Índice de refractión del semiconductor TlGaS2 y su dependencia con la presión

Revista Mexicana de Fisica

Volumn 49, Issue SUPPL. 3, 2003, Pages 186-188

  Contreras, O ^a   Power, Ch ^a   Gonzalez J ^a   Chervin, J C ^b  

^a UNIVERSIDAD DE LOS ANDES   (Venezuela)

^b SORBONNE UNIVERSITÉ   (France)

Author keywords

III III VI2; Optical properties, high pressures; Phase transitions

Indexed keywords

EID: 0346967016     PISSN: 0035001X     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Conference Paper

References (9)

1. W. Henkel, D.H. Hochheimer, C. Carlone, A. Werner, S. Ves y H.G. Schnering, Phys. Rev (B) 26 (1982) 3211.
2. N.M. Gasanly, A.F. Goncharov, N.N. Melnik, A.S. Ragimov y V.l. Tagirov, Phys. Stat. Sol.(b) 116 (1983) 427.
3. K.R. Allakhverdiev, Sol. Stat. Commun. 11 (1999) 253.
4. A. Torres Barrios, Tesis de Licenciatura (Universidad de Los Andes, 2000).
5. E. Calderón, J. González y J.C. Chervin, Rev. Mex. Fís. 44 (1998) 232.
6. Majón, Y. Van der Vijver, A. Segura y V. Muñoz, Semicond. Sci. Technol. 15 (2000) 806.
7. J. Pellicer-Porres, A. Segura, V. Muñoz and J.C. Chervin, Semicond, Sci. Technol. 15 (2000) 902.
8. Eremets, M. Gauthier, A. Polian, J.C. Chervin y J.M. Besson, Phys. Rev. (B) 52 (1995) 8854.
9. B.A. Weinstein, R. Zallen, M.L. Slade y A. de Lozanne, Phys. Rev. (B) 24 (1981) 4652.