Room-temperature semiconductor heterostructure refrigeration

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 2, 2005, Pages

  Chao, K A ^a   Larsson, Magnus ^a   Mal'Shukov, A G ^b  

^a LUND UNIVERSITY   (Sweden)

^b INSTITUTE OF SPECTROSCOPY   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

HIGH ENERGY ELECTRONS; TEMPERATURE GRADIENTS; THERMIONIC PROCESS;

CALCULATIONS; ELECTRONS; MICROELECTRONICS; REFRIGERATION; SEMICONDUCTOR MATERIALS; THERMAL EFFECTS;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 24144464533     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1992651     Document Type: Article

References (27)

1. C. LaBounty, A. Shakuori, and J. E. Bowers, J. Appl. Phys. 89, 4059 (2001).
2. M. V. Simkin and G. D. Mahan, Phys. Rev. Lett. 84, 927 (2000).
3. L. D. Hicks, T. C. Harman, and M. S. Dresselhaus, Appl. Phys. Lett. 63, 3230 (1993).
4. X. Sun, Z. Zhang, and M. S. Dresselhaus, Appl. Phys. Lett. 74, 4005 (1999).
5. G. N. Hatsopoulos and J. Kave, J. Appl. Phys. 29, 1124 (1958).
6. J. W. Gadzuk and E. W. Plummer, Rev. Mod. Phys. 45, 487 (1973).
7. A. Shakouri and J. E. Bowers, Appl. Phys. Lett. 71, 1234 (1997).
8. A. Shakouri, C. LaBounty, J. Piprek, P. Abraham, and J. E. Bowers, Appl. Phys. Lett. 74, 88 (1999).
9. X. Fan, G. Zeng, C. LaBounty, J. E. Bowers, E. Croke, C. C. Ahn, S. Huxtable, A. Majumdar, and A. Shakouri, Appl. Phys. Lett. 78, 1580 (2001).
10. D. Vashaee and A. Shakouri, J. Appl. Phys. 95, 1233 (2004).
11. G. D. Mahan, J. Appl. Phys. 76, 4362 (1994).
12. G. D. Mahan and L. M. Woods, Phys. Rev. Lett. 80, 4016 (1998).
13. R. J. Radtke, H. Ehrenreich, and C. H. Grein, J. Appl. Phys. 86, 3195 (1999).
14. C. B. Vining and G. D. Mahan, J. Appl. Phys. 86, 6852 (1999).
15. M. D. Ulrich, P. A. Barnes, and C. B. Vining, J. Appl. Phys. 90, 1625 (2001).
16. D. Vashaee and A. Shakouri, Phys. Rev. Lett. 92, 106103-1 (2004).
17. A. N. Korotkov and K. K. Likharev, Appl. Phys. Lett. 75, 2491 (1999).
18. R. Tsu and R. F. Greene, Electrochem. Solid-State Lett. 2, 645 (1999).
19. M. Nahum, T. M. Eiles, and J. M. Martinis, Appl. Phys. Lett. 65, 3123 (1994).
20. M. M. Leivo, J. P. Pekola, and D. V. Averin, Appl. Phys. Lett. 68, 1996 (1996).
21. A. J. Manninen, J. K. Suoknuuti, M. M. Leivo, and J. P. Pekola, Appl. Phys. Lett. 74, 3020 (1999).
22. K. Fujimaru, R. Sasajima, and H. Matsumura, J. Appl. Phys. 85, 6912 (1999).
23. Y. Hishinuma, T. H. Geballe, B. Y. Moyzhes, and T. W. Kenny, Appl. Phys. Lett. 78, 2572 (2001).
24. W. S. Capinski, H. J. Maris, T. Ruf, M. Cardona, K. Ploog, and D. S. Katzer, Phys. Rev. B 59, 8105 (1999).
25. N. Zou, M. Willander, I. Linnerud, U. Hanke, K. A. Chao, and Yu. M. Galperin, Phys. Rev. B 49, 2193 (1994).
26. L. Eaves, G. A. Toombs, F. W. Sheard, C. A. Payling, M. L. Leadbeater, E. S. Alves, T. J. Foster, P. E. Simmonds, M. Henini, O. H. Hughes, J. C. Portal, G. Hill, and M. A. Pate, Appl. Phys. Lett. 52, 212 (1988).
27. J. Zhang, N. G. Anderson, and K. M. Lau, IEEE Electron Device Lett. 25, 345 (2004).