Effect of thermal annealing on the interband transitions and activation energies of CdTe/ZnTe quantum dots

Journal of Applied Physics

Volumn 98, Issue 2, 2005, Pages

  Lee, H S ^a   Lee, K H ^a   Park, H L ^a   Kim, T W ^b   Kim, Y H ^b  

^a Yonsei University   (South Korea)

^b Hanyang University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTALLINITY; ELECTRON ACTIVATION ENERGY; INTERBAND TRANSITION; THERMAL ANNEALING;

ACTIVATION ENERGY; ANNEALING; CADMIUM COMPOUNDS; ELECTRON TRANSITIONS; HIGH TEMPERATURE EFFECTS; LATTICE CONSTANTS; MONOLAYERS; OPTICAL PROPERTIES; OPTOELECTRONIC DEVICES; PHOTOLUMINESCENCE;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 23844551833     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1968440     Document Type: Article

References (24)

1. J. M. Garcia, T. Mankad, P. O. Holtz, P. J. Wellman, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 72, 3172 (1998).
2. M. O. Lipinski, H. Schuler, O. G. Schmidt, K. Eberl, and N. Y. Jin-Phillip, Appl. Phys. Lett. 77, 1789 (2000).
3. H. Heidemeyer, S. Kiravittaya, C. Müller, N. Y. Jin-Phillipp, and O. G. Schmidt, Appl. Phys. Lett. 80, 1544 (2002).
4. S. Kaiser, T. Mensing, L. Worschech, F. Klopf, J. P. Reithmaier, and A. Forchel, Appl. Phys. Lett. 81, 4898 (2002).
5. E. S. Moskalenko, K. F. Karlsson, V. Donchev, P. O. Holtz, W. V. Schoenfeld, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 84, 4896 (2004).
6. D. Leonard, K. Pond, and P. M. Petroff, Phys. Rev. B 50, 11687 (1994).
7. E. Leobandung, L. Guo, Y. Wang, and S. Y. Chou, Appl. Phys. Lett. 67, 938 (1995).
8. G. Yuga and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 70, 345 (1997).
9. I. N. Kaiander, R. L. Sellin, T. Kettler, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, N. D. Zakharov, and P. Werner, Appl. Phys. Lett. 84, 2992 (2004).
10. L. Jiang, S. S. Li, N.-T. Yeh, J.-I. Chyi, C. E. Ross, and K. S. Jones, Appl. Phys. Lett. 82, 1986 (2003).
11. H. Kirmse, R. Schneider, M. Rabe, W. Neumann, and F. Henneberger, Appl. Phys. Lett. 72, 1329 (1998).
12. M. S. Jang, S. H. Oh, H. S. Lee, J. C. Choi, H. L. Park, T. W. Kim, D. C. Choo, and D. U. Lee, Appl. Phys. Lett. 81, 993 (2002).
13. A. Babinski, J. Jasinsk, R. Bozek, A. Szepielow, and J. W. Baranowski, Appl. Phys. Lett. 79, 2576 (2001).
14. S. Krishna, S. Raghavan, A. L. Gray, A. Stintz, and K. J. Malloy, Appl. Phys. Lett. 80, 3898 (2002).
15. H. S. Lee, J. Y. Lee, T. W. Kim, and M. D. Kim, J. Appl. Phys. 94, 6354 (2003).
16. S. Mackowski, L. M. Smith, H. E. Jackson, W. Heiss, J. Kossut, and G. Karczewski, Appl. Phys. Lett. 83, 254 (2003).
17. T. W. Kim, K. H. Lee, and H. L. Park, Appl. Phys. Lett. 72, 563 (1998).
18. I. N. Stranski and V. L. Krastanow, Akad. Wiss. Lit. Mainz Abh. Math. Naturwiss. Kl. 146, 797 (1939).
19. R. Leon, Y. Kim, C. Jagadish, M. Gai, J. Zou, and D. J. H. Cockayne, Appl. Phys. Lett. 69, 1888 (1996).
20. S. J. Xu, X. C. Wang, S. J. Chua, C. H. Wang, W. J. Fan, J. Jiang, and X. G. Xie, Appl. Phys. Lett. 72, 3335 (1998).
21. S. Malik, C. Roberts, R. Murray, and M. Pate, Appl. Phys. Lett. 71, 1987 (1997).
22. H. S. Lee, H. L. Park, and T. W. Kim (unpublished).
23. See, for example, E. W. Williams and H. B. Bebb, Semiconductors and Semimetals, edited by, R. K. Willardson, and, A. C. Beer, (Academic, New York, 1992), Vol. 8, p. 321.
24. T. W. Kim, E. H. Lee, K. H. Lee, J. S. Kim, and H. L. Park, Appl. Phys. Lett. 84, 595 (2004).