Long-wavelength HgCdTe on silicon negative luminescent devices

Applied Physics Letters

Volumn 86, Issue 1, 2005, Pages

  Haigh, M K ^a   Nash, G R ^a   Gordon, N T ^a   Edwards, J ^a   Graham, A ^a   Giess, J ^a   Hails, J E ^a   Houlton, M ^a  

^a QINETIQ   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT DENSITY; ELECTRIC RESISTANCE; FOURIER TRANSFORM INFRARED SPECTROSCOPY; INFRARED DEVICES; LUMINESCENCE; LUMINESCENT DEVICES; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; QUANTUM EFFICIENCY; SILICON; THERMAL EFFECTS;

AUGER PROCESSES; INFRARED (IR) SENSORS; NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE (NDR); NEGATIVE LUMINESCENT DEVICES;

MERCURY COMPOUNDS;

EID: 19744383189     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1843280     Document Type: Article

References (19)

1. V. I. Ivanov-Omskii, B. T. Kolomiets, and V. A. Smirnov, Sov. Phys. Dokl. 10, 345 (1965).
2. V. Malyutenko, S. Bolgov, and E. Yablonovsky, Infrared Phys. 25, 115 (1985).
3. T. Ashley, C. T. Elliott, and A. T. Harker, Infrared Phys. 26, 303 (1986).
4. T. Ashley, C. T. Elliott, N. T. Gordon, T. J. Phillips. and R. S. Hall, Infrared Phys. Technol. 38, 145 (1997).
5. J. R. Lindle, W. W. Bewley, I. Vurgaftman, J. R. Meyer, J. B. Varesi, and S. M. Johnson, IEE Proc.: Optoelectron. 150, 365 (2003).
6. T. Ashley, N. T. Gordon, G. R. Nash, C. L. Jones, C. D. Maxey, and R. A. Catchpole, Appl. Phys. Lett. 79, 1136 (2001).
7. G. R. Nash, M. K. Ashby, J. R. Lindle, N. T. Gordon, W. W. Bewley, J. R. Meyer, J. Giess, L. Haworth, and T. Ashley, J. Appl. Phys. 94, 7300 (2003).
8. D. J. Hall, L. Buckle, N. T. Gordon, J. Giess, J. E. Hails, J. W. Cairns, R. M. Lawrence, A. Graham, R. S. Hall, C. Maltby, and T. Ashley, 5406, Defence and Security SPIE. (2004), p. 317.
9. D. J. Hall, L. Buckle, N. T. Gordon, J. Giess, J. E. Hails, J. W. Cairns, R. M. Lawrence, A. Graham, R. S. Hall, C. Maltby, and T. Ashley, Appl. Phys. Lett. 85, 2113 (2004).
10. A. R. Beattie and A. M. White, J. Appl. Phys. 79, 802 (1996).
11. G. R. Nash, N. T. Gordon, T. Ashley, M. T. Emeny, and T. M. Burke, IEE Proc.: Optoelectron. 150, 371 (2003).
12. G. R. Nash, T. Ashley, N. T. Gordon, C. L. Jones, C. D. Maxey, and R. A. Catchpole, J. Mod. Opt. 49, 811 (2002).
13. G. R. Nash, M. K. Ashby, J. R. Lindle, N. T. Gordon, W. W. Bewley, J. R. Meyer, J. Giess, L. Haworth, and T. Ashley. J. Appl. Phys. 94, 7300 (2003).
14. L. J. Olafson, I. Vurgaftman, W. W. Bewley, C. L. Felix, E. H. Aifer, J. R. Meyer, J. R. Waterman, and W. Mason, Appl. Phys. Lett. 74, 2681 (1999).
15. M. J. Pullin, H. R. Hardaway, J. D. Heber, and C. C. Phillips, Appl. Phys. Lett. 7, 3437 (1999).
16. W. W. Bewley, J. R. Lindle, I. Vuraftman, J. R. Meyer, J. L. Johnson, M. L. Thomas, and W. E. Tennant, Appl. Phys. Lett. 83, 3254 (2003).
17. W. W. Bewley, M. J. Jurkovic, C. L. Felix, J. R. Lindle, I. Vuraftman, J. R. Meyer, E. H. Aifer, J. E. Butler, S. P. Tobin, P. W. Norton, and M. A. Hutchins, Appl. Phys. Lett. 78, 3082 (2001).
18. B. A. Matveev, N. V. Zotova, S. A. Karandashev, M. A. Remennyi, N. M. Stus, and G. N. Talalakin, IEE Proc.: Optoelectron. 149, 33 (2002).
19. J. R. Lindle, W. W. Bewley, I. Vurgaftman, J. R. Meyer, J. B. Varesi, and S. M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 82, 2002 (2003).