Valley splitting in low-density quantum-confined heterostructures studied using tight-binding models

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 70, Issue 16, 2004, Pages 1-12

  Boykin, Timothy B ^a   Klimeck, Gerhard ^b,d   Friesen, Mark ^c   Coppersmith, S N ^c   Von Allmen, Paul ^b   Oyafuso, Fabiano ^b   Lee, Seungwon ^b  

^a UNIVERSITY OF ALABAMA IN HUNTSVILLE   (United States)

^b CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (United States)

^c Wisconsin Electric Machines and Power Electronics Consortium   (United States)

^d PURDUE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GERMANIUM; SILICON;

ARTICLE; BINDING AFFINITY; CHEMICAL STRUCTURE; MATHEMATICAL COMPUTING; MATHEMATICAL MODEL; MOLECULAR MECHANICS; QUANTUM MECHANICS;

EID: 11344281756     PISSN: 01631829     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.70.165325     Document Type: Article

References (51)

1. S. A. Wolf, D. D. Awschalom, R. A. Buhrman, J. M. Daughton, S. von Molnar, M. L. Roukes, A. Y. Chtchelkanova, and D. M. Treger, Science 294, 1488 (2001).
2. B. Kane, Nature (London) 393, 133 (1998); D. Loss and D. P. DiVicenzo, Phys. Rev. A 57, 120 (1998); R. Vrijen, E. Yablonovitch, K. Wang, H. W. Jiang, A. Balandin, V. Roychowdhury, T. Mor, and D. DiVincenzo, ibid. 62, 012306 (2000).
3. B. Kane, Nature (London) 393, 133 (1998); D. Loss and D. P. DiVicenzo, Phys. Rev. A 57, 120 (1998); R. Vrijen, E. Yablonovitch, K. Wang, H. W. Jiang, A. Balandin, V. Roychowdhury, T. Mor, and D. DiVincenzo, ibid. 62, 012306 (2000).
4. B. Kane, Nature (London) 393, 133 (1998); D. Loss and D. P. DiVicenzo, Phys. Rev. A 57, 120 (1998); R. Vrijen, E. Yablonovitch, K. Wang, H. W. Jiang, A. Balandin, V. Roychowdhury, T. Mor, and D. DiVincenzo, ibid. 62, 012306 (2000).
5. K. Yang, K. Moon, L. Zheng, A. H. MacDonald, S. M. Girvin, D. Yoshioka, and S.-C. Zhang, Phys. Rev. Lett. 72, 732 (1994); K. Moon, H. Mori, Kun Yang, S. M. Girvin, and A. H. MacDonald, Phys. Rev. B 51, 5138 (1995); L. Brey, H. A. Fertig, R. Côté, A. H. MacDonald, ibid. 54, 16888 (1996).
6. K. Yang, K. Moon, L. Zheng, A. H. MacDonald, S. M. Girvin, D. Yoshioka, and S.-C. Zhang, Phys. Rev. Lett. 72, 732 (1994); K. Moon, H. Mori, Kun Yang, S. M. Girvin, and A. H. MacDonald, Phys. Rev. B 51, 5138 (1995); L. Brey, H. A. Fertig, R. Côté, A. H. MacDonald, ibid. 54, 16888 (1996).
7. K. Yang, K. Moon, L. Zheng, A. H. MacDonald, S. M. Girvin, D. Yoshioka, and S.-C. Zhang, Phys. Rev. Lett. 72, 732 (1994); K. Moon, H. Mori, Kun Yang, S. M. Girvin, and A. H. MacDonald, Phys. Rev. B 51, 5138 (1995); L. Brey, H. A. Fertig, R. Côté, A. H. MacDonald, ibid. 54, 16888 (1996).
8. M. Friesen, P. Rugheimer, D. E. Savage, M. G. Lagally, D. W. van der Weide, R. Joynt, and M. A. Eriksson, Phys. Rev. B 67, 121301 (2003).
