Effect of Nd dopant on magnetic and electric properties of BiFeO 3 thin films prepared by metal organic deposition method

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 24, 2006, Pages

  Huang, Fengzhen ^a   Lu, Xiaomei ^a   Lin, Weiwei ^a   Wu, Xiumei ^a   Kan, Yi ^a   Zhu, Jinsong ^a  

^a NANJING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BISMUTH COMPOUNDS; DOPING (ADDITIVES); ELECTRIC PROPERTIES; MAGNETIC PROPERTIES; POLYCRYSTALLINE MATERIALS; SUBSTRATES;

CYCLOIDAL SPIN STRUCTURE; FERROELECTRIC POLARIZATION; MAGNETOCRYSTALLINE ANISOTROPY; METALORGANIC DEPOSITION METHOD;

THIN FILMS;

EID: 33845743027     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2404942     Document Type: Article

References (25)

1. J. Wang, J. B. Neaton, H. Zheng, V. Nagarajan, S. B. Ogale, B. Liu, D. Viehland, V. Vaithyanathan, D. G. Schlom, U. V. Waghmare, N. A. Spaldin, K. M. Rabe, M. Wuttig, and R. Ramesh, Science 299, 1719 (2003).
2. N. Hur, S. Park, P. A. Sharma, J. S. Ahn, S. Guha, and S. W. Cheong, Nature (London) 429, 392 (2004).
3. P. Fischer, M. Polomska, I. Sosnowska, and M. Szymański, J. Phys. C 13, 1931 (1980).
4. F. M. Bai, J. L. Wang, M. Wuttig, J. F. Li, N. G. Wang, A. P. Pyatakov, A. K. Zvezdin, L. E. Cross, and D. Viehland, Appl. Phys. Lett. 86, 032511 (2005).
5. J. Wang, H. Zheng, Z. Ma, S. Prasertchoung, M. Wuttig, R. Droopad, J. Yu, K. Eisenbeiser, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 85, 2574 (2004).
6. K. Y. Yun, M. Noda, and M. Okuyama, Appl. Phys. Lett. 83, 3981 (2003).
7. K. Y. Yun, D. Ricinschi, T. Kanashima, M. Noda, and M. Okuyama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 43, L647 (2004).
8. M. M. Kumar, V. R. Palkar, K. Srinvas, and S. V. Suryanarayana, Appl. Phys. Lett. 76, 2764 (2000).
9. S. Iakovlev, C. H. Solterbeck, M. Kuhnke, and M. Es-Souni, J. Appl. Phys. 97, 094901 (2005).
10. Y. Wang, Q. H. Jiang, H. C. He, and C. W. Nan, Appl. Phys. Lett. 88, 142503 (2006).
11. Y. W. Li, J. L. Sun, J. Chen, X. J. Meng, and J. H. Chu, Appl. Phys. Lett. 87, 182902 (2005).
12. J. R. Cheng and L. E. Cross, J. Appl. Phys. 94, 5188 (2003).
13. M. M. Kumar, A. Srinivas, and S. V. Suryanarayana, J. Appl. Phys. 87, 855 (2000).
14. J. K. Kim, S. S. Kim, W. J. Kim, A. S. Bhalla, and R. Guo, Appl. Phys. Lett. 88, 132901 (2006).
15. C. F. Chung, J. P. Lin, and J. M. Wu, Appl. Phys. Lett. 88, 242909 (2006).
16. D. Lee, M. G. Kim, S. Ryu, H. M. Jang, and S. G. Lee, Appl. Phys. Lett. 86, 222903 (2005).
17. G. L. Yuan and S. W. Or, Appl. Phys. Lett. 88, 062905 (2006).
18. G. L. Yuan, S. W. Or, J. M. Liu, and Z. G. Liu, Appl. Phys. Lett. 89, 052905 (2006).
19. S. K. Singh, H. Ishiwara, and K. Maruyama, Appl. Phys. Lett. 88, 262908 (2006).
20. W. Eerenstein, F. D. Morrison, J. Dho, M. G. Blamire, J. F. Scott, and N. D. Mathur, Science 307, 1203a (2005).
21. I. Sosnowska, T. Peterlin-Neumaier, and E. Steichele, J. Phys. C 15, 4835 (1982).
22. S. T. Zhang, Y. Zhang, M. H. Lu, C. L. Du, Y. F. Chen, Z. G. Liu, Y. Y. Zhu, N. B. Ming, and X. Q. Pan, Appl. Phys. Lett. 88, 162901 (2006).
23. C. Ederer and N. A. Spaldin, Phys. Rev. B 71, 060401 (R) (2005).
24. B. Ruette, S. Zvyagin, A. P. Pyatakov, A. A. Bush, J. F. Li, V. I. Belotelov, A. K. Zvezdin, and D. Viehland, Phys. Rev. B 69, 064114 (2004).
25. J. Wang, A. Scholl, H. Zheng, S. B. Ogale, D. Viehland, D. G. Schlom, N. A. Spaldin, K. M. Rabe, M. Wuttig, L. Mohaddes, J. Neaton, U. Waghmare, T. Zhao, and R. Ramesh, Science 307, 1203b (2005).