Ultrafast carrier trapping and recombination in highly resistive ion implanted InP

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 2, 2003, Pages 1074-1078

  Carmody, C ^a   Tan, H H ^a   Jagadish, C ^a   Gaarder, A ^b   Marcinkevicius S ^b  

^a AUSTRALIAN NATIONAL UNIVERSITY   (Australia)

^b ROYAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Sweden)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CARRIER MOBILITY; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ION IMPLANTATION; PHOTOLUMINESCENCE;

CARRIER TRAPPING;

SEMICONDUCTING INDIUM PHOSPHIDE;

EID: 0043269759     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1576516     Document Type: Article

References (21)

1. F. W. Smith, A. R. Calawa, C.-L. Chen, M. J. Manfra, and L. J. Mahoney, IEEE Electron Device Lett. 9, 77 (1988).
2. F. W. Smith, H. Q. Le, V. Diadiuk, M. A. Hollis, A. R. Calawa, S. Gupta, M. Frankel, D. R. Dykaar, G. A. Mourou, and T. Y. Hsiang, Appl. Phys. Lett. 54, 890 (1989).
3. S. Gupta, J. F. Whitaker, and G. A. Mourou, IEEE J. Quantum Electron. 28, 2464 (1992).
4. A. Krotkus, S. Marcinkevičius, J. Jasinski, M. Kaminska, H. H. Tan, and C. Jagadish, Appl. Phys. Lett. 66, 3304 (1995); H. H. Tan, C. Jagadish, K. P. Korona, J. Jasinski, M. Kaminska, R. Viselga, S. Marcinkevičius, and A, Krotkus, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2, 636 (1996).
5. A. Krotkus, S. Marcinkevičius, J. Jasinski, M. Kaminska, H. H. Tan, and C. Jagadish, Appl. Phys. Lett. 66, 3304 (1995); H. H. Tan, C. Jagadish, K. P. Korona, J. Jasinski, M. Kaminska, R. Viselga, S. Marcinkevičius, and A, Krotkus, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2, 636 (1996).
6. B. W. Liang, P. Z. Lee, D. W. Shih, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 60, 2104 (1992).
7. W. M. Chen, P. Dreszer, A. Prasad, A. Kurpiewski, W. Walukiewicz, E. R. Weber, E. Sörman, B. Monemar, B. W. Liang, and C. W. Tu, J. Appl. Phys. 76, 600 (1994).
8. C. Carmody, H. Boudinov, H. H. Tan, C. Jagadish, M. J. Lederer, V. Kolev, B. Luther-Davies, L. V. Dao, and M. Gal, J. Appl. Phys. 92, 2420 (2002).
9. D. Söderström, S. Marcinkevičius, S. Karlsson, and S. Lourdudoss, Appl. Phys. Lett. 70, 3374 (1997).
10. A. Gasparotto, A. Carnera, C. Frigeri, F. Priolo, B. Fraboni, A. Camporese, and G. Rosetto, J. Appl. Phys. 85, 753 (1999).
11. E. Wendler, T. Opfermann, and P. I. Gaiduk, J. Appl. Phys. 82, 5965 (1997).
12. S. Marcinkevičius. C. Jagadish, H. H. Tan, M. Kaminska, K. Korona, R. Adomavičius, and A. Krotkus, Appl. Phys. Lett. 76, 1306 (2000).
13. B. W. Liang, P. Z. Lee, D. W. Shih, and C. W. Tu, J. Appl. Phys. 76, 600 (1994).
14. A. Kadoun, G. Marrakchi, A. Kalboussi, D. Barbier, and G. Guillot, Mater. Sci. Eng., B 33, 188 (1995).
15. U. G. Akano, I. V. Mitchel, and F. R. Shepherd, Appl. Phys. Lett. 59, 2570 (1991).
16. J. A. Van Vechten and J. F. Wager, Phys. Rev. B 32, 5259 (1985).
17. M. Alatalo, R. M. Nieminen, M. J. Puska, A. P. Seitsonen, and R. Virkkunen, Phys. Rev. B 47, 6381 (1993).
18. K. Kuriyama, K. Tomizawa, M. Kashiwakura, and K. Yokoyama, J. Appl. Phys. 76, 3552 (1994).
19. A. Sibille, Appl. Phys. Lett. 48, 593 (1986).
20. T. Bretagnon, G. Bastide, and M. Rouzeyre, Phys. Rev. B 41, 1028 (1990).
21. S. K. Si, S. J. Kim, Y. Moon, and E. Yoon, J. Appl. Phys. 83, 2366 (1998).