9. A. M. Tyryshkin, S. A. Lyon, A. V. Astashkin, and A. M. Raitsimring, cond-mat/0303006 (unpublished).
10. T. Ouisse, D. K. Maude, S. Horiguchi, Y. Ono, Y. Takahashi, K. Murase, and S. Cristoloreanu, Physica B 249-251, 731 (1998).
11. R. J. Nicholas, K. von Klitzing, and T. Englert, Solid State Commun. 34, 51 (1980).
12. B. Koiller, X. D. Hu, and S. Das Sarma, Phys. Rev. Lett. 88, 027903 (2002).
13. Y. P. Shkolnikov, E. P. De Poortere, E. Tutuc, and M. Shayegan, Phys. Rev. Lett. 89, 226805 (2002); V. S. Khrapai, A. A. Shashkin, and V. T. Dolgopolov, Phys. Rev. B 67, 113305 (2003).
14. Y. P. Shkolnikov, E. P. De Poortere, E. Tutuc, and M. Shayegan, Phys. Rev. Lett. 89, 226805 (2002); V. S. Khrapai, A. A. Shashkin, and V. T. Dolgopolov, Phys. Rev. B 67, 113305 (2003).
15. V. M. Pudalov, A. Punnoose, G. Brunthaler, A. Prinz, and G. Bauer, cond-mat/0104347 (unpublished).
16. U. Zeitler, H. W. Schumacher, A. G. M. Jansen, and R. J. Haug, Phys. Rev. Lett. 86, 866 (2001).
17. F. J. Ohkawa, Solid State Commun. 26, 69 (1978).
18. R. D. Graft, D. J. Lohrmann, G. P. Parravicini, and L. Resca, Phys. Rev. B 36, 4782 (1987).
19. J.-C. Chiang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 294 (1994).
20. T. B. Boykin, G. Klimeck, M. A. Eriksson, M. Friesen, S. N. Coppersmith, P. von Allmen, F. Oyafuso, and S. Lee, Appl. Phys. Lett. 84, 115 (2004).
21. G. Klimeck et al., in Proceedings of IEEE DRC, Fort Collins, Colorado, 23-25 June, 1997 (IEEE, Piscataway, NJ, 1997), p. 92; R. C. Bowen et al., J. Appl. Phys. 81, 3207 (1997); R. Lake, G. Klimeck, R. C. Bowen, and D. Jovanovic, ibid. 81, 7845 (1997); further NEMO details at http://hpc.jpl.nasa.gov/PEP/ gekco/nemo
22. G. Klimeck et al., in Proceedings of IEEE DRC, Fort Collins, Colorado, 23-25 June, 1997 (IEEE, Piscataway, NJ, 1997), p. 92; R. C. Bowen et al., J. Appl. Phys. 81, 3207 (1997); R. Lake, G. Klimeck, R. C. Bowen, and D. Jovanovic, ibid. 81, 7845 (1997); further NEMO details at http://hpc.jpl.nasa.gov/PEP/ gekco/nemo
23. G. Klimeck et al., in Proceedings of IEEE DRC, Fort Collins, Colorado, 23-25 June, 1997 (IEEE, Piscataway, NJ, 1997), p. 92; R. C. Bowen et al., J. Appl. Phys. 81, 3207 (1997); R. Lake, G. Klimeck, R. C. Bowen, and D. Jovanovic, ibid. 81, 7845 (1997); further NEMO details at http://hpc.jpl.nasa.gov/PEP/ gekco/nemo
24. For recent reviews of the tight-binding method as applied to nanostructures, see: A. DiCarlo, Semicond. Sci. Technol. 18, R1 (2003); A. Pecchia and A. DiCarlo, Rep. Prog. Phys. 67, 1497 (2004).
25. For recent reviews of the tight-binding method as applied to nanostructures, see: A. DiCarlo, Semicond. Sci. Technol. 18, R1 (2003); A. Pecchia and A. DiCarlo, Rep. Prog. Phys. 67, 1497 (2004).
