Comparison of crystallization kinetics in a-Si/Cu and a-Si/Al bilayer recording films under thermal annealing and pulsed laser irradiation

Journal of Applied Physics

Volumn 99, Issue 11, 2006, Pages

  Her, Yung Chiun ^a   Chen, Chih Wei ^a   Wu, Chun Lin ^a  

^a NATIONAL CHUNG HSING UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CRYSTALLIZATION; NUCLEATION; PULSED LASER APPLICATIONS; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS;

EXPLOSIVE CRYSTALLIZATION; PULSED LASER IRRADIATION; REAMORPHIZATION; THERMAL ANNEALING;

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 33745246537     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2200427     Document Type: Article

References (37)

1. S. Ohkubo, T. Ide, and M. Okada, in Technical Digest of Optical Data Storage Topical Meeting 2001, pp. 34.
2. Y. C. Her and C. L. Wu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 43, 1013 (2004).
3. J.-B. Lee, C.-J. Lee, and D.-K. Choi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 6177 (2001).
4. S. W. Russel, J. Li, and J. W. Mayer, J. Appl. Phys. 70, 5153 (1991).
5. S. W. Lee, Y. C. Jeon, and S. K. Joo, IEEE Electron Device Lett. 66, 1671 (1995).
6. Y. Kawazu, H. Kudo, S. Onari, and T. Arai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 29, 729 (1990).
7. L. Hultman, A. Robertsson, H. T. G. Hentzell, I. Engstrom, and P. A. Psaras, J. Appl. Phys. 62, 3647 (1987).
8. B. Bian, J. Yie, B. Li, and Z. Wu, J. Appl. Phys. 73, 7402 (1993).
9. G. Randnoczi, A. Robertsson, H. T. G. Hentzell, S. F. Gong, and M. A. Hasam, J. Appl. Phys. 69, 6394 (1991).
10. H. Inoue, K. Mishima, M. Aoshima, H. Hirata, T. Kato, and H. Utsunomiya, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 6177 (2001).
11. B. M. Chen and R. L. Yeh, Proc. SPIE 5380, 141 (2004).
12. Y. C. Her and C. L. Wu, J. Appl. Phys. 96, 5563 (2004).
13. Y. B. Kim, C. H. Kim, H. C. Kim, Y. W. Kim, H. P. Jeon, and D. K. Choi, J. Vac. Sci. Technol. B 23, 525 (2005).
14. O. Nast and S. R. Wenham, J. Appl. Phys. 88, 124 (2000).
15. Y. Masaki, T. Ogata, H. Ogawa, and D. I. Jones, J. Appl. Phys. 76, 5225 (1994).
16. H. T. G. Hentzell, A. Robertsson, L. Hultman, G. Shaofang, S.-E. Hornstrom, and P. A. Psaras, Appl. Phys. Lett. 50, 933 (1987).
17. M. S. Ashtikar and G. L. Sharma, J. Appl. Phys. 78, 913 (1995).
18. Y. Kawazu, H. Kudo, S. Onari, and T. Arai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 29, 2698 (1990).
19. H. E. Kissinger, Anal. Chem. 29, 1702 (1957).
20. J. G. Hernandez and R. Tsu, Appl. Phys. Lett. 42, 90 (1983).
21. R. R. Chromik, W. K. Neils, and E. J. Cotts, J. Appl. Phys. 86, 4273 (1999).
22. G. V. Samsonov, Handbook of the Physicochemical Properties of the Elements (Plenum, New York, 1968).
23. M. Ronay and R. G. Schad, Phys. Rev. Lett. 64, 2042 (1990).
24. J. M. E. Harper, A. Charai, L. Stolt, F. M. d'Heurle, and P. M. Mayer, Appl. Phys. Lett. 56, 2519 (1990).
25. M. Setton, J. Van der Spiegel, and B. Rothman, Appl. Phys. Lett. 57, 357 (1990).
26. M. Avrami, J. Chem. Phys. 7, 1103 (1939).
27. M. Avrami, J. Chem. Phys. 8, 212 (1940).
28. M. Avrami, J. Chem. Phys. 9, 177 (1941).
29. N. Ohshima, J. Appl. Phys. 79, 8357 (1996).
30. S. Higashi and T. Sameshima, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 480 (2001).
31. C. Peng, L. Cheng, and M. Mansuripur, J. Appl. Phys. 82, 4183 (1997).
32. M. Miyamoto, A. Hirotsune, Y. Miyauchi, K. Ando, M. Terao, N. Tokusyuku, and R. Tamura, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 4, 826 (1998).
33. S. Adach, Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors (Kluwer Academic, Boston, MA, 1999).
34. S. Moon, M. Hatano, M. Lee, and C. P. Grigoropoulos, Int. J. Heat Mass Transfer 45, 2439 (2002).
35. G. Auvert, D. Bensahel, A. Perio, V. T. Nguyen, and G. A. Rozgonyi, Appl. Phys. Lett. 39, 724 (1981).
36. A. Prasad, K. Ebihara, P. K. John, B. Y. Tong, S. K. Wong, and K. P. Chik, J. Appl. Phys. 54, 5760 (1983).
37. J. Narayan, S. J. Pennycook, D. Fathy, and O. W. Holland, J. Vac. Sci. Technol. A 2, 1495 (1984).