Impact of advanced SOI substrates on device architecture and design

2006 IEEE International Conference on Integrated Circuit Design and Technology, ICICDT'06

Volumn , Issue , 2006, Pages

  Mazure, Carlos ^a   Wasselin, Jocelyne ^a  

^a PARC TECHNOLOGIQUE DES FONTAINES   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

INTEGRATED CIRCUITS; MOSFET DEVICES; OPTIMIZATION; PRODUCT DESIGN; SUBSTRATES;

HIGH RESISTIVITY SUBSTRATES; PARASITIC ELEMENTS;

SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGY;

EID: 37649030784     PISSN: None     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1109/icicdt.2006.220815     Document Type: Conference Paper

References (22)

1. S. Okhonin, M. Nagoga, JM Sallese, and P. Fazan, IEEE Int. SOI Conf., 153 (2001).
2. T. Oshawa et al., Proc. ISSCC, 152 (2002).
3. K. Inoh, T. Shino, H. Yamada, H. Nakajima, Y. Minami, T. Yamada, T. Ohsawa, T. Higashi*, K. Fujita, T. Ikehashi, T. Kajiyama, Y. Fukuzumi, T. Hamamoto and H. Ishiuchi, Proc. Symp. VLSI Tech, (2003).
4. S. Okhonin, M. Nagoga, P. Fazan, IEEE EDL, 23, 85 (2002).
5. C. Mazure and A. J. Auberton-Hervé; Proc. of the ESSDERC Conf., 29-38 (2005), and references therein.
6. C. Mazure and I. Cayrefourcq; IEEE Int. SOI Conf., 1-6 (2005), and references therein.
7. C. Raynaud, F. Gianesello, C. Tinella, P. Flatresse, R. Gwoziecki, P. Touret, G. Avenier, S. Haendler, O. Gonnard, G. Gouget, G. Labourey, J. Pretet, M. Marin, R. Di Frenza, D. Axelrad, P. delatte, G. Provins, J. Roux, E. Balossier, JC. Vildeuil, S. Boret, B. Van Haaren, P. Chevalier, L. Boissonnet, T. Schwartzmann, A. Chantre, D. Gloria, E. de Foucauld, P. Scheer, C. Pavageau, G. Dambrine; Silicon-On-Insulator Technology and Devices XII, ECS Proc., vol 2005-03. edited by G.K. Celler, 331-344 (2005).
8. A. Viviani, J.P. Raskin, D. Flandre, J.P.Colinge and D. Vanhoenacker, IEDM Tech. Digest, 713 (1995).
9. T. Matsumoto, S. Maeda, K. Ota, Y. Hirano, K. Eikyu, H. Sayama, T. Iwamatsu, K. Yamamoto, T. Katoh, Y. Yamaguchi, T. Ipposhi, H. Oda, S. Maegawa, Y. Inoue, and Inuishi, IEDM Tech. Digest, 219-222 (2001).
10. 2006 Semico Research Corporation, SOI Cost of Ownership, March 2006.
11. T. Ghani, M. Armstrong, C. Auth, M. Bost, P. Charvat, G. Glass, T. Hoffmann, K. Johnson, C. Kenyon, J. Klaus, B. McIntyre, K. Mistry, A; Murthy, J. Sandford, M. Silberstein, S. Sivakumar, P. Smith, K. Zawadzki, S. Thompson, and M. Bohr, IEDM Tech. Dig., 978 (2003).
