Electron field emission from various morphologies of fluorinated amorphous carbon nanostructures

Applied Physics Letters

Volumn 85, Issue 25, 2004, Pages 6248-6250

  Lai, S H ^a   Chang, K L ^a   Shih, H C ^a   Huang, K P ^b   Lin, P ^b  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHOUS MATERIALS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ELECTRIC CURRENTS; ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE; ELECTRON EMISSION; MORPHOLOGY; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SYNTHESIS (CHEMICAL);

CARBON NANOSTRUCTURES; ELECTRON FIELD EMISSION; EMISSION CURRENT REGIONS; NANOPOROUS FILMS;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 20444486588     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1828595     Document Type: Article

References (24)

1. S. Iijima, Nature (London) 354, 56 (1991).
2. E. T. Mickelson, C. B. Huffman, A. G. Rinzler, R. E. Smalley, R. H. Hauge, and J. L. Margrave, Chem. Phys. Lett. 296, 188 (1998).
3. A. Hamwi, H. Alvergnat, S. Bannamy, and F. Beguin, Carbon 35, 723 (1997).
4. M. Koh, H. Yumoto, H. Higashi, and T. Nakajima, J. Fluorine Chem. 97, 239 (1999).
5. S. H. Tsai, F. K. Chiang, T. G. Tsai, F. S. Shieu, and H. C. Shih, Thin Solid Films 366, 11 (2000).
6. S. L. Sung, S. H. Tsai, C. H. Tseng, F. K. Chiang, X. W. Liu, and H. C. Shih, Appl. Phys. Lett. 74, 197 (1999).
7. S. H. Lai, K. P. Huang, Y. M. Pan, Y. L. Chen, L. H. Chan, P. Lin, and H. C. Shih, Chem. Phys. Lett. 382, 567 (2003).
8. J. S. Suh, K. S. Jeong, J. S. Lee, and I. Han, Appl. Phys. Lett. 80, 2392 (2002).
9. D. N. Davydov, P. A. Sattari, D. Almawlawi, A. Osika, T. L. Haslett, and M. Moskovits, J. Appl. Phys. 86, 3983 (1999).
10. R. H. Fowler and L. Nordheim, Proc. R. Soc. London A119, 173 (1928).
11. O. M. Küttel, O. Groening, C. Emmenegger, and L. Schlapbach, Appl. Phys. Lett. 73, 2113 (1998).
12. C. T. Hsieh, J. M. Chen, H. H. Lin, and H. C. Shih, Appl. Phys. Lett. 83, 3383 (2003).
13. L. H. Chan, K. H. Hong, D. Q. Xiao, W. J. Hsieh, S. H. Lai, H. C. Shih, T. C. Lin, F. S. Shieu, K. J. Chen, and H. C. Cheng, Appl. Phys. Lett. 82, 4334 (2003).
14. J.-M. Bonard, J.-P. Salvetat, T. Stöckli, L. Forró, and A. Châtelain, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 69, 245 (1999).
15. Y. C. Choi, Y. M. Shin, D. J. Bae, S. C. Lim, Y. H. Lee, and B. S. Lee, Diamond Relat. Mater. 10, 1457 (2001).
16. M. Sveningsson, R. E. Morjan, O. A. Nerushev, Y. Sato, J. Bäckström, E. E. B. Campbell, and F. Rohmund, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 73, 409 (2001).
17. S. Dimitrijevic, J. C. Withers, V. P. Mammana, O. R. Monteiro, J. W. Ager, and I. G. Brown, Appl. Phys. Lett. 75, 2680 (1999).
18. J.-M. Bonard, J.-P. Salvetat, T. Stöckli, W. A. de Heer, L. Forró, and A. Châtelain, Appl. Phys. Lett. 73, 918 (1998).
19. P. G. Collins and A. Zettl, Phys. Rev. B 55, 9391 (1997).
20. K. A. Dean and B. R. Chalamala, Appl. Phys. Lett. 76, 375 (2000).
21. K. Hata, A. Takakura, and Y. Saito, Surf. Sci. 490, 296 (2001).
22. C. Kim, Y. S. Choi, S. M. Lee, J. T. Park, B. Kim, and Y. H. Lee, J. Am. Chem. Soc. 124, 9906 (2002).
23. S. C. Lim, Y. C. Choi, H. J. Jeong, Y. M. Shin, H. H. An, D. J. Bae, Y. H. Lee, N. S. Lee, and J. M. Kim, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 13, 1563 (2001).
24. S. Han and J. Ihm, Phys. Rev. B 61, 9986 (2000).