26. T. B. Boykin, Phys. Rev. B 54, 7670 (1996); ibid. 54, 8107 (1996).
27. T. B. Boykin, Phys. Rev. B 54, 7670 (1996); ibid. 54, 8107 (1996).
28. See, for example: A. B. Fowler, F. F. Fang, W. E. Howard, and P. J. Stiles, Phys. Rev. Lett. 16, 901 (1966); F. F. Fang and P. J. Stiles, Phys. Rev. 174, 823 (1968); H. Koehler, M. Roos, and G. Landwehr, Semicond. Sci. Technol. 27, 955 (1978); R. J. Nicholas, K. von Klitzing, and T. Englert, ibid. 34, 51 (1980); J. Wakabayashi, S. Kimura, Y. Koike and S. Kawaji, Surf. Sci. 170, 359 (1986); V. M. Pudalov, A. Punnoose, G. Brunthaler, A. Prinz, and G. Bauer, cond-mat/0104347 (unpublished); R. B. Dunford, R. Newbury, F. F. Fang, R. G. Clark, R. P. Starrett, J. O. Chu, K. E. Ismail, and B. S. Meyerson, Solid State Commun. 96, 57 (1995); S. J. Koester, K. Ismail, and J. O. Cho, Semicond. Sci. Technol. 12, 348 (1996); P. Weitz, R. J. Haug, K. von Klitzing, and F. Schäffler, Surf. Sci. 361/362, 542 (1996); D. Monroe, Y. H. Xie, E. A. Fitzgerald, and P. J. Silverman, Phys. Rev. B 46, 7935 (1992); S. F. Nelson, K. Ismail, J. J. Nocera, F. F. Fang, E. E. Mendez, J. O. Chu, and B. S. Meyerson, Appl. Phys. Lett. 61, 64 (1992); G. Stöger, G. Brunthaler, G. Bauer, K. Ismail, B. S. Meyerson, J. Lutz, and F. Kuchar, Phys. Rev. B 49, 10417 (1994).
29. See, for example: A. B. Fowler, F. F. Fang, W. E. Howard, and P. J. Stiles, Phys. Rev. Lett. 16, 901 (1966); F. F. Fang and P. J. Stiles, Phys. Rev. 174, 823 (1968); H. Koehler, M. Roos, and G. Landwehr, Semicond. Sci. Technol. 27, 955 (1978); R. J. Nicholas, K. von Klitzing, and T. Englert, ibid. 34, 51 (1980); J. Wakabayashi, S. Kimura, Y. Koike and S. Kawaji, Surf. Sci. 170, 359 (1986); V. M. Pudalov, A. Punnoose, G. Brunthaler, A. Prinz, and G. Bauer, cond-mat/0104347 (unpublished); R. B. Dunford, R. Newbury, F. F. Fang, R. G. Clark, R. P. Starrett, J. O. Chu, K. E. Ismail, and B. S. Meyerson, Solid State Commun. 96, 57 (1995); S. J. Koester, K. Ismail, and J. O. Cho, Semicond. Sci. Technol. 12, 348 (1996); P. Weitz, R. J. Haug, K. von Klitzing, and F. Schäffler, Surf. Sci. 361/362, 542 (1996); D. Monroe, Y. H. Xie, E. A. Fitzgerald, and P. J. Silverman, Phys. Rev. B 46, 7935 (1992); S. F. Nelson, K. Ismail, J. J. Nocera, F. F. Fang, E. E. Mendez, J. O. Chu, and B. S. Meyerson, Appl. Phys. Lett. 61, 64 (1992); G. Stöger, G. Brunthaler, G. Bauer, K. Ismail, B. S. Meyerson, J. Lutz, and F. Kuchar, Phys. Rev. B 49, 10417 (1994).
