Superparamagnetism in Co-ion-implanted anatase TiO2 thin films and effects of postannealing

Applied Physics Letters

Volumn 83, Issue 22, 2003, Pages 4574-4576

  Kim, D H ^a   Yang, J S ^a   Kim, Y S ^a   Kim, D W ^a,e   Noh, T W ^a   Bu, S D ^b   Kim, Y W ^a   Park, Y D ^a   Pearton, S J ^c   Jo, Y ^d   Park, J G ^d  

^a Seoul National University   (South Korea)

^b Chonbuk National University   (South Korea)

^c University of Florida   (United States)

^d Sungkyunkwan University   (South Korea)

^e Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; COBALT; FERROMAGNETIC MATERIALS; HIGH TEMPERATURE EFFECTS; ION IMPLANTATION; MAGNETIC PROPERTIES; MAGNETIC THIN FILMS; MAGNETIZATION; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STRONTIUM COMPOUNDS; TITANIUM DIOXIDE; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

FERROMAGNETIC COBALT COMPOUND; POSTANNEALING; SATURATION MAGNETIZATION MOMENT;

SUPERPARAMAGNETISM;

EID: 0346216003     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1630841     Document Type: Article

References (13)

1. Y. Matsumoto, M. Murakami, T. Shono, T. Hasagawa, T. Fukumura, M. Kawasaki, P. Ahmet, T. Chikyow, S. Koshihara, and H. Koinuma, Science 291, 854 (2001).
2. S. A. Chambers, S. Thevuthasan, R. F. C. Farrow, R. F. Marks, J. U. Thiele, L. Folks, M. G. Samant, A. J. Kellock, N. Ruzycki, D. L. Ederer, and U. Diebold, Appl. Phys. Lett. 79, 3467 (2001).
3. S. A. Chambers, T. Droubay, C. M. Wang, A. S. Lea, R. F. C. Farrow, L. Folks, V. Deline, and S. Anders, Appl. Phys. Lett. 82, 1257 (2003).
4. S. R. Shinde, S. B. Ogale, S. D. Sarma, J. R. Simpson, H. D. Drew, S. E. Lofland, C. Lanci, J. P. Buban, N. D. Browning, V. N. Kulkarni, J. Higgins, R. P. Sharma, R. L. Greene, and T. Venkatesan, Phys. Rev. B 67, 115211 (2003).
5. A. Punnoose, M. S. Seehra, W. K. Park, and J. S. Moodera, J. Appl. Phys. 93, 7867 (2003).
6. D. H. Kim, J. S. Yang, K. S. Lee, S. D. Bu, T. W. Noh, S.-J. Oh, Y.-W. Kim, J.-S. Chung, H. Tanaka, H. Y. Lee, and T. Kawai, Appl. Phys. Lett. 81, 2421 (2002).
7. D. H. Kim, J. S. Yang, K. W. Lee, S. D. Bu, D.-W. Kim, T. W. Noh, S.-J. Oh, Y.-W. Kim, J.-S. Chung, H. Tanaka, H. Y. Lee, T. Kawai, J. Y. Won, S. H. Park, and J. C. Lee, J. Appl. Phys. 93, 6125 (2003).
8. J.-Y. Kim, J.-H. Park, B.-G. Park, H.-J. Noh, S.-J. Oh, J. S. Yang, D. H. Kim, S. D. Bu, T. W. Noh, H.-J. Lin, H.-H. Hsieh, and C. T. Chen, Phys. Rev. Lett. 90, 017401 (2003).
9. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, M. E. Overberg, G. T. Thaler, D. P. Norton, N. Theodoropoulou, A. F. Hebard, Y. D. Park, F. Ren, J. Kim, and L. A. Boatner, J. Appl. Phys. 93, 1 (2003).
10. C. Chen, M. Cai, X. Wang, S. Xu, M. Zhang, X. Ding, and Y. Sun, J. Appl. Phys. 87, 5636 (2000).
11. D.-W. Kim, D. H. Kim, B. S. Kang, T. W. Noh, D. R. Lee, and K.-B. Lee, Appl. Phys. Lett. 74, 2176 (1999).
12. F. C. Fonseca, G. F. Goya, R. F. Jardin, R. Muccillo, N. L. V. Carrẽno, E. Longo, and E. R. Leite, Phys. Rev. B 66, 104406 (2002).
13. J. P. Chen, C. M. Sorensen, K. J. Klabunde, and G. C. Hadjipanayis, Phys. Rev. B 51, 11527 (1995).