Growth and characterization of epitaxial ZnO nanowall networks using metal organic chemical vapor deposition

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 47, Issue 1 PART 2, 2008, Pages 746-750

  Wu, Chia Cheng ^a   Wuu, Dong Sing ^a   Chen, Tsai Ning ^a   Yu, Ting En ^a   Lin, Po Rung ^a   Horng, Ray Hua ^a   Lai, Hsin Yi ^b  

^a NATIONAL CHUNG HSING UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

GaN sapphire substrate; Growth temperature; MOCVD; Nanowall networks; VI II ratio; ZnO

Indexed keywords

CATALYSTS; EPITAXIAL GROWTH; GROWTH TEMPERATURE; LIGHT EMISSION; LUMINESCENCE; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; MICROSCOPIC EXAMINATION; NANOSTRUCTURES; NETWORK PROTOCOLS; OPTICAL MICROSCOPY; OPTICAL PROPERTIES; ORGANIC CHEMICALS; ORGANIC COMPOUNDS; ORGANOMETALLICS; SECONDARY EMISSION; SEMICONDUCTING ZINC COMPOUNDS; SENSOR NETWORKS; SURFACE MORPHOLOGY; VAPORS; ZINC ALLOYS; ZINC OXIDE;

GAN/SAPPHIRE SUBSTRATE; MOCVD; NANOWALL NETWORKS; VI/II RATIO; ZNO;

SUBSTRATES;

EID: 54249107308     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.47.746     Document Type: Article

References (28)

1. Y. Zhang, G. Du, D. Liu, X. Wang, Y. Ma, J. Wang, J. Yin, X. Yang, X. Hou, and S. Yang: J. Cryst. Growth 243 (2002) 439.
2. T. S. Kim, S. H. Jeong, S. S. Kim, and B. T. Lee: Semicond, Sci. Technol. 19 (2004) L29.
3. V. Vaithianathan, B. T. Lee, and S. S. Kim: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 062101.
4. S. H. K. Park, C. S. Hwang, H. S. Kwack, J. H. Lee, and H. Y. Chu: Electrochem. Solid State Lett. 9 (2006) G299.
5. C. H. Chia, T. Makino, K. Tamura, Y. Segawa, A. Ohtomo, and H. Koinuma: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 1848.
6. S. W. Kim, Sz. Fujita, and Sg. Fujita: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 5036.
7. S. Muthukumar, H. Sheng, J. Zhong, Z. Zhang, N. W. Emanetoglu, and Y. Lu: IEEE Trans. Nanotechnol. 2 (2003) 50.
8. J. D. Ye, S. L. Gu, W. Liu, S. M. Zhu, R. Zhang, Y. Shi, Y. D. Zheng, X. W. Sun, G. Q. Lo, and D. L. Kwong: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 174107.
9. P. Sharma, S. Kumar, and K. J. Sreenivas: J. Mater. Res. 18 (2003) 545.
10. Q. Wan, C. L. Lin, X. B. Yu, and T. H. Wang: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 124.
11. D. C. Look: Mater. Sci. Eng. B 80 (2001) 383.
12. R. Katoh, A. Furube, K. Hara, S. Murata, H. Sugihara, H. Arakawa, and M. Tachiya: J. Phys. Chem. B 106 (2002) 12957.
13. S. Roy and S. Basu: Bull. Mater. Sci. 25 (2002) 513.
14. Y. J. Xing, Z. H. Xi, Z. Q. Xue, X. D. Zhang, J. H. Song, R. M. Wang, J. Xu, Y. Song, S. L. Zhang, and D. P. Yu: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 1689.
15. M. H. Huang, Y. Wu, H. Feick, N. Tran, E. Weber, and P. Yang: Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 13 (2001) 113.
16. X. Y. Kong and Z. L. Wang: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 975.
17. W. L. Hughes and Z. L. Wang: J. Am. Chem. Soc. 126 (2004) 6703.
18. Z. L. Wang, X. Y. Kong, and J. M. Zuo: Phys. Rev. Lett. 91 (2003) 185502.
19. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang: Science 292 (2001) 1897.
20. B. P. Zhang, N. T. Binh, Y. Segawa, K. Wakatsuki, and N. Usami: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 1635.
21. H. T. Ng, J. Li, M. K. Smith, P. Nguyen, A. Cassell, J. Han and M. Meyyappan: Science 300 (2003) 1249.
22. J. Grabowska, A. Meaney, K. K. Nanda, J.-P. Mosnier, M. O. Henry, J.-R. Duclere, and E. McGlynn: Phys. Rev. B 71 (2005) 115439.
23. S. W. Kim, H. K. Park, M. S. Yi, N. M. Park, J. H. Park, S. H. Kim, S. L. Maeng, C. J. Choi, and S. E. Moon: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 033107.
24. J. Y. Lao, J. Y. Huang, D. Z. Wang, Z. F. Ren, D. Steeves, B. Kimball, and W. Porter: Appl. Phys. A 78 (2004) 539.
25. J. S. Jeong, J. Y. Lee, J. H. Cho, C. J. Lee, S. J. An, G. C. Yi, and R. Gronsky: Nanotechnology 16 (2005) 2455.
26. K. Tang, G. K. L. Wong, P. Zu, Z. M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 3270.
27. S. W. Jung, W. I. Park, H. D. Cheong, G. C. Yi, H. M. Jang, S. Hong, and T. Joo: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 1924.
28. C. Li, G. Fang, Q. Fu, F. Su, G. Li, X. Wu, and X. Zhao: J. Cryst. Growth 292 (2006) 19.