Interface characterization of semiconductor quantum nanostructures

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 36, Issue 6 SUPPL. B, 1997, Pages 4025-4030

  Ploog, Klaus H ^a  

^a PAUL DRUDE INSTITUT FÜR FESTKÖRPERELEKTRONIK   (Germany)

Author keywords

AlxGa1 xAs; Exciton localization; GaAs; Growth kinetics; InAs strained layer; Localized states; Micro photoluminescence; Molecular beam epitaxy (MBE); Monolayer fluctuation; Quantum well; Step edge decoration

Indexed keywords

EID: 0342362256     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.36.4025     Document Type: Article

References (28)

1. R. Hey, M. Wassermeier, J. Behrend, L. Däweritz, K. H. Ploog and H. Raidt: J. Cryst. Growth 154 (1995) 1.
2. For a recent critical assessment see U. Jahn, S. H. Kwok, M. Ramsteiner, R. Hey, H. T. Grahn and E. Runge: Phys. Rev. B 54 (1996) 2733.
3. J. Jahn, K. Fujiwara, J. Menniger and H. T. Grahn: J. Appl. Phys. 77 (1995) 1211.
4. G. Bastard, C. Delalande, M. H. Meynadier, P. M. Frijlink and M. Voos: Phys. Rev. B 29 (1984) 7042.
5. H. F. Hess, F. Betzig, T. D. Harris, L. N. Pfeiffer and K. W. West: Science 264 (1994) 1740.
6. A. Zrenner, L. V. Butov, M. Hagn, G. Abstreiter, G. Böhm and G. Weimann: Phys. Rev. Lett. 72 (1994) 1740.
7. R. Hey, I. Gorbunova, M. Ramsteiner, U. Jahn, K. Friedland, L. Däweritz and K. H. Ploog: J. Cryst. Growth 175 (1997) 378.
8. K. H. Ploog: J. Cryst. Growth 174 (1997) 173.
9. M. Ramsteiner, R. Hey, R. Klann, U. Jahn, I. Gorbunova and K. H. Ploog: Phys. Rev. B 55 (1997) 5239.
10. L. Goldstein, F. Glas, J. Y. Marzin, M. N. Charasse and G. LeRoux: Appl. Phys. Lett. 47 (1985) 1099.
11. O. Brandt, L. Tapfer, K. Ploog, R. Bierwolf, M. Hohenstein, F. Phillip, H. Lage and A. Heberle: Phys. Rev. B 44 (1991) 8043.
12. M. Ilg, M. I. Alonso, A. Lehmann, K. Ploog and M. Hohenstein: J. Appl. Phys. 74 (1993) 7188.
13. B. Jenichen, K. Ploog and O. Brandt: Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 156.
14. M. I. Alonso, M. Ilg, K. Ploog and A. Trampert: J. Appl. Phys. 78 (1995) 1980.
15. M. Ilg, K. H. Ploog and A. Trampert: Phys. Rev. B 50 (1994) 17111.
16. S. Guha, A. Madhukar and K. C. Rajkumar: Appl. Phys. Lett. 57 (1990) 2110.
17. D. Leonard, M. Krishnamurthy, C. M. Reaves, S. P. DenBaars and P. M. Petroff: Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 3203.
18. J. M. Moisson, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre and O. Vatel: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 196.
19. G. Wang, S. Fafard, D. Leonard, J. E. Bowers, J. L. Merz and P. M. Petroff: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 2815.
20. J. Y. Marzin, J. M. Gerard, A. Izrael, D. Barrier and G. Bastard: Phys. Rev. Lett. 73 (1994) 716.
21. Q. Xie, P. Chen, A. Kalburge, T. R. Ramachandran, A. Nayfonov, A. Konkar and A. Madhukar: J. Cryst. Growth 150 (1995) 357.
22. G. S. Solomon, J. A. Trezza and J. S. Harris: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 991.
23. O. Brandt, M. Ilg and K. H. Ploog: Microelectron. J. 26 (1995) 861.
24. C. Priester and M. Lannoo: Phys. Rev. Lett. 75 (1995) 93.
25. J.-L. Lazzari, R. Klann, A. Mazuelas, A. Trampert, M. Wassermeier, O. Brandt and K. H. Ploog: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 379 (1996) 199.
26. R. Klann, J. L. Lazzari, O. Brandt, A. Mazuelas, M. Wassermeier, A. Trampert, H. P. Schönherr and K. H. Ploog: to be published.
27. B. I. Halperin and M. I. Lax: Phys. Rev. 148 (1966) 722.
28. R. Zimmermann, E. Runge and F. Grosse: Proc. 23rd Int. Conf. Phys. Semicond. (ICPS-23), eds. M. Scheffler and R. Zimmermann (World Scientific, Singapore, 1996) p. 1935.