Characteristics of monolithically integrated two-wavelength laser diodes with aluminum-free active layers

Applied Physics Letters

Volumn 78, Issue 7, 2001, Pages 853-855

  Lu, Tien Chang ^a   Fu, Richard ^a   Shieh, H M ^a   Huang, K J ^a   Wang, S C ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0347608383     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1347019     Document Type: Article

References (10)

1. N. Takahashi, H. Sato, H. Osawa, K. Nagai, H. Isobe, and I. Kasuga, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 467 (1997).
2. M. Uchiyama, T. Ebihara, K. Omi, H. Kitano, I. Hoshino, and K. Mori, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 1549 (2000).
3. S. Suzufu, Y. Shihei, O. Nobuyasu, and M. O. Furiiman, Japanese Patent No. 11 097 804 (4 Sept., 1999).
4. J. K. Wade, L. J. Mawst, D. Botez, R. F. Nabiev, and M. Jansen, Appl. Phys. Lett. 71, 172 (1997).
5. P. Bournes, H. Asonen, F. Fang, M. Finander, M. Jansen, R. F. Nabiev, J. Nappi, K. Rakkenus, and A. Salokatve, IEEE Proc. LEOS'98 1, 276 (1998).
6. S. Minagawa and M. Kondo, Electron. Lett. 25, 758 (1989).
7. D. P. Bour, R. S. Geels, D. W. Treat, T. L. Paoli, F. Ponce, R. L. Thornton, B. S. Krusor, R. D. Bringans, and D. F. Welch, IEEE J. Quantum Electron. 30, 593 (1994).
8. H. Hamada, R. Hiroyama, S. Honda, M. Shono, K. Yodoshi, and T. Yamaguchi, IEEE J. Quantum Electron. 29, 1844 (1993).
9. H. M. Shieh, R. Fu, T. C. Lu, and L. R. Chen, Proc. SPIE 394S, 214 (2000).
10. H. Horie, S. Nagao, K. Shimoyama, and T. Fujimori, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 5888 (1999).