Planar and parallel dielectric properties of compositionally graded (Ba, Sr)TiO3 thin films for tunable microwave applications

Integrated Ferroelectrics

Volumn 58, Issue , 2003, Pages 1305-1314

  Lee, Su Jae ^a   Moon, Seungeon ^a   Kwak, Min Hwan ^a   Ryu, Han Cheol ^a   Kim, Young Tae ^a   Lee, Sang Seok ^a   Han, Seok Kil ^b  

^a Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)   (South Korea)

^b Seoul National University   (South Korea)

Author keywords

Compositionally graded BST films; Parallel capacitor; Planar capacitor; Tunable microwave devices

Indexed keywords

BARIUM COMPOUNDS; CAPACITORS; MICROWAVE DEVICES; PERMITTIVITY; PYROELECTRICITY; STRONTIUM COMPOUNDS;

COMPOSITIONALLY GRADED BST FILMS; PARALLEL CAPACITOR; PLANAR CAPACITOR; TUNABLE MICROWAVE APPLICATIONS;

FERROELECTRIC THIN FILMS;

EID: 10444229018     PISSN: 10584587     EISSN: 16078489     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1080/10584580390259524     Document Type: Article

References (25)

1. F. Abbas, L. E. Davis, and J. C. Gallop, IEEE Trans. Appl. Supercond. 5(4), 3511 (1995).
2. R. Romanofsky, F. Van Keuls, C. Mueller, F. Miranda, G. Fox, F. Chu, F. Gladden, and A. Hunt. Integr. Ferrorlectr. 39, 299 (2001).
3. C. M. Carlson, T. V. Tivkin, P. A. Parilla, J. D. Perkins, D. S. Ginley, A. B. Kozyrev, V. N. Oshadchy, and A. S. Pavlov, Appl. Phys. Lett. 76, 1920 (2000).
4. W. J. Kim, W. Chang, S. B. Qadri, J. M. Pond, S. W. Kirchoefer, D. B. Chrisey, and J. S. Horwitz, Appl. Phys. Lett. 76, 1185 (2000).
5. F. W. Van Keuls, R. R. Romanofsky, C. H. Mueller, J. D. Warner, C. L. Canedy, R. Ramesh, and F. A. Miranda, Integr. Ferrorlectr. 34, 165 (2001).
6. E. K. Kim, S. E. Moon, S. J. Lee, S. K. Han, K. Y. Kang, and W. J. Kim, Ferroelectrics 272, 237 (2001).
7. S. E. Moon, E. K. Kim, S. J. Lee, S. K. Han, K. Y. Kang, and W. J. Kim, Ferroelectrics 272, 333 (2001).
8. G. A. Smolensky, Ferroelectrics and Related Materials (Gordon and Breach, New York, 1985).
9. O. G. Vendik, S. P. Zubko, S. F. Karmanenko, M. A. Nikol'ski, N. N. Isakov, I. T. Serenkov, and V. I. Sakharov, J. Appl. Phys. 91, 331 (2002).
10. R. Slowak, S. Hoffmann, R. Liedtke, and R. Waser. Integr. Ferrorlectr. 24, 169 (1999).
11. M. S. Mohammed, G. W. Auner, R. Naik, J. V. Mantese, N. W. Schubring, A. L. Micheli, and A. B. Catalan, Appl. Phys. Lett. 84, 3322 (1998).
12. N. W. Schubring, J. V. Mantese, A. L. Micheli, A. B. Catalan, M. S. Mohammed, R. Naik, and G. Auner, Integr. Ferrorlectr. 24, 155 (1999).
13. S. J. Lee, S. E. Moon, M. H. Kwak, H. C. Ryu, Y. T. Kim, and S. K. Han, Integr. Ferrorlectr. 49, 151 (2002);
14. Appl. Phys. Lett. 82, 2133 (2003).
15. S. W. Kirchoefer, J. M. Pond, A. C. Carter, W. Chang, K. K. Agarwal, J. S. Horwitz, and D. B. Chrisey, Microwave Opt. Technol. Lett. 18, 168 (1998).
16. T. R. Tayler, P. J. Hansen, B. Acikel, N. Perzez, R. A. York, S. K. Streiffer, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 80, 1978 (2002).
17. W. Chang, S. W. Kirchoefer, J. M. Pond, and L. Sengupta, J. Appl. Phys. 92, 1528 (2002).
18. A. R. James and X. X. Xi, J. Appl. Phys. 92, 6149 (2002).
19. X. Zhu, N. Chong, H. Lai-Wah, C. L. Choy, K. H. Wong, Z. Liu, and N. Ming, Appl. Phys. Lett. 80, 3376 (2002).
20. J. T. Dawley and P. G. Clem, Appl. Phys. Lett. 81, 3028 (2002).
21. B. H. Hoerman, G. M. Ford, L. D. Kaufman, and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 73, 2248 (1998).
22. B. H. Park, E. J. Peterson, Q. X. Jia, X. Zeng, W. Si, and X. X. Xi, Appl. Phys. Lett. 78, 533 (2001).
23. S. J. Lee, K. Y. Kang, S. K. Han, J. W. Kim, and S. D. Jung, Integr. Ferroelectr. 24, 33 (1999);
24. Integr. Ferroelectr. 37, 225 (2001).
25. S. J. Lee, K. Y. Kang, and S. K. Han, Appl. Phys. Lett. 75, 1784 (1999).