30. See, for example: A. B. Fowler, F. F. Fang, W. E. Howard, and P. J. Stiles, Phys. Rev. Lett. 16, 901 (1966); F. F. Fang and P. J. Stiles, Phys. Rev. 174, 823 (1968); H. Koehler, M. Roos, and G. Landwehr, Semicond. Sci. Technol. 27, 955 (1978); R. J. Nicholas, K. von Klitzing, and T. Englert, ibid. 34, 51 (1980); J. Wakabayashi, S. Kimura, Y. Koike and S. Kawaji, Surf. Sci. 170, 359 (1986); V. M. Pudalov, A. Punnoose, G. Brunthaler, A. Prinz, and G. Bauer, cond-mat/0104347 (unpublished); R. B. Dunford, R. Newbury, F. F. Fang, R. G. Clark, R. P. Starrett, J. O. Chu, K. E. Ismail, and B. S. Meyerson, Solid State Commun. 96, 57 (1995); S. J. Koester, K. Ismail, and J. O. Cho, Semicond. Sci. Technol. 12, 348 (1996); P. Weitz, R. J. Haug, K. von Klitzing, and F. Schäffler, Surf. Sci. 361/362, 542 (1996); D. Monroe, Y. H. Xie, E. A. Fitzgerald, and P. J. Silverman, Phys. Rev. B 46, 7935 (1992); S. F. Nelson, K. Ismail, J. J. Nocera, F. F. Fang, E. E. Mendez, J. O. Chu, and B. S. Meyerson, Appl. Phys. Lett. 61, 64 (1992); G. Stöger, G. Brunthaler, G. Bauer, K. Ismail, B. S. Meyerson, J. Lutz, and F. Kuchar, Phys. Rev. B 49, 10417 (1994).
31. See, for example: A. B. Fowler, F. F. Fang, W. E. Howard, and P. J. Stiles, Phys. Rev. Lett. 16, 901 (1966); F. F. Fang and P. J. Stiles, Phys. Rev. 174, 823 (1968); H. Koehler, M. Roos, and G. Landwehr, Semicond. Sci. Technol. 27, 955 (1978); R. J. Nicholas, K. von Klitzing, and T. Englert, ibid. 34, 51 (1980); J. Wakabayashi, S. Kimura, Y. Koike and S. Kawaji, Surf. Sci. 170, 359 (1986); V. M. Pudalov, A. Punnoose, G. Brunthaler, A. Prinz, and G. Bauer, cond-mat/0104347 (unpublished); R. B. Dunford, R. Newbury, F. F. Fang, R. G. Clark, R. P. Starrett, J. O. Chu, K. E. Ismail, and B. S. Meyerson, Solid State Commun. 96, 57 (1995); S. J. Koester, K. Ismail, and J. O. Cho, Semicond. Sci. Technol. 12, 348 (1996); P. Weitz, R. J. Haug, K. von Klitzing, and F. Schäffler, Surf. Sci. 361/362, 542 (1996); D. Monroe, Y. H. Xie, E. A. Fitzgerald, and P. J. Silverman, Phys. Rev. B 46, 7935 (1992); S. F. Nelson, K. Ismail, J. J. Nocera, F. F. Fang, E. E. Mendez, J. O. Chu, and B. S. Meyerson, Appl. Phys. Lett. 61, 64 (1992); G. Stöger, G. Brunthaler, G. Bauer, K. Ismail, B. S. Meyerson, J. Lutz, and F. Kuchar, Phys. Rev. B 49, 10417 (1994).
