High electron doping to a wide band gap semiconductor 12CaO7 Al2 O3 thin film

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 18, 2007, Pages

  Miyakawa, Masashi ^a   Hirano, Masahiro ^a   Kamiya, Toshio ^a   Hosono, Hideo ^a  

^a TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ENERGY GAP; POLYCRYSTALLINE MATERIALS; SEMICONDUCTOR DOPING; SINGLE CRYSTALS; THIN FILMS;

FREE CARRIERS; HIGH DENSITY ELECTRONS; HIGH ELECTRON DOPING; METALLIC CONDUCTION;

CARRIER CONCENTRATION;

EID: 34247846341     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2735280     Document Type: Article

References (25)

1. K. Hayashi, S. Matsuishi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature (London) 419, 462 (2002).
2. S. Matsuishi, Y. Toda, M. Miyakawa, K. Hayashi, T. Kamiya, M. Hirano, I. Tanaka, and H. Hosono, Science 301, 626 (2003).
3. M. I. Bertoni, T. O. Mason, J. E. Medvedeva, A. J. Freeman, K. R. Poeppelmeier, and B. Delley, J. Appl. Phys. 97, 103713 (2005).
4. H. B. Bartl and T. Scheller, Neues Jahrb. Mineral., Monatsh. 1970, 547.
5. K. Hayashi, M. Hirano, S. Matsuishi, and H. Hosono, J. Am. Chem. Soc. 124, 738 (2002).
6. K. Hayashi, P. V. Sushko, D. M. Ramo, A. L. Shluger, S. Watauch, I. Tanaka, S. Matsuishi, M. Hirano, and H. Hosono, J. Phys. Chem. B 111, 1946 (2007).
7. R. W. Nurse, J. H. Welch, and A. J. Majumdar, Trans. Br. Ceram. Soc. 64, 323 (1965).
8. J. A. Imlach, L. S. D. Glasser, and F. P. Glasser, Cem. Concr. Res. 1, 57 (1971).
9. G. I. Zhmoidin and G. I. Chatterjee, Cem. Concr. Res. 14, 386 (1984).
10. P. P. Williams, Acta Crystallogr., Sect. B: Struct. Crystallogr. Cryst. Chem. B29, 1550 (1973).
11. W.-L. Feng, F. P. Glasser, R. Alan-Howie, and E. E. Lachowski, Acta Crystallogr., Sect. C: Cryst. Struct. Commun. C44, 589 (1988).
12. M. Lacerda, J. T. S. Irvine, F. P. Glasser, and A. R. West, Nature (London) 332, 525 (1988).
13. J. T. S. Irvine and A. R. West, Solid State Ionics 40/41, 896 (1990).
14. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
15. H. Morkoc, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
16. R. F. Davis, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 829 (1993).
17. S. W. Kim, S. Matsuishi, T. Nomura, Y. Kubota, M. Takata, K. Hayashi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nano Lett. (to be published).
18. Y. Toda, S. Matsuishi, K. Hayashi, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 0935-9648 10.1002/adma.200306484 16, 685 (2004); Y. Toda, S. W. Kim, K. Hayashi, M. Hirano, T. Kamiya, H. Hosono, T. Haraguchi, and H. Yasuda, Appl. Phys. Lett. 87, 254103 (2005).
19. Y. Toda, S. Matsuishi, K. Hayashi, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 0935-9648 10.1002/adma.200306484 16, 685 (2004); Y. Toda, S. W. Kim, K. Hayashi, M. Hirano, T. Kamiya, H. Hosono, T. Haraguchi, and H. Yasuda, Appl. Phys. Lett. 87, 254103 (2005).
20. T. Kamiya, S. Aiba, M. Miyakawa, K. Nomura, S. Matsuishi, K. Hayashi, K. Ueda, M. Hirano, and H. Hosono, Chem. Mater. 17, 6311 (2005).
21. M. Miyakawa, Y. Toda, K. Hayashi, M. Hirano, T. Kamiya, N. Matsunami, and H. Hosono, J. Appl. Phys. 97, 023510 (2005).
22. T. Kamiya, K. Nakahata, K. Ro, C. M. Fortmann, and I. Shimizu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 5750 (1999).
23. P. V. Sushko, K. Schluger, K. Hayashi, M. Hirano, and H. Hosono, Phys. Rev. Lett. 91, 126401 (2003).
24. C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, 8th ed. (Wiley, New York, 2005), 1, Chap., p. 140.
25. A. Smakula, Z. Phys. 59, 603 (1930).