Nonequilibrium radiation of long-wavelength InAsGaSb superlattice photodiodes

Journal of Applied Physics

Volumn 99, Issue 4, 2006, Pages

  Hoffman, Darin ^a   Hood, Andrew ^a   Fuchs, Frank ^a   Razeghi, Manijeh ^a  

^a NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANTIREFLECTION COATINGS; PHOTODIODES; QUANTUM EFFICIENCY; QUANTUM THEORY; RADIOMETRY; SUPERLATTICES;

FORWARE-BIAS CONDITIONS; NONEQUILIBRIUM RADIATION; ZERO-BIAS VOLTAGE;

SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS;

EID: 33644588630     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2170947     Document Type: Article

References (24)

1. V. I. Ivanov-Omskii, B. T. Kolomiets, and V. A. Smirnov, Sov. Phys. Dokl. 0038-5689 10, 345 (1965); V. K. Malyutenko, S. S. Bolgov, and E. I. Yablonovski, Infrared Phys. 25, 155 (1985).
2. V. I. Ivanov-Omskii, B. T. Kolomiets, and V. A. Smirnov, Sov. Phys. Dokl. 0038-5689 10, 345 (1965); V. K. Malyutenko, S. S. Bolgov, and E. I. Yablonovski, Infrared Phys. 25, 155 (1985).
3. V. K. Malyutenko, Physica E (Amsterdam) 20, 553 (2004).
4. T. Ashley, C. T. Elliott, N. T. Gordon, T. J. Phillips, and R. S. Hall, Infrared Phys. Technol. 38, 145 (1997).
5. C. T. Elliott, Proc. R. Soc. London, Ser. A 359, 567 (2001).
6. M. A. Remennyi, B. A. Matveev, N. V. Zotova, S. A. Karandashev, N. M. Stus, and G. N. Talalakin, Physica E (Amsterdam) 20, 548 (2004).
7. M. J. Pullin, H. R. Hardaway, J. D. Heber, and C. C. Phillips, Appl. Phys. Lett. 75, 3437 (1999).
8. L. J. Olafsen, I. Vurgaftman, W. W. Bewley, C. L. Felix, E. H. Aifer, J. R. Meyer, J. R. Waterman, and W. Mason, Appl. Phys. Lett. 74, 2681 (1999).
9. J. R. Lindle, W. W. Bewley, I. Vurgaftman, J. R. Meyer, J. L. Johnson, M. L. Thomas, and W. E. Tennant, Physica E (Amsterdam) 20, 558 (2004).
10. W. W. Bewley, J. R. Lindle, I. Vurgaftman, J. R. Meyer, J. L. Johnson, M. L. Thomas, and W. E. Tennant, Appl. Phys. Lett. 83, 3254 (2003).
11. M. K. Haigh, G. R. Nash, N. T. Gordon, J. Edwards, A. Graham, J. Giess, J. E. Hails, and M. Houlton, Appl. Phys. Lett. 86, 011910 (2005).
12. G. R. Nash, N. T. Gordon, T. Ashley, M. T. Emeny, and T. M. Burke, IEE Proc.: Optoelectron. 150, 371 (2003).
13. M. K. Haigh et al., Proc. SPIE 5783, 376 (2005).
14. Y. Wei, A. Gin, M. Razeghi, and G. J. Brown, Appl. Phys. Lett. 80, 3262 (2002).
15. L. Bürkle, F. Fuchs, R. Kiefer, W. Pletschen, R. E. Sah, and J. Schmitz, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 607, 77 (2000).
16. Y. Wei, A. Hood, H. Yau, A. Gin, M. Razeghi, M. Tidrow, and V. Nathan, Appl. Phys. Lett. 86, 233106 (2005).
17. R. N. Hall, Proc. Inst. Electr. Eng. 106B, 983 (1960).
18. H. B. Bepp and E. W. Williams, Semiconductors and Semimetals, edited by, R. K. Willardson, and, A. C. Beer, (Academic, New york, 1972), Vol. 8, p. 181.
19. A. Blacha, H. Presting, and M. Cardona, Phys. Status Solidi B 126, 11 (1984).
20. D. Z. Garbuzov, J. Lumin. 27, 109 (1982).
21. C. H. Grein, P. M. Young, M. E. Flatte, and H. Ehrenreich, J. Appl. Phys. 78, 7143 (1995).
22. Y. P. Varshni, Physica (Amsterdam) 34, 149 (1967).
23. C. H. Grein, P. M. Young, and H. Ehrenreich, Appl. Phys. Lett. 61, 2905 (1992).
24. D. Hoffman, A. Gin, Y. Wei, A. Hood, F. Fuchs, and M. Razeghi, IEEE J. Quantum Electron. 41, 1747 (2005).