12. H. S. Yang, R. Malik, S. Narasimha, Y. Li, R. Divakaruni, P. Agnello, S. Allen, A. Antreasyan, J. C. Arnold, K. Bandy, M. Belyansky, A. Bonnoit, G. Bronner, V. Chan, X. Chen, Z. Chen, D. Chidambarrao, A. Chou, W. Clark, S. W. Crowder, B. Engel, H. Harifuchi, S. F. Huang, R. Jagannathan, F. F. Jamin, Y. Kohyama, H. Kuroda, C. W. Lai, H. K. Lee, W. Lee, E. H. Lim, W. Lai, A. Mallikarjunan, K. Matsumoto, A. McKnight, J. Nayak, H. Y. Ng, S. Panda, R. Rengarajan, M. Steigerwalt, S. Subbanna, K. Subramanian, J. Sudijono, G. Sudo, S. Sun, B. Tessier, Y. Toyoshima, P. Tran, R. Wise, R. Wong, I. Y. Yang, C. H. Wann, L. T. Su, M. Horstmann, T. Feudel, A. Wei, K. Frohberg, G. Burbach, M. Gerhardt, M. Lenski, R. Stephan, K. Wieczorek, M. Schauer, H. Salz, J. Hohage, H. Ruelke, J. Klais, P. Huebler, S. Luning, R. van Bentum, G. Grasshoff, C. Schwan, E. Ehrichs, S. Goad, J. Buller, S. Krishnan, D. Greenlaw, M. Raab, and N. Kepler, IEDM Tech. Dig., 1075 (2004).
13. A. Thean, L. Prabhu, V. Vartanian, M. Ramon, B.Y. Nguyen, T. White, H. Collard, Q-H. Xie, S. Murphy, J. Cheek, S. Venkatesan, J. Mogab, C.H. Chang, Y.H.Chiu, H.C. Tuan, Y.C. See, M.S. Liang, Y.C. Sun, IEDM Tech. Dig., 515 (2005).
14. V. Chan, R. Rengarajan, N. Rovedo, W. Jin, T. Hook, P. Nguyen, J. Chen, E. Nowak, X. Chen, D. Lea, A. Chakravarti, V. Ku, S. Yang, A. Steegen, C. Baiocco, P. Shafer, H. Ng, S. Huang, and C. Wann, IEDM Tech. Dig., 77 (2003).
15. E.A. Fitzgerald, M.L. Lee, B. Yu, K.E. Lee, C. L. Dohrman, D. Isaacson, T.A. Langdo & D.A. Antoniadis; IEDM Tech. Dig., 519 (2005).
16. I. Cayrefourcq, M. Kennard, F. Metral, C. Mazure, A. Thean, M. Sadaka, T. White, and B.Y. Nguyen, Silicon-On-Insulator Technology and Devices XII, ECS Proc., vol 200S-03. 191 (2005).
17. K. Rim, K. Chan, L. Shi, D. Boyd, J.Ott, N. Klymko, F. Cardone, L. Tai, S. Koester, M. Cobb, D. Canaperi, B. To, E. Duch, I. Babich, R. Carruthers, P. Saunders, G. Walker, Y. Zhang, M. Steen, M. Ieong., IEDM Tech. Dig., 49 (2003).
18. A. Thean, T. White, M. Sadaka, L. McCormick, M. Ramon, R. Mora, P. Beckage, M. Canonico, X.-D. Wang, S. Zollner, S. Murphy, V. Van Der Pas, M. Zavala, R. Roble, O. Zia, L-G. Kang, V. Kolagunta, N. Cave, J. Cheek, M. Mendocino, B.Y. Nguyen, M. Orlowski, S. Venkatesan, J. Mogab, C.H. Chang, Y.H.Chiu, H.C. Tuan, Y.C. See, M.S. Lian, Y.C. Sun, I. Cayrefourcq, F. Metral, M. Kennard, C. Mazure, Proc. Symp. VLSI Tech, 134 (2005).
19. E. Wang, P. Matagne, L. Shifren, B. Obradovic, R. Kotlyar, S. Cea, J. He, Z. Ma, R. Nagisetty, S. Tyagi, M. Stettler, and M. D. Giles, IEDM Tech. Dig., 147 (2004).
20. R. Tsuchiya, M. Horiuchi, S. Kimura, M. Yamaoka, T. Kawahara, S. Maegawa, T. Ipposhi, Y. Ohji, and H. Matsuoka, IEDM Tech Dig., 631 (2004).
21. N. Bresson, S. Cristoloveanu, K. Oshima, C. Mazuré, F. Letertre, H. Iwai, IEEE Int. SOI Conf., 62 (2004).
22. F. Andrieu, T. Ernst, O. Faynot, Y. Bogumilowicz, J.-M. Hartmann, J. Eymery, D. Lafond, Y.-M. Levaillant, C. Dupré, R. Powers, F. Fournel, C. Fenouillet-Beranger, A. Vandooren, B. Ghyselen, C. Mazure, N. Kernevez, G. Ghibaudo and S. Deleonibus, IEEE Int. SOI Conf., 223 (2005).