Interface electronic structure in MnAs on GaAs (001) studied by in situ photoemission spectroscopy

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 2, 2006, Pages

  Okabayashi, J ^a   Kanal, K ^a   Kubo, K ^a   Toyoda, S ^a   Oshima, M ^a   Ono, K ^b   Yoshino, J ^c  

^a UNIVERSITY OF TOKYO   (Japan)

^b INSTITUTE OF MATERIALS STRUCTURE SCIENCE   (Japan)

^c TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRONIC STRUCTURE; FERROMAGNETIC MATERIALS; MONOLAYERS; PHOTOEMISSION; SEMICONDUCTING MANGANESE COMPOUNDS; SPECTROSCOPIC ANALYSIS;

ISLAND GROWTH; MNAS LAYER; PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY; VALENCE-BAND PHOTOEMISSION SPECTRA;

SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

EID: 33746217380     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2217256     Document Type: Article

References (20)

1. M. Tanaka, Semicond. Sci. Technol. 17, 327 (2002).
2. A. K. Das, C. Pampuch, A. Ney, T. Hesjedal, L. Däweritz, R. Koch, and K. H. Ploog, Phys. Rev. Lett. 91, 087203 (2003).
3. M. Ramsteiner, H. Y. Hao, A. Kawaharazuka, H. J. Zhu, M. Kästner, R. Hey, L. Däweritz, H. T. Grahn, and K. H. Ploog, Phys. Rev. B 66, 081304(R) (2002).
4. C. Pampuch, A. K. Das, A. Ney, L. Däweritz, R. Koch, and K. H. Ploog, Phys. Rev. Lett. 91, 147203 (2003).
5. R. K. Kawakami, E. Johnston-Halperin, L. F. Chen, M. Hanson, N. Guebels, J. S. Speck, A. C. Gossard, and D. D. Awschalom, Appl. Phys. Lett. 77, 2379 (2000).
6. A. M. Nazmul, T. Amemiya, Y. Shuto, S. Sugawara, and M. Tanaka, Phys. Rev. Lett. 95, 017201 (2005).
7. A. M. Nazmul, S. Sugawara, and M. Tanaka, Phys. Rev. B 67, 241308(R) (2003).
8. J. Okabayashi, M. Mizuguchi, K. Ono, M. Oshima, A. Fujimori, H. Kuramochi. and H. Akinaga, Phys. Rev. B 70, 233305 (2004).
9. A. Trampelt, F. Schippan, L. Däweritz, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 78, 2461 (2001).
10. F. Schippan, M. Kästner, L. Däweritz, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 76, 834 (2000).
11. M. Kästner, F. Schippan, P. Schutzendube, L. Däweritz, and K. Ploog, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 2052 (2000).
12. F. Schippan, A. Trampert, L. Däweritz, and K. H. Ploog, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1716 (1999).
13. D. K. Satapathy, B. Jenichen, V. M. Kaganer, W. Braun, L. Däweritz, and P. H. Ploog, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 2079 (2004).
14. K. Shimada, O. Rader, A. Fujimori, A. Kimura, K. Ono, N. Kamakura, A. Kakizaki, M. Tanaka, and M. Shirai, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 88-91, 207 (1998).
15. K. Katoh, A. Yanase, and K. Motizuki, J. Magn. Magn. Mater. 54-57, 959 (1986).
16. A. Continenza, S. Picozzi, W. T. Geng, and A. J. Freeman, Phys. Rev. B 64, 085204 (2001).
17. S. Sanvito and N. A. Hill, Phys. Rev. B 66, 184435 (2000).
18. H. Åsklund, L. Ilver, J. Kanski, J. Sadowski, and M. Karlsteen, Phys. Rev. B 65, 115335 (2002).
19. A. D. Katnani, H. W. Sang, Jr., P. Chiaradia, and R. S. Bauer, J. Vac. Sci. Technol. B 3, 608 (1985).
20. K. Ono, M. Shuzo, M. Oshima, and H. Akinaga, Phys. Rev. B 64, 085328 (2001).