32. See, for example: A. B. Fowler, F. F. Fang, W. E. Howard, and P. J. Stiles, Phys. Rev. Lett. 16, 901 (1966); F. F. Fang and P. J. Stiles, Phys. Rev. 174, 823 (1968); H. Koehler, M. Roos, and G. Landwehr, Semicond. Sci. Technol. 27, 955 (1978); R. J. Nicholas, K. von Klitzing, and T. Englert, ibid. 34, 51 (1980); J. Wakabayashi, S. Kimura, Y. Koike and S. Kawaji, Surf. Sci. 170, 359 (1986); V. M. Pudalov, A. Punnoose, G. Brunthaler, A. Prinz, and G. Bauer, cond-mat/0104347 (unpublished); R. B. Dunford, R. Newbury, F. F. Fang, R. G. Clark, R. P. Starrett, J. O. Chu, K. E. Ismail, and B. S. Meyerson, Solid State Commun. 96, 57 (1995); S. J. Koester, K. Ismail, and J. O. Cho, Semicond. Sci. Technol. 12, 348 (1996); P. Weitz, R. J. Haug, K. von Klitzing, and F. Schäffler, Surf. Sci. 361/362, 542 (1996); D. Monroe, Y. H. Xie, E. A. Fitzgerald, and P. J. Silverman, Phys. Rev. B 46, 7935 (1992); S. F. Nelson, K. Ismail, J. J. Nocera, F. F. Fang, E. E. Mendez, J. O. Chu, and B. S. Meyerson, Appl. Phys. Lett. 61, 64 (1992); G. Stöger, G. Brunthaler, G. Bauer, K. Ismail, B. S. Meyerson, J. Lutz, and F. Kuchar, Phys. Rev. B 49, 10417 (1994).
33. See, for example: A. B. Fowler, F. F. Fang, W. E. Howard, and P. J. Stiles, Phys. Rev. Lett. 16, 901 (1966); F. F. Fang and P. J. Stiles, Phys. Rev. 174, 823 (1968); H. Koehler, M. Roos, and G. Landwehr, Semicond. Sci. Technol. 27, 955 (1978); R. J. Nicholas, K. von Klitzing, and T. Englert, ibid. 34, 51 (1980); J. Wakabayashi, S. Kimura, Y. Koike and S. Kawaji, Surf. Sci. 170, 359 (1986); V. M. Pudalov, A. Punnoose, G. Brunthaler, A. Prinz, and G. Bauer, cond-mat/0104347 (unpublished); R. B. Dunford, R. Newbury, F. F. Fang, R. G. Clark, R. P. Starrett, J. O. Chu, K. E. Ismail, and B. S. Meyerson, Solid State Commun. 96, 57 (1995); S. J. Koester, K. Ismail, and J. O. Cho, Semicond. Sci. Technol. 12, 348 (1996); P. Weitz, R. J. Haug, K. von Klitzing, and F. Schäffler, Surf. Sci. 361/362, 542 (1996); D. Monroe, Y. H. Xie, E. A. Fitzgerald, and P. J. Silverman, Phys. Rev. B 46, 7935 (1992); S. F. Nelson, K. Ismail, J. J. Nocera, F. F. Fang, E. E. Mendez, J. O. Chu, and B. S. Meyerson, Appl. Phys. Lett. 61, 64 (1992); G. Stöger, G. Brunthaler, G. Bauer, K. Ismail, B. S. Meyerson, J. Lutz, and F. Kuchar, Phys. Rev. B 49, 10417 (1994).
34. See, for example: A. B. Fowler, F. F. Fang, W. E. Howard, and P. J. Stiles, Phys. Rev. Lett. 16, 901 (1966); F. F. Fang and P. J. Stiles, Phys. Rev. 174, 823 (1968); H. Koehler, M. Roos, and G. Landwehr, Semicond. Sci. Technol. 27, 955 (1978); R. J. Nicholas, K. von Klitzing, and T. Englert, ibid. 34, 51 (1980); J. Wakabayashi, S. Kimura, Y. Koike and S. Kawaji, Surf. Sci. 170, 359 (1986); V. M. Pudalov, A. Punnoose, G. Brunthaler, A. Prinz, and G. Bauer, cond-mat/0104347 (unpublished); R. B. Dunford, R. Newbury, F. F. Fang, R. G. Clark, R. P. Starrett, J. O. Chu, K. E. Ismail, and B. S. Meyerson, Solid State Commun. 96, 57 (1995); S. J. Koester, K. Ismail, and J. O. Cho, Semicond. Sci. Technol. 12, 348 (1996); P. Weitz, R. J. Haug, K. von Klitzing, and F. Schäffler, Surf. Sci. 361/362, 542 (1996); D. Monroe, Y. H. Xie, E. A. Fitzgerald, and P. J. Silverman, Phys. Rev. B 46, 7935 (1992); S. F. Nelson, K. Ismail, J. J. Nocera, F. F. Fang, E. E. Mendez, J. O. Chu, and B. S. Meyerson, Appl. Phys. Lett. 61, 64 (1992); G. Stöger, G. Brunthaler, G. Bauer, K. Ismail, B. S. Meyerson, J. Lutz, and F. Kuchar, Phys. Rev. B 49, 10417 (1994).
