Ion-channeling and Raman scattering study of damage accumulation in silicon

Journal of Applied Physics

Volumn 95, Issue 3, 2004, Pages 1096-1101

  Johnson, B C ^a   McCallum, J C ^a  

^a UNIVERSITY OF MELBOURNE   (Australia)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHOUS MATERIALS; CRYSTAL DEFECTS; CRYSTAL ORIENTATION; CRYSTALLOGRAPHY; ION IMPLANTATION; MONTE CARLO METHODS; NUMERICAL ANALYSIS; RAMAN SPECTROSCOPY; RUTHERFORD BACKSCATTERING SPECTROSCOPY; SUBSTRATES; THERMAL EFFECTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

DAMAGE ACCUMULATION; ION CHANNELING; RANDOMLY ORIENTED CRYSTAL; SURFACE AMORPHOUS LAYER;

SILICON WAFERS;

EID: 1142268138     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1636814     Document Type: Article

References (27)

1. R. D. Goldberg, J. S. Williams, and R. G. Elliman, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 80/81, 596 (1993).
2. R. D. Goldberg, J. S. Williams, and R. G. Elliman, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 106, 242 (1995).
3. M. B. Huang and I. V. Mitchell, J. Electron. Mater. 28, 385 (1999).
4. G. Braunstein, D. Tuschel, S. Chen, and S. T. Lee, J. Appl. Phys. 66, 3515 (1989).
5. U. V. Desnica, I. D. Desnica-Franković, M. Ivanda, and K. Furić, Phys. Rev. B 55, 16205 (1997).
6. U. V. Desnica, J. Wagner, T. E. Haynes, and O. W. Holland, J. Appl. Phys. 71, 2591 (1992).
7. H. Richter, Z. P. Wang, and L. Ley, Solid State Commun. 39, 625 (1981).
8. X. Huang, F. Ninio, L. J. Brown, and S. Prawer, J. Appl. Phys. 77, 5910 (1995).
9. J. P. Biersack and L. G. Haggmark, Nucl. Instrum. Methods 174, 257 (1980).
10. G. E. Jellison, Jr. and F. A. Modine, J. Appl. Phys. 76, 3758 (1994).
11. D. R. McKenzie, N. Savvides, R. C. McPhedran, L. C. Botten and R. P. Netterfield, J. Phys. C 16, 4933 (1983).
12. J. S. Williams, X. F. Zhu, M. C. Ridgway, M. J. Conway, B. C. Williams, F. Fortuna, M. O. Rualt, and H. Bernas, Appl. Phys. Lett. 77, 4280 (2000).
13. R. A. Brown, Nd code on works of J. F. Zeigler reported in J. Appl. Phys. 43, 2973 (1972).
14. V. Paillard, P. Puech, M. A. Laguna, R. Carles, B. Kohn, and F. Huisken, J. Appl. Phys. 86, 1921 (1999).
15. K. K. Tiong, P. M. Amirtharaj, and F. H. Pollak, Appl. Phys. Lett. 44, 122 (1983).
16. J. W. Auger, III, D. K. Veirs, and G. M. Rosenblatt, Phys. Rev. B 43, 6491 (1991).
17. C. Ulrich, E. Anastassakis, K. Syassen, A. Debernardi, and M. Cardona, Phys. Rev. Lett. 78, 1283 (1997).
18. R. Alben, D. Weaire, J. E. Smith, and M. H. Brodski, Phys. Rev. B 11, 2271 (1975).
19. D. Beeman, R. Tsu, and M. Thorpe, Phys. Rev. B 32, 874 (1985).
20. K. Mizoguchi, C. Nakashima, A. Fujii, A. Mitsuishi, H. Morimoto, H. Onoda and T. Kato, Jpn. J. Appl. Phys. 26, 903 (1987).
21. K. Ishioka, K. G. Nakamura, and M. Kitajima, Phys. Rev. B 52, 2539 (1995).
22. J. L. Shen, I. M. Chang, Y. M. Shu, and Y. F. Chen, Phys. Rev. B 50, 1678 (1994).
23. R. Arès, Y. B. Trudeau, J. L. Brebner, and G. E. Kajrys, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 90, 419 (1994).
24. R. Tubino, L. Piseri, and G. Zerbi, J. Chem. Phys. 56, 1022 (1972).
25. J. S. Williams, H. H. Tan, R. D. Goldberg, R. A. Brown, and C. Jagadish, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 316, 15 (1994).
26. J. S. Williams, M. J. Conway, B. C. Williams, and J. Wong-Leung, Appl. Phys. Lett. 78, 2867 (2001).
27. R. G. Elliman and I. V. Mitchell, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 373, 469 (1995).