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Volumn 79, Issue , 1999, Pages 318-321

A Simplified High-Speed Bipolar Process with Ti Salicide Metallization: Implementation of in situ p-doped polysilicon emitter

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EID: 0342357998     PISSN: 02811847     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Article
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    • Hashimoto, T. et al., IEEE BCTM 11.3, 181 (1996).
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.