Low thermal budget surface preparation for selective epitaxy. A study on process robustness

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 146, Issue 4, 1999, Pages 1557-1564

  Celik, S Muhsin ^a   Öztürk, Mehmet C ^a  

^a North Carolina State University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARBON; HYDROGEN; NITROGEN; OXYGEN; PASSIVATION; SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY; SEMICONDUCTING SILICON; SURFACE ROUGHNESS; SURFACE TREATMENT;

DEIONIZED WATER; SELECTIVE EPITAXY; SURFACE PREPARATION;

EPITAXIAL GROWTH;

EID: 0345044927     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1391804     Document Type: Article

References (31)

1. K. Noda, T. Uchida, T. Tatsumi, T. Aoyama, K. Nakajima, H. Miyamoto, T. Hashimoto, and I. Sasaki, no. 94CH-3433-0, in Digest of Technical Papers of the Symposium on VLSI Technology, IEEE, p. 19, New York (1994).
2. S. Nagao, K. Higashitani, Y. Akasaka, and H. Nakata, IEEE Trans. Electron Devices, ED-33, 1738 (1986).
3. G. W. Neudeck, P. J. Schubert, J. L. Glenn, J. A. Friedrich, W. A. Klaasen, R. P. Zingg, and S. P. Denton, J. Electron. Mater., 19, 1111 (1990).
4. T. F. Meister, R. Stengl, H. W. Meul, R. Weyl, P. Packan, A. Felder, H. Klose, R. Schreiter, J. Popp, H. M. Rein, and L. Treitinger, Tech. Dig. Int. Electron. Devices Meet., p. 401 (1992).
5. J. Borland, R. Wise, Y. Oka, M. Gangani, S. Fong, and Y. Matsumoto, Solid State Technol., 31, 111 (1988).
6. G. R. Srinivasan, J. Cryst. Growth, 70, 201 (1984).
7. W. Kern, J. Electrochem. Soc., 137, 1887 (1990).
8. T. Y. Hsieh, K. H. Jung, D. L. Kwong, T. H. Koschmieder, and J. C. Thompson, J. Electrochem. Soc., 139, 1971 (1992).
9. B. S. Meyerson, F. J. Himpsel, and K. J. Uram, Appl. Phys. Lett., 57, 1034 (1990).
10. D. J. Eaglesham, J. Appl. Phys., 77, 3597 (1995).
11. S. R. Kasi, M. Liehr, P. A. Thiry, H. Dallaporta, and M. Offenberg, Appl. Phys. Lett., 59, 108 (1991).
12. J. Borland and C. Drowley, Solid State Technol., 28, 141 (1985).
13. Y. Yanase, H. Horie, Y. Oka, M. Sano, S. Sumita, and T. Shigematsu, J. Electrochem. Soc., 141, 3259 (1994).
14. V. J. Silvestri, K. Nummy, P. Ronsheim, R. Bendernagel, D. Kerr, V. T. Phan, J. O. Borland, and J. Hann, J. Electrochem. Soc., 137, 2323 (1990).
15. M. Racanelli, D. W. Greve, M. K. Hatalis, and L. J. van Yzendoorn, J. Electrochem. Soc., 138, 3783 (1991).
16. M. K. Sanganeria, M. C. Öztürk, K. E. Violette, G. Harris, A. Lee, and D. M. Maher, Appl. Phys. Lett., 66, 1255 (1995).
17. S. M. Celik and M. C. Öztürk, J. Electrochem. Soc., 145, 3602 (1998).
18. G. Ghidini and F. W. Smith, J. Electrochem. Soc., 131, 2924 (1984).
19. M. K. Sanganeria, M. C. Öztürk, G. Harris, K. E. Violette, I. Ban, A. Lee, and D. M. Maher, J. Electrochem. Soc., 142, 3961 (1995).
20. M. K. Sanganeria, K. E. Violette, and M. C. Öztürk, Appl. Phys. Lett., 63, 1225 (1993).
21. D. Graf, M. Grunder, and R. Schulz, J. Vac. Sci. Technol. A, 7, 808 (1989).
22. S. Nikzad, S. S. Wong, C. C. Ahn, A. L. Smith, and H. A. Atwater, Appl. Phys. Lett., 63, 1414 (1993).
23. M. Grundner and H. Jacob, Appl. Phys. A, 39, 73 (1986).
24. M. Niwano, T. Miura, Y. Kimura, R. Tajima, and N. Miyamoto, J. Appl. Phys., 79, 3708 (1996).
25. M. Morita, T. Ohmi, E. Hasegawa, M. Kawakami, and K. Suma, Appl. Phys. Lett., 55, 562 (1989).
26. K. E. Violette, M. K. Sanganeria, M. C. Öztürk, G. Harris, and D. M. Maher, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 519 (1993).
27. D. G. Schimmel, J. Electrochem. Soc., 126, 479 (1979).
28. M. J. Tejwani and P. A. Ronsheim, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 259, 467 (1992).
29. M. K. Sanganeria, M. C. Öztürk, G. Harris, K. E. Violette, I. Ban, A. Lee, and D. M. Maher, J. Electrochem. Soc., 142, 3970 (1995).
30. F. W. Smith and G. Ghidini, J. Electrochem. Soc., 129, 1300 (1982).
31. R. P. Roberge, A. W. Francis, S. M. Fisher, and S. C. Schmitz, Semicond. Int., 10, 77 (1987).