Rectifying property and giant positive magnetoresistance of Fe3 O4 Si O2 Si heterojunction

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 22, 2007, Pages

  Qu, T L ^a   Zhao, Y G ^a   Tian, H F ^a   Xiong, C M ^a   Guo, S M ^a   Li, J Q ^b  

^a TSINGHUA UNIVERSITY   (China)

^b INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BIAS VOLTAGE; BUFFER LAYERS; GIANT MAGNETORESISTANCE; IRON OXIDES; PULSED LASER DEPOSITION; SILICA; SILICON WAFERS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

GIANT POSITIVE MAGNETORESISTANCE; REVERSE BIAS VOLTAGE;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 34249891042     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2743937     Document Type: Article

References (24)

1. F. Walz, J. Phys. Condens. Matter 14, R285 (2002).
2. G. Garcia and J. Subias, J. Phys. Condens. Matter 16, R145 (2004).
3. A. Yanase and N. Hamada, J. Phys. Soc. Jpn. 68, 1607 (1999).
4. Y. S. Dedkov, U. Rüdiger, and G. Güntherodt, Phys. Rev. B 65, 064417 (2002).
5. J. S. Feng, R. D. Pashley, and M. A. Nicolet, J. Phys. C 8, 1010 (1975).
6. V. V. Gridin, G. R. Hearne, and J. M. Honig, Phys. Rev. B 53, 15518 (1996).
7. G. Q. Gong, A. Gupta, G. Xiao, W. Qian, and V. P. Dravid, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.56.5096 56, 5096 (1997); S. B. Ogale, K. Ghosh, R. P. Sharma, R. L. Greene, R. Ramesh, and T. Venkatesan, Phys. Rev. B 57, 7823 (1998).
8. G. Q. Gong, A. Gupta, G. Xiao, W. Qian, and V. P. Dravid, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.56.5096 56, 5096 (1997); S. B. Ogale, K. Ghosh, R. P. Sharma, R. L. Greene, R. Ramesh, and T. Venkatesan, Phys. Rev. B 57, 7823 (1998).
9. K. Ghosh, S. B. Ogale, S. P. Pai, M. Robson, E. Li, I. Jin, Z. W. Dong, R. L. Greene, R. Ramesh, T. Venkatesan, and M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 73, 689 (1998).
10. G. Hu and Y. Suzuki, Phys. Rev. Lett. 89, 276601 (2002).
11. E. J. W. Verwey and P. W. Haayman, Physica (Amsterdam) 0031-8914 10.1016/S0031-8914(41)80005-6 8, 979 (1947); E. J. W. Verwey, P. W. Haayman, and R. Romeyn, J. Chem. Phys. 15, 181 (1947).
12. E. J. W. Verwey and P. W. Haayman, Physica (Amsterdam) 0031-8914 10.1016/S0031-8914(41)80005-6 8, 979 (1947); E. J. W. Verwey, P. W. Haayman, and R. Romeyn, J. Chem. Phys. 15, 181 (1947).
13. M. Ziese, U. Kohler, A. Bollero, and R. Hohne, Phys. Rev. B 71, 180406 (2005).
14. D. C. Kundaliya, S. B. Ogale, L. F. Fu, S. J. Welz, J. S. Higgins, G. Langham, S. Dhar, N. D. Browning, and T. Venkatesan, J. Appl. Phys. 99, 08K304 (2006).
15. M. Ziese, A. Bollero, I. Panagiotopoulos, and N. Moutis, Appl. Phys. Lett. 88, 212502 (2006).
16. M. S. Watts, C. Boothman, S. van Dijken, and J. M. D. Coey, Appl. Phys. Lett. 86, 212108 (2005).
17. Y. Lin, B. R. Zhao, H. B. Peng, B. Xu, H. Chen, F. Wu, H. J. Tao, Z. X. Zhao, and J. S. Chen, Appl. Phys. Lett. 73, 2781 (1998).
18. P. L. Lang, Y. G. Zhao, C. M. Xiong, P. Wang, J. Li, and D. N. Zheng, J. Appl. Phys. 100, 053909 (2006).
19. S. Jain, A. O. Adeyeye, and C. B. Boothroyd, J. Appl. Phys. 97, 093713 (2005).
20. D. L. Camphausen, J. M. D. Coey, and B. K. Chakraverty, Phys. Rev. Lett. 29, 657 (1972).
21. K. Jordan, A. Cazacu, G. Manai, S. F. Ceballos, S. Murphy, and I. V. Shvets, Phys. Rev. B 74, 085416 (2006).
22. M. Fonin, R. Pentcheva, Yu. S. Dedkov, M. Sperlich, D. V. Vyalikh, M. Scheffler, U. Rüdiger, and G. Güntherodt, Phys. Rev. B 72, 104436 (2005).
23. F. G. Allen and G. W. Gobeli, Phys. Rev. 127, 150 (1962).
24. Z. G. Sun, M. Mizuguchi, T. Manago, and H. Akinaga, Appl. Phys. Lett. 85, 5643 (2004).