Defect-Related Luminescence of GaN:Zn Films Thermally Treated in a Radio-Frequency Ammonia Plasma

Semiconductors

Volumn 37, Issue 11, 2003, Pages 1252-1256

  Sukach, G A ^a   Kidalov, V V ^b   Vlasenko, A I ^a   Potapenko, E P ^a  

^a INSTITUTE OF SEMICONDUCTOR PHYSICS   (Ukraine)

^b BERDYANSK STATE PEDAGOGICAL UNIVERSITY   (Ukraine)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0344719173     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/1.1626202     Document Type: Article

References (28)

1. S. Nakamura, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys.31, L139 (1992).
2. J. C. Zolper, M. Hagerott, J. Grawtord, et al., Appl. Phys. Lett. 68, 200 (1996).
3. A. N. Georgobiani, A. N. Gruzintsev, U. A. Aminov, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 35, 149 (2001) [Semiconductors 35, 144 (2001)].
4. A. N. Georgobiani, A. N. Gruzintsev, U. A. Aminov, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 35, 149 (2001) [Semiconductors 35, 144 (2001)].
5. T. V. Butkhuzi, A. N. Georgobiani, E. Zade-Uly, et al., Tr. Fiz. Inst. im. P.N. Lebedeva, Akad. Nauk SSSR 182, 140 (1987).
6. G. A. Sukach, V. V. Kidalov, A. I. Vlasenko, et al., Optoélektron. Poluprovod. Tekh. 37, 91 (2002).
7. G. A. Sukach, N. I. Sypko, and V. M. Gladarevskiǐ, Optoélektron. Poluprovod. Tekh. 14, 58 (1988).
8. U. Kaiser, A. N. Gruzintsev, I. I. Khodos, and W. Richter, Neorg. Mater. 6, 458 (2000).
9. H. Amono, I. Akasaki, T. Kozawa, et al., J. Lumin.4, 121 (1988).
10. S. V. Svechnikov, P. F. Oleksenko, G. O. Sukach, et al., Ukr. Fiz. Zh. 43, 1290 (1998).
11. V. Yu. Nekrasov, L. V. Belyakov, O. M. Sreseli, and N. N. Zinov'ev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 33, 1428 (1999) [Semiconductors 33, 1284 (1999)].
12. V. Yu. Nekrasov, L. V. Belyakov, O. M. Sreseli, and N. N. Zinov'ev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 33, 1428 (1999) [Semiconductors 33, 1284 (1999)].
13. C. H. Hong, D. Pavidis, and S. W. Brown, J. Appl. Phys. 77, 1705 (1995).
14. G. Grimmeiss and B. Monemar, J. Appl. Phys. 41, 4054 (1970).
15. R. Dingle and M. Ilegems, Solid State Commun. 9, 175 (1971).
16. O. Langstrem and B. Monemar, J. Appl. Phys. 45, 2266 (1974).
17. M. Ilegems and R. Dingle, J. Appl. Phys. 44, 4234 (1973).
18. W. Gotz, N. M. Jonson, C. Chen, et al., Appl. Phys. Lett. 68, 2666 (1996).
19. S. Strite and H. Morkoc, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
20. S. Fischer, C. Wetzel, W. L. Hansen, and E. D. Bourret-Courchesns, Appl. Phys. Lett. 69, 2716 (1996).
21. P. G. Middleton, K. P. O'Donnell, C. Trager-Cowan, et al., Mater. Sci. Eng. B 59, 133 (1999).
22. K. P. O'Donnell, M. Umlauf, M. Kraushaar, et al., Mater. Sci. Eng. B 50, 264 (1997).
23. G. B. Ren, D. J. Devsnip, D. E. Lacklison, et al., Mater. Sci. Eng. B 43, 242 (1997).
24. T. F. Huang, A. Marshall, S. Spruytte, and J. S. Harris, Jr., J. Cryst. Growth 200, 362 (1999).
25. B. C. Chung and M. Gershenzon, J. Appl. Phys. 72, 651 (1992).
26. F. F. Grekov, D. M. Demidov, and A. M. Zykov, Zh. Prikl. Khim. (Leningrad) 52, 1394 (1979).
27. S. E. Aleksandrov, T. A. Gavrikova, and A. M. Zykov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 34, 297 (2000) [Semiconductors 34, 291 (2000)].
28. S. E. Aleksandrov, T. A. Gavrikova, and A. M. Zykov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 34, 297 (2000) [Semiconductors 34, 291 (2000)].