Mid-infrared intersubband electroluminescence from a single-period GaAs/AlGaAs triple barrier structure

Applied Physics Letters

Volumn 72, Issue 17, 1998, Pages 2141-2143

  Li, Y B ^a   Cockburn, J W ^a   Skolnick, M S ^a   Duck, J P ^a