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Journal of Applied Physics

Volumn 92, Issue 9, 2002, Pages 5555-5559

YSi 2-x formation in the presence of interfacial SiO 2 layer

(6) Cho, M H a Ko, D H a Choi, Y G a Lyo, I W a Jeong, K a Whang, C N a

a Yonsei University (South Korea)

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ANNEALING TEMPERATURES; CRYSTALLINITIES; FORMATION ENERGIES; HIGH CRYSTALLINITY; POLYCRYSTALLINE STRUCTURE; SI (1 1 1); SI SURFACES; SILICIDE LAYERS; SINGLE-CRYSTALLINE; STRUCTURAL CHANGE; UHV CHAMBERS;

CRYSTALLINE MATERIALS; RUTHERFORD BACKSCATTERING SPECTROSCOPY; SILICON;

SILICIDES;

EID: 18744373403 PISSN: 00218979 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1063/1.1512323 Document Type: Article

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.