35. See, for example: A. B. Fowler, F. F. Fang, W. E. Howard, and P. J. Stiles, Phys. Rev. Lett. 16, 901 (1966); F. F. Fang and P. J. Stiles, Phys. Rev. 174, 823 (1968); H. Koehler, M. Roos, and G. Landwehr, Semicond. Sci. Technol. 27, 955 (1978); R. J. Nicholas, K. von Klitzing, and T. Englert, ibid. 34, 51 (1980); J. Wakabayashi, S. Kimura, Y. Koike and S. Kawaji, Surf. Sci. 170, 359 (1986); V. M. Pudalov, A. Punnoose, G. Brunthaler, A. Prinz, and G. Bauer, cond-mat/0104347 (unpublished); R. B. Dunford, R. Newbury, F. F. Fang, R. G. Clark, R. P. Starrett, J. O. Chu, K. E. Ismail, and B. S. Meyerson, Solid State Commun. 96, 57 (1995); S. J. Koester, K. Ismail, and J. O. Cho, Semicond. Sci. Technol. 12, 348 (1996); P. Weitz, R. J. Haug, K. von Klitzing, and F. Schäffler, Surf. Sci. 361/362, 542 (1996); D. Monroe, Y. H. Xie, E. A. Fitzgerald, and P. J. Silverman, Phys. Rev. B 46, 7935 (1992); S. F. Nelson, K. Ismail, J. J. Nocera, F. F. Fang, E. E. Mendez, J. O. Chu, and B. S. Meyerson, Appl. Phys. Lett. 61, 64 (1992); G. Stöger, G. Brunthaler, G. Bauer, K. Ismail, B. S. Meyerson, J. Lutz, and F. Kuchar, Phys. Rev. B 49, 10417 (1994).
36. See, for example: A. B. Fowler, F. F. Fang, W. E. Howard, and P. J. Stiles, Phys. Rev. Lett. 16, 901 (1966); F. F. Fang and P. J. Stiles, Phys. Rev. 174, 823 (1968); H. Koehler, M. Roos, and G. Landwehr, Semicond. Sci. Technol. 27, 955 (1978); R. J. Nicholas, K. von Klitzing, and T. Englert, ibid. 34, 51 (1980); J. Wakabayashi, S. Kimura, Y. Koike and S. Kawaji, Surf. Sci. 170, 359 (1986); V. M. Pudalov, A. Punnoose, G. Brunthaler, A. Prinz, and G. Bauer, cond-mat/0104347 (unpublished); R. B. Dunford, R. Newbury, F. F. Fang, R. G. Clark, R. P. Starrett, J. O. Chu, K. E. Ismail, and B. S. Meyerson, Solid State Commun. 96, 57 (1995); S. J. Koester, K. Ismail, and J. O. Cho, Semicond. Sci. Technol. 12, 348 (1996); P. Weitz, R. J. Haug, K. von Klitzing, and F. Schäffler, Surf. Sci. 361/362, 542 (1996); D. Monroe, Y. H. Xie, E. A. Fitzgerald, and P. J. Silverman, Phys. Rev. B 46, 7935 (1992); S. F. Nelson, K. Ismail, J. J. Nocera, F. F. Fang, E. E. Mendez, J. O. Chu, and B. S. Meyerson, Appl. Phys. Lett. 61, 64 (1992); G. Stöger, G. Brunthaler, G. Bauer, K. Ismail, B. S. Meyerson, J. Lutz, and F. Kuchar, Phys. Rev. B 49, 10417 (1994).
