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Volumn 2005, Issue , 2005, Pages

High frequency power switch - Improved performance by MOSFETs and IGBTs connected in parallel

Author keywords

Device application; Efficiency; High frequency power converter; IGBT; MOSFET; Parallel operation

Indexed keywords

ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRIC LOADS; INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORS (IGBT); MOSFET DEVICES; RESONANCE; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS;

EID: 33947613208     PISSN: None     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1109/epe.2005.219594     Document Type: Conference Paper
Times cited : (59)

References (17)
  • 1
    • 33947636256 scopus 로고    scopus 로고
    • Schaltgerät zur Ein- und Ausschaltung
    • European Patent EP 0 443 155 B1, Dec. 18, 1990
    • H. Maasland: "Schaltgerät zur Ein- und Ausschaltung", European Patent EP 0 443 155 B1, Dec. 18, 1990.
    • Maasland, H.1
  • 2
  • 3
    • 0030833159 scopus 로고    scopus 로고
    • An ASIC to control the paralleling of an IGBT with a MOSFET
    • Feb
    • th Annual, Volume: 1, Feb. 1997, pages 151-155.
    • (1997) th Annual , vol.1 , pp. 151-155
    • Yee, H.P.1    Liu, D.2
  • 4
    • 33947682408 scopus 로고    scopus 로고
    • U. Nikolai, T. Reimann, J. Petzoldt, J. Lutz: Application Manual Power Modules, Ilmenau Verlag Steuerungstechnik und Leistungselektronik - ISLE 2000.
    • U. Nikolai, T. Reimann, J. Petzoldt, J. Lutz: "Application Manual Power Modules", Ilmenau Verlag Steuerungstechnik und Leistungselektronik - ISLE 2000.
  • 6
    • 33947669045 scopus 로고    scopus 로고
    • H. W. Becke, C. F. Wheatley: Power MOSFET with an anode region, US-Patent 4.364.073, Dec. 14. 1982.
    • H. W. Becke, C. F. Wheatley: "Power MOSFET with an anode region", US-Patent 4.364.073, Dec. 14. 1982.
  • 8
    • 33947632595 scopus 로고    scopus 로고
    • Grundlagen, Aufbau und Wirkungsweise des IGB-Transistors und seine Anwendung in der Bahntechnik
    • M. Fasching: "Grundlagen, Aufbau und Wirkungsweise des IGB-Transistors und seine Anwendung in der Bahntechnik", Elektrotechnik und Informationstechnik 113 (1996) 11, pages 735-744.
    • (1996) Elektrotechnik und Informationstechnik , vol.113 , Issue.11 , pp. 735-744
    • Fasching, M.1
  • 9
    • 33947688864 scopus 로고    scopus 로고
    • B. Hall: Leistungs-MOSFETs erfolgreich parallelschalten, Elektronik-Applikation Nr. 18, 17. Sept. 1985, pages 51-54.
    • B. Hall: "Leistungs-MOSFETs erfolgreich parallelschalten", Elektronik-Applikation Nr. 18, 17. Sept. 1985, pages 51-54.
  • 10
    • 8744280375 scopus 로고
    • MOS-Module: Effektive Leistungs-Halbleiterschalter bei hohen Taktfrequenzen - 2. Teil
    • June
    • L. Lorenz, H. Amann: "MOS-Module: Effektive Leistungs-Halbleiterschalter bei hohen Taktfrequenzen - 2. Teil", Elektronik No. 12, June 1988, pages 101-104.
    • (1988) Elektronik , Issue.12 , pp. 101-104
    • Lorenz, L.1    Amann, H.2
  • 11
    • 8744272611 scopus 로고
    • Die Schaltungstechnik von Leistungs-MOSFETs
    • 19 Sept
    • O. Macek: "Die Schaltungstechnik von Leistungs-MOSFETs", Elektronik No. 19 Sept. 1983, p. 65-68.
    • (1983) Elektronik No , pp. 65-68
    • Macek, O.1
  • 12
    • 33947654544 scopus 로고    scopus 로고
    • K. F. Hoffmann, J. P. Kärst: Analysis of dynamic current balancing in parallel commutation cells, PCIM 2004 Nürnberg, 2, pages 991-996.
    • K. F. Hoffmann, J. P. Kärst: "Analysis of dynamic current balancing in parallel commutation cells", PCIM 2004 Nürnberg, Volume 2, pages 991-996.
  • 13
    • 8744224442 scopus 로고    scopus 로고
    • th Annual Power Electronics Specialists Conference (PESC), Aachen 2004, p. 3978-3983.
    • th Annual Power Electronics Specialists Conference (PESC), Aachen 2004, p. 3978-3983.
  • 15
    • 33947656624 scopus 로고    scopus 로고
    • G. Tchouangue: Untersuchungen zur Modellbildung und Anwendungen von Trench-IGBTs, dissertation, Fortschritt-Berichte VDI Reihe 9 Nr. 323, Düsseldorf: VDI-Verlag 2000.
    • G. Tchouangue: "Untersuchungen zur Modellbildung und Anwendungen von Trench-IGBTs", dissertation, Fortschritt-Berichte VDI Reihe 9 Nr. 323, Düsseldorf: VDI-Verlag 2000.
  • 16
    • 0032141248 scopus 로고    scopus 로고
    • Zero Voltage Switching Behavior of Punchthrough and Nonpunchthrough Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT's)
    • August
    • S. Pendharkar, K. Shenai: "Zero Voltage Switching Behavior of Punchthrough and Nonpunchthrough Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT's)", IEEE - Transactions on Electron Devices, vol. 45, no. 8, August 1998, p. 1826-1835.
    • (1998) IEEE - Transactions on Electron Devices , vol.45 , Issue.8 , pp. 1826-1835
    • Pendharkar, S.1    Shenai, K.2


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.