Strain effects and thickness dependence of ferroelectric properties in epitaxial BiFe O3 thin films

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 18, 2008, Pages

  Ma, Hua ^a   Chen, Lang ^a   Wang, Junling ^a   Ma, J ^a   Boey, F ^a  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BISMUTH COMPOUNDS; FERROELECTRICITY; LATTICE CONSTANTS; PERMITTIVITY; PHASE DIAGRAMS; STRAIN MEASUREMENT;

LANDAU-DEVONSHIRE THEORY; MECHANICAL SUBSTRATE EFFECT; MISFIT STRAIN; POLARIZATION INSTABILITIES;

EPITAXIAL FILMS;

EID: 43349098297     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2920192     Document Type: Article

References (23)

1. V. A. Murashav, D. N. Rakov, V. M. Ionov, L. S. Dubenko, and Y. U. Titov, Ferroelectrics 162, 11 (1994).
2. Yu. F. Popov, A. M. Kadomtseva, G. P. Vorobev, and A. K. Zvezdin, Ferroelectrics 162, 135 (1994).
3. A. G. Tutov, Fiz. Tverd. Tela (S.-Peterburg) 11, 2681 (1969).
4. G. D. Achenbach, R. Gerson, and W. J. James, J. Am. Ceram. Soc. 50, 437 (1967).
5. J. R. Teague, R. Gerson, and W. J. James, Solid State Commun. 8, 1073 (1970).
6. J. Wang, J. B. Neaton, H. Zheng, V. Nagarajan, S. B. Ogale, B. Liu, D. Viehland, V. Vaithyanathan, D. G. Schlom, U. V. Waghmare, N. A. Spaldin, K. M. Rabe, M. Wuttig, and R. Ramesh, Science 299, 1719 (2003).
7. J. Wang, H. Zheng, Z. Ma, S. Prasertchough, M. Wuttig, R. Droopad, J. Yu, K. Eisenbeiser, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 85, 2574 (2004).
8. J. F. Li, J. Wang, M. Wuttig, R. Ramesh, N. Wang, B. Ruette, A. P. Pyatakov, A. K. Zvezdin, and D. Viehland, Appl. Phys. Lett. 84, 5261 (2004).
9. Y. H. Chu, T. Zhao, M. P. Cruz, Q. Zhan, P. L. Yang, L. W. Martin, M. Huijben, C. H. Yang, F. Zavaliche, H. Zheng, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 90, 252906 (2007).
10. K. J. Choi, M. Biegalski, Y. L. Li, A. Sharan, J. Schubert, R. Reiche, Y. B. Chen, X. Q. Pan, V. Gopalan, L. Q. Chen, D. G. Schlom, and C. B. Eom, Science 306, 1005 (2004).
11. J. H. Haeni, P. Irvin, W. Chang, P. Vecker, P. Reiche, Y. L. Li, S. Chaoudhury, W. Tian, M. E. Hawley, B. Creigo, A. K. Tagantsev, X. Q. Pan, and S. K. Streiffer, Nature (London) 30, 758 (2004).
12. F. Tsui, M. C. Smoak, T. K. Nath, and C. B. Eom, Appl. Phys. Lett. 76, 2421 (2000).
13. W. Chang, C. M. Gilmore, W. J. Kim, J. M. Pond, S. W. Kirchoefer, S. B. Qadri, D. B. Chrisey, and J. S. Horwitz, J. Appl. Phys. 87, 3044 (2004).
14. N. A. Pertsev, A. G. Zembilgotov, and A. K. Tagantsev, Phys. Rev. Lett. 80, 1988 (1998).
15. Q. Jiang and J. H. Qiu, J. Appl. Phys. 99, 103901 (2006).
16. J. X. Zhang, Y. L. Li, Y. Wang, Z. K. Liu, L. Q. Chen, Y. H. Chu, F. Zavaliche, and R. Ramesh, J. Appl. Phys. 101, 114105 (2007).
17. Z. G. Ban and S. P. Alpay, J. Appl. Phys. 91, 9288 (2002).
18. G. Xu, H. Hiraka, G. Shirane, J. F. Li, J. Wang, and D. Viehland, Appl. Phys. Lett. 86, 182905 (2005).
19. G. Xu, J. Li, and D. Viehland, Appl. Phys. Lett. 89, 222901 (2006).
20. X. Qi, M. Wei, Y. Lin, Q. Jia, D. Zhi, J. Dho, G. B. Mark, and L. M. Judith, Appl. Phys. Lett. 86, 071913 (2005).
21. B. S. Kwak, A. Erbil, J. D. Budai, M. F. Chisholm, L. A. Boatner, and B. J. Wilkens, Phys. Rev. B 49, 14865 1994.
22. J. Wang, Ph.D. thesis, University of Maryland, 2005.
23. S. K. Singh, H. Ishiwara, and K. Maruyama, J. Appl. Phys. 100, 064102 (2006).