Ferroelectric domain structures of epitaxial (001) BiFe O3 thin films

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 7, 2007, Pages

  Chen, Y B ^a   Katz, M B ^a   Pan, X Q ^a   Das, R R ^b   Kim, D M ^b   Baek, S H ^b   Eom, C B ^b  

^a UNIVERSITY OF MICHIGAN   (United States)

^b UNIVERSITY OF WISCONSIN MADISON   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BISMUTH; EPITAXIAL GROWTH; STRONTIUM COMPOUNDS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

FERROELECTRIC DOMAIN STRUCTURES; FERROELECTRIC SWITCHING; MISCUT SUBSTRATES;

FERROELECTRIC THIN FILMS;

EID: 33847171873     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2472092     Document Type: Article

References (19)

1. W. Prellier, M. P. Singh, and P. Murugavel, J. Phys.: Condens. Matter 17, R803 (2005).
2. M. Fiebig, J. Phys. D 38, R123 (2005).
3. C. Michel, J. M. Moreau, G. D. Achenbach, R. Gerson, and W. J. James, Solid State Commun. 7, 701 (1969).
4. C. Blaauw and F. V. D. Woude, J. Phys. C 6, 1422 (1973).
5. R. R. Das, D. M. Kim, S. H. Baek, C. B. Eom, F. Zavaliche, S. Y. Yang, R. Ramesh, Y. B. Chen, X. Q. Pan, X. Ke, M. S. Rzchowski, and S. K. Streiffer, Appl. Phys. Lett. 88, 242904 (2006).
6. J. Wang, J. B. Neaton, H. Zheng, V. Nagarajan, S. B. Ogale, B. Liu, D. Viehland, V. Vaithyanathan, D. G. Schlom, U. V. Waghmare, N. A. Spaldin, K. M. Rabe, M. Wuttig, and R. Ramesh, Science 299, 1719 (2003).
7. F. Zavaliche, P. Shafer, R. Ramesh, M. P. Cruz, R. R. Das, D. M. Kim, and C. B. Eom, Appl. Phys. Lett. 87, 252902 (2005).
8. F. Zavaliche, R. R. Das, D. M. Kim, C. B. Eom, S. Y. Yang, P. Shafer, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 87, 182912 (2005).
9. Y. H. Chu, Q. Zhan, L. W. Martin, M. P. Cruz, P. L. Yang, G. W. Pabst, F. Zavaliche, S. Y. Yang, J. X. Zhang, L. Q. Chen, D. G. Schlom, I. N. Lin, T. B. Wu, and R. Ramesh, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 18, 2307 (2006).
10. X. Tan and J. K. Shang, J. Appl. Phys. 96, 2805 (2004).
11. C. B. Eom, R. B. van Dover, Julia M. Phillips, D. J. Werder, J. H. Marshall, C. H. Chen, R. J. Cava, R. M. Fleming, and D. K. Fork, Appl. Phys. Lett. 63, 2570 (1993).
12. S. K. Streiffer, C. B. Parker, A. E. Romanov, M. J. Lefevre, L. Zhao, J. S. Speck, W. Pompe, C. M. Foster, and G. R. Bai, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.366632 83, 2742 (1998); A. E. Romanov, M. J. Lefevre, J. S. Speck, W. Pompe, S. K. Streiffer, and C. M. Foster, J. Appl. Phys. 83, 2754 (1998).
13. S. K. Streiffer, C. B. Parker, A. E. Romanov, M. J. Lefevre, L. Zhao, J. S. Speck, W. Pompe, C. M. Foster, and G. R. Bai, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.366632 83, 2742 (1998); A. E. Romanov, M. J. Lefevre, J. S. Speck, W. Pompe, S. K. Streiffer, and C. M. Foster, J. Appl. Phys. 83, 2754 (1998).
14. C. A. Randall, D. J. Barber, and R. W. Whatmore, J. Mater. Sci. 22, 925 (1987).
15. R. Ricci, M. F. Bevilacqua, F. M. Granozio, and U. S. D. Uccio, Phys. Rev. B 65, 155428 (2002).
16. W. Hong, H. N. Lee, M. Yoon, H. M. Christen, D. H. Lowndes, Z. G. Suo, and Z. Y. Zhang, Phys. Rev. Lett. 95, 095501 (2005).
17. A. L. Roitburd, Phys. Status Solidi A 37, 329 (1976).
18. N. Farag, M. Bobeth, W. Pompe, A. E. Romanov, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 97, 113516 (2005).
19. Y. H. Wen, Y. Wang, and L. Q. Chen, Philos. Mag. A 80, 1967 (2000).