. Martin, G. Xing, L. Hall, K. J. Taylor, T. Hurd, J. Rodriguez, K. Remack, M. D. Khan, G. Stacey, M. Yao, G. Albrecht, E. Zielinski, B. McKee, J. Rickes, J. Grace, J. Fong, D. Lee, C. Pietrzyk, R. Lanham, S. Gilbert, D. Taylor, J. Amano, R. Bailey, F. Chu, G. Fox, S. Sun, and T. Davenport: IEDM Tech. Dig., 2002, p. 535.
9. Y. Horii, Y. Hikosaka, A. Itoh, K. Matsuura, M. Kurasawa, G. Komuro, K. Maruyama, T. Eshita, and S. Kashiwagi: IEDM Tech. Dig., 2002, p. 539.
10. J. Rodriguez, K. Remack, K. Boku, K. R. Udayakumar, S. Aggarwal, S. Summerfelt, F. Celii, S. Martin, L. Hall, K. Taylor, T. Moise, H. cAdams, J. McPherson, G. Fox, and M. Depner: IEEE Trans. Device Mater. Reliab. 4 (2004) 436.
11. T. S. Moise, S. R. Summerfelt, G. Xing, L. Colombo, and T. Sakoda: IEDM Tech. Dig., 1999, p. 940.
12. S. Aggarwal, K. R. Udayakumar, and J. Rodriguez: J. Appl. Phys. 100 (2006) 064103.
13. F. G. Celii, M. Thakre, M. K. Gay, S. R. Summerfelt, S. Aggarwal, J. S. Martin, L. Hall, K. R. Udayakumar, and T. S. Moise: Integrated Ferroelectr. 53 (2003) 269.
14. S. R. Summerfelt, S. Aggarwal, K. Boku, F. Celii, L. Hall, L. Matz, S. Martin, H. McAdams, K. Remack, J. Rodriguez, K. Taylor, K. R. Udayakumar, T. S. Moise, R. Bailey, M. Depner, G. Fox, and J. Eliason: Non-Volatile Memory Technology Symp., 2004, p. 153.
15. J. Eliason, S. Madan, H. McAdams, G. R. Fox, T. S. Moise, C. Lin, K. Schwartz, J. Gallia, E. Jabillo, W. Kraus, and S. R. Summerfelt: Proc. IEEE CICC, 2005, p. 427.
16. V. Nagarajan, S. Aggarwal, A. Gruverman, R. Ramesh, and R. Waser: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 262910.
17. J. Rodriguez, K. Remack, K. Boku, K. R. Udayakumar, S. Aggarwal, S. Summerfelt, T. Moise, H. McAdams, J. McPherson, R. Bailey, M. Depner, and G. Fox: IEEE Reliability Physics Symp. Proc., 2004, p. 200.
18. H. J. Joo, Y. J. Song, H. H. Kim, S. K. Kang, J. H. Park, Y. M. Kang, E. Y. Kang, S. Y. Lee, H. S. Jeong, and K. Kim: Symp. VLSI Technology Dig., 2004, p. 148.
19. Y. J. Song, H. J. Joo, S. K. Kang, H. H. Kim, J. H. Park, Y. M. Kang, E. Y. Kang, S. Y. Lee, and K. Kim: 24th Int. Conf. Microelectronics Proc., 2004, p. 393.