High-performance all-polymer transistor utilizing a hygroscopic insulator

Advanced Materials

Volumn 16, Issue 13, 2004, Pages 1112-1115

  Sandberg, Henrik G O ^a,b   Bäcklund, Tomas G ^a   Österbacka, Ronald ^a   Stubb, Henrik ^a  

^a ÅBO AKADEMI UNIVERSITY   (Finland)

^b UNIVERSITY OF TURKU   (Finland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATMOSPHERIC HUMIDITY; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRODES; ELECTRON MOBILITY; FIELD EFFECT TRANSISTORS; SEMICONDUCTOR MATERIALS;

DRAIN ELECTRODES; GATE VOLTAGES; HYGROSCOPIC INSULATORS; TRANSFER CURVES;

ELECTRIC INSULATORS;

EID: 3242881319     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200400030     Document Type: Article

References (26)

1. J. Rogers, Z. Bao, J. Polym. Sci., Part A: Polym. Chem. 2002, 40, 3327.
2. V. Saxena, B. D. Malhotra, Curr. Appl. Phys. 2003, 3, 293.
3. C. J. Drury, C. M. J. Mutsaers, C. M. Hart, M. Matters, D. M. de Leeuw, Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 108.
4. H. E. A. Huitema, G. H. Gelinok, J. B. P. H. van der Putten, K. E. Kuijk, C. M. Hart, E. Cantatore, P. T. Herwig, A. J. M. M. van Breemen, D. M. de Leeuw, Nature 2001, 414, 599.
5. P. Mach, S. J. Rodriguez, R. Nortrup, P. Wiltzius, J. A. Rogers, Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 3592.
6. C. D. Sheraw, L. Zhou, J. R. Huang, D. J. Gundlach, T. N. Jackson, M. G. Kane, I. G. Hill, M. S. Hammond, J. Campi, B. K. Greening, J. Francl, J. West, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 1088.
7. H. Sirringhaus, T. Kawase, R. H. Friend. US Patent Application Publication US2003/0059984 A1, 2003.
8. B.-H. Huisman, J. Valeton, W. Nijssen, J. Lub, W. ten Hoeve, Adv. Mater. 2003, 15, 2002.
9. K. R. Amundson, B. J. Sapjeta, A. J. Lovinger, Z. N. Bao, Thin Solid Films 2002, 414, 143.
10. X. Chen, Z Bao, H. Schon, A. Lovinger, Y. Lin, B Crone, A. Dodabalapur, B. Batlogg, Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 228.
11. M. Halik, K. Hagen, U. Zschieschang, G. Schmidt, W. Radlik, W. Weber, Adv. Mater. 2002, 14, 1717.
12. S. K. Park, Y. H. Kim, J. I. Han, D. G. Moon, W. K. Kim, IEEE Trans. Electron Devices 2002, 49, 2008.
13. H. Sirringhaus, P. J. Brown, R. H. Friend, M. M. Nielsen, K. Bechgaard, B. M. W. Langeveld-Voss, A. J. H. Spiering, R. A. J. Janssen, E. W. Meijer, P. Herwig, D. M. de Leeuw, Nature 1999, 401, 685.
14. E. J. Meijer, C. Detcheverry, P. J. Baesjou, E. van Veenendaal, D. M. de Leeuw, T. M. Klapwijk, J. Appl. Phys. 2003, 93, 4831.
15. H. Sirringhaus, N. Tessler, R. H. Friend, Science 1998, 280, 1741.
16. Y. Ohmori, H. Takahashi, K. Muro, M. Uchida, T. Kawai, K. Yoshino, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 1991, 30, L1247.
17. A. J. Epstein, F.-C. Hsu, N.-R. Chiou, V. N. Prigodin, Curr. Appl. Phys. 2002, 2, 339.
18. D. Nilsson, M. X. Chen, T. Kugler, T. Remonen, M. Armgarth, M. Berggren, Adv. Mater. 2002, 14, 51.
19. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley, New York 1981.
20. A. Brown, C. Jarrett, D. de Leeuw, M. Matters, Synth. Met. 1997, 88, 37.
21. R. Österbacka, C. P. An, X. M. Jiang, Z. V. Vardeny, Science 2000, 287, 839.
22. J. Veres, S. D. Ogier, S. W. Leeming, D. C. Cupertino, S. M. Khaffaf, Adv. Funct. Mater. 2003, 13, 199.
23. A. J. Epstein, F.-C. Hsu, N.-R. Chiou, V. N. Prigodin, Synth. Met. 2003, 137, 859.
24. S. Chao, M. Wrighton, J. Am. Chem. Soc. 1987, 109, 6627.
25. V. Rani, K. S. V. Santhanam, J. Solid State Electrochem. 1998, 2, 99.
26. U. Zschieschang, H. Klauk, M. Halik, G. Schmid, C. Dehm, Adv. Mater. 2003, 15, 1147.