Exciton binding energy in wurtzite InGaN/GaN quantum wells

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 45, Issue 2, 2004, Pages 582-585

  Park, Seoung Hwan ^a   Kim, Jong Jae ^a   Kim, Hwa Min ^a  

^a Catholic University of Daegu   (South Korea)

Author keywords

AlGaN; Exciton binding energy; GaN; InGaN; Quantum well

Indexed keywords

EID: 4544270400     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (16)

1. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Green Diode (Springer, Berlin, 1997).
2. J. W. Kim, Y. K. Park, Y. T. Kim, C. S. Son, I. H. Choi, O. Ambacher and M. Stutzmann, J. Korean Phys. Soc. 35, 42 (1999).
3. S. H. Park, J. Korean Phys. Soc. 42, 696 (2003).
4. Y. H. Cho, C. W. Son, J. Y. Kim, B. M. Kim, W. S. Lee, S. N. Lee, J. K. Son, O. H. Nam and Y. J. Park, J. Korean Phys. Soc. 44, 792 (2004).
5. B. Monemar, Phys. Rev. B 10, 676 (1974).
6. W. W. Chow, A. F. Wright and J. S. Nelson, Appl. Phys. Lett. 68, 296 (1996).
7. R. Cingolani, A. Botchkarev, H. Tang, H. Morkoc, G. Traetta, G. Coli, M. Lomascolo, A. DiCarlo, F. Della and P. Lugli, Phys. Rev. B 61, 2711 (2000).
8. C. Bulutay, N. Dagli and A. Imamoǧlu, IEEE J. Quantum Electron. 35, 590 (1999).
9. H. Jiang, M. Minsky, S. Keller, E. Hu, J. Singh and S. P. DenBaars, IEEE J. Quantum Electron. 35, 1483 (1999).
10. J. J. Kim, S. H. Park and H. M. Kim, J. Korean Phys. Soc. 43, 149 (2003).
11. G. Traetta, G. Coli and R. Cingolani, Phys. Rev. B 59, 13196 (1999).
12. G. D. Sanders and Y. C. Chang, Phys. Rev. B 35, 1300 (1987).
13. M. Asada, Quantum Well Lasers, edited by P. S. Zory, Jr. (Academic, San Diego, 1993), Chap. 2.
14. C. Y-P. Chao and S. L. Chuang, Phys. Rev. B 46, 4110 (1992).
15. S. L. Chuang, Physics of Optoelectronic Devices (Wiley, New York, 1995).
16. S. H. Park and S. L. Chuang, Appl. Phys. Lett. 72, 3103 (1998).