Impact of substrate miscut on the characteristic of m-plane InGaN/GaN light emitting diodes

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters

Volumn 46, Issue 45-49, 2007, Pages

  Yamada, Hisashi ^a   Iso, Kenji ^a   Saito, Makoto ^a   Fujito, Kenji ^b   DenBaars, Steven P ^a   Speck, James S ^a   Nakamura, Shuji ^a  

^a University of California   (United States)

^b MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION   (Japan)

Author keywords

In incorporation; M plane GaN; Miscut angle; Surface morphology

Indexed keywords

ELECTROMAGNETIC WAVES; GALLIUM NITRIDE; LIGHT; LIGHT EMISSION; LIGHT EMITTING DIODES; LIGHT SOURCES; ORGANIC CHEMICALS; ORGANIC COMPOUNDS; ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES (OLED); ORGANOMETALLICS; SEMICONDUCTING GALLIUM; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; SUBSTRATES; SURFACE MORPHOLOGY;

GAN SUBSTRATES; IN INCORPORATION; INGAN/GAN; M-PLANE; M-PLANE GAN; METAL ORGANIC; MISCUT ANGLE; MISCUT ANGLES; PEAK EMISSION WAVELENGTHS; QUANTUM WELLS;

GALLIUM ALLOYS;

EID: 40549117598     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.46.L1117     Document Type: Article

References (17)

1. S. Nakamura, S. Pearton, and G. Fasol: The Elue Laser Diode (Springer, Heidelberg, 2000) 2nd ed.
2. Y. Narukawa, J. Narita, T. Sakamoto, K. Deguchi, T. Yamada, and T. Mukai: Jpn, J. Appl. Phys. 45 (2006) L1084.
3. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 4188.
4. D. A. B. Miller, D. C. Chemla, T. C. Damen, A. C. Grossard, W. Wiegmann, T. H. Wood, and C. A. Burrus: Phys. Rev. B 32 (1985) 1043.
5. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt: Phys. Rev. B 56 (1997) R10024.
6. J. S. Im, H. Kollmer, J. Off, A. Sohmer, F. Scholz, and A. Hangleiter: Phys. Rev. B 57 (199S) R9435.
7. P. Waltereit, O. Brandt, A. Trampert, H. T. Grahn, J. Menniger, M. Ramsteiner, M. Reiche, and K. H. Ploog: Nature (London) 406 (2000) 865.
8. A. Chitnis, C. Chen, V. Adivarahan, M. Shatalov, E. Kuokstis, V. Mandavilli, J. Yang, and M. A. Khan: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 3663.
9. B. A. Haskell, F. Wu, S. Matsuda, M. D. Craven, P. T. Fini, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and S. Nakamura: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 1554.
10. H. M. Ng, A. Bell, F. A. Ponce, and S. N. G. Chu: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 653.
11. A. Chakraborty, B. A. Haskell, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, S. Nakamura, and U. K. Mishra: Appl. Phys, Lett. 85 (2004) 5143.
12. A. Chakraborty, B. A. Haskell, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, S. Nakamura, and U. K. Mishra: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) L173.
13. K. Okamoto, H. Ohta, D. Nakagawa, M. Sonobe, J. Ichihara, and H. Takasu: Jpn. J, Appl. Phys. 45 (2006) L1197.
14. M. C. Schmidt, K.-C. Kim, H. Sato, N. Fellows, H. Masui, S. Nakamura, S. P. DenBaars, and J. S. Speck: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) L126.
15. K.-C. Kim, M. C. Schmidt, H. Sato, F. Wu, N. Fellows, M. Saito, K. Fujito, J. S. Speck, S. Nakamura, and S. P. DenBaars: Phys. Status Solidi: Rapid Res. Lett. 1 (2007) 125.
16. M. C. Schmidt, K.-C. Kim, R. M. Farrell, D. F. Feezell, D. A. Cohen, M. Saito, K. Fujito, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) L190.
17. K. Okamoto, H. Ohta, S. F. Chichibu, J. Ichihara, and H. Takasu: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) L187.