37. See, for example: A. B. Fowler, F. F. Fang, W. E. Howard, and P. J. Stiles, Phys. Rev. Lett. 16, 901 (1966); F. F. Fang and P. J. Stiles, Phys. Rev. 174, 823 (1968); H. Koehler, M. Roos, and G. Landwehr, Semicond. Sci. Technol. 27, 955 (1978); R. J. Nicholas, K. von Klitzing, and T. Englert, ibid. 34, 51 (1980); J. Wakabayashi, S. Kimura, Y. Koike and S. Kawaji, Surf. Sci. 170, 359 (1986); V. M. Pudalov, A. Punnoose, G. Brunthaler, A. Prinz, and G. Bauer, cond-mat/0104347 (unpublished); R. B. Dunford, R. Newbury, F. F. Fang, R. G. Clark, R. P. Starrett, J. O. Chu, K. E. Ismail, and B. S. Meyerson, Solid State Commun. 96, 57 (1995); S. J. Koester, K. Ismail, and J. O. Cho, Semicond. Sci. Technol. 12, 348 (1996); P. Weitz, R. J. Haug, K. von Klitzing, and F. Schäffler, Surf. Sci. 361/362, 542 (1996); D. Monroe, Y. H. Xie, E. A. Fitzgerald, and P. J. Silverman, Phys. Rev. B 46, 7935 (1992); S. F. Nelson, K. Ismail, J. J. Nocera, F. F. Fang, E. E. Mendez, J. O. Chu, and B. S. Meyerson, Appl. Phys. Lett. 61, 64 (1992); G. Stöger, G. Brunthaler, G. Bauer, K. Ismail, B. S. Meyerson, J. Lutz, and F. Kuchar, Phys. Rev. B 49, 10417 (1994).
38. See, for example: A. B. Fowler, F. F. Fang, W. E. Howard, and P. J. Stiles, Phys. Rev. Lett. 16, 901 (1966); F. F. Fang and P. J. Stiles, Phys. Rev. 174, 823 (1968); H. Koehler, M. Roos, and G. Landwehr, Semicond. Sci. Technol. 27, 955 (1978); R. J. Nicholas, K. von Klitzing, and T. Englert, ibid. 34, 51 (1980); J. Wakabayashi, S. Kimura, Y. Koike and S. Kawaji, Surf. Sci. 170, 359 (1986); V. M. Pudalov, A. Punnoose, G. Brunthaler, A. Prinz, and G. Bauer, cond-mat/0104347 (unpublished); R. B. Dunford, R. Newbury, F. F. Fang, R. G. Clark, R. P. Starrett, J. O. Chu, K. E. Ismail, and B. S. Meyerson, Solid State Commun. 96, 57 (1995); S. J. Koester, K. Ismail, and J. O. Cho, Semicond. Sci. Technol. 12, 348 (1996); P. Weitz, R. J. Haug, K. von Klitzing, and F. Schäffler, Surf. Sci. 361/362, 542 (1996); D. Monroe, Y. H. Xie, E. A. Fitzgerald, and P. J. Silverman, Phys. Rev. B 46, 7935 (1992); S. F. Nelson, K. Ismail, J. J. Nocera, F. F. Fang, E. E. Mendez, J. O. Chu, and B. S. Meyerson, Appl. Phys. Lett. 61, 64 (1992); G. Stöger, G. Brunthaler, G. Bauer, K. Ismail, B. S. Meyerson, J. Lutz, and F. Kuchar, Phys. Rev. B 49, 10417 (1994).
