Effect of annealing on the microstructural and optical properties of InAs quantum dots grown on GaAs buffer layers

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 45, Issue SUPPL., 2004, Pages

  Lee, K H ^a   Lee, H S ^a   Lee, J Y ^a   Lee, D U ^b   Kim, T W ^b   Kim, M D ^c  

^a Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)   (South Korea)

^b Hanyang University   (South Korea)

^c Chungnam National University   (South Korea)

Author keywords

Indium arsenide; Photoluminescence; Quantum dots; Rapid thermal annealing; Transmission electron microscopy

Indexed keywords

EID: 12744276033     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Conference Paper

References (12)

1. D. Leonard, M. Krishnamurthy, C. M. Reaves, S. P. Denbaars and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 63, 3203 (1993).
2. D. Leonard, K. Pond and P. M. Petroff, Phys. Rev. B 50, 11687 (1994).
3. S. Zhu, A. Xu, H. Guo, Y. Zhang, F. Xiao, X. Chen and H. J. Kong, J. Korean Phys. Soc. 43, 1015 (2003).
4. S. J. Lee, S. H. Lee, J. I. Lee, S. K. Non, S. K. Kang, J. W. Choe, Y. H. Kang, U. H. Lee and S. C. Hong, J. Korean Phys. Soc. 42, 825 (2003).
5. S. K. Kang, S. J. Lee, J. I. Lee, M. D. Kim, S. K. Noh, Y. H. Kang, U. H. Lee, S. G. Hong, H. S. Kim and C. G. Park, J. Korean Phys. Soc. 42, 418 (2003).
6. A. Babinski and J. Jasinski, Thin Solid Films 412, 84 (2002).
7. T. M. Hsu, Y. S. Lan, W. -H. Chang, N. T. Yeh and J. -I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 76, 691 (2000).
8. D. Leonard, K. Pond and P. M. Petroff, Phys. Rev. B 50, 11687 (1994).
9. A. Babinski, J. Jasinski, R. Bozek, A, Szepielow and J. M. Baranowski, Appl. Phys. Lett. 79, 2576 (2001).
10. J. M. Garcia, G. Medeiros-Ribeiro, K. Schmidt, T. Ngo, J. F. Feng, A. Lorke, J. Kotthaus and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 71, 2014 (1997).
11. S. Malik, C. Roberts, R. Murray and M. Pate, Appl. Phys. Lett. 71, 1987 (1997).
12. S. J. Xu, X. C. Wang, S. J. Chua, C. H. Wang, W. J. Fan, J. Jiang and X. G. Xie, Appl. Phys. Lett. 72, 3335 (1998).