39. See, for example: A. B. Fowler, F. F. Fang, W. E. Howard, and P. J. Stiles, Phys. Rev. Lett. 16, 901 (1966); F. F. Fang and P. J. Stiles, Phys. Rev. 174, 823 (1968); H. Koehler, M. Roos, and G. Landwehr, Semicond. Sci. Technol. 27, 955 (1978); R. J. Nicholas, K. von Klitzing, and T. Englert, ibid. 34, 51 (1980); J. Wakabayashi, S. Kimura, Y. Koike and S. Kawaji, Surf. Sci. 170, 359 (1986); V. M. Pudalov, A. Punnoose, G. Brunthaler, A. Prinz, and G. Bauer, cond-mat/0104347 (unpublished); R. B. Dunford, R. Newbury, F. F. Fang, R. G. Clark, R. P. Starrett, J. O. Chu, K. E. Ismail, and B. S. Meyerson, Solid State Commun. 96, 57 (1995); S. J. Koester, K. Ismail, and J. O. Cho, Semicond. Sci. Technol. 12, 348 (1996); P. Weitz, R. J. Haug, K. von Klitzing, and F. Schäffler, Surf. Sci. 361/362, 542 (1996); D. Monroe, Y. H. Xie, E. A. Fitzgerald, and P. J. Silverman, Phys. Rev. B 46, 7935 (1992); S. F. Nelson, K. Ismail, J. J. Nocera, F. F. Fang, E. E. Mendez, J. O. Chu, and B. S. Meyerson, Appl. Phys. Lett. 61, 64 (1992); G. Stöger, G. Brunthaler, G. Bauer, K. Ismail, B. S. Meyerson, J. Lutz, and F. Kuchar, Phys. Rev. B 49, 10417 (1994).
40. T. Ando, A. B. Fowler, and F. Stern, Rev. Mod. Phys. 54, 437 (1982).
41. E. J. Hinch, Perturbation methods (Cambridge University Press, Cambridge, 1991).
42. J.-M. Jancu, R. Scholz, F. Beltram, and F. Bassani, Phys. Rev. B 57, 6493 (1998).
43. G. Klimeck, F. Oyafuso, T. B. Boykin, R. C. Bowen, and P. von Allmen, Comp. Mod. in Eng. Sci. 3, 601 (2002).
44. F. Schaffler, Semicond. Sci. Technol. 12, 1515 (1997).
45. T. B. Boykin and G. Klimeck, Eur. J. Phys. 25, 503 (2004).
46. For a bulk material note that the number of states is the same in either case, but that the Brillouin zone is half as large for the two-band model as for the one-band model.
47. The labels A and C for the two (here identical) atoms in a cell are reminiscent of polar semiconductors (e.g., III-V), with which this model can be used.
48. 3s* model shares this shortcoming. See: G. Klimeck, R. C. Bowen, T. B. Boykin, C. Salazar-Lazaro, T. A. Cwik, and A. Stoica, Superlattices Microstruct. 27, 77 (2000); G. Klimeck, R. C. Bowen, T. B. Boykin, and T. A. Cwik, ibid. 27, 519 (2000).
49. 3s* model shares this shortcoming. See: G. Klimeck, R. C. Bowen, T. B. Boykin, C. Salazar-Lazaro, T. A. Cwik, and A. Stoica, Superlattices Microstruct. 27, 77 (2000); G. Klimeck, R. C. Bowen, T. B. Boykin, and T. A. Cwik, ibid. 27, 519 (2000).
50. 3s* model shares this shortcoming. See: G. Klimeck, R. C. Bowen, T. B. Boykin, C. Salazar-Lazaro, T. A. Cwik, and A. Stoica, Superlattices Microstruct. 27, 77 (2000); G. Klimeck, R. C. Bowen, T. B. Boykin, and T. A. Cwik, ibid. 27, 519 (2000).
51. D. J. Chadi and M. L. Cohen, Phys. Status Solidi B 68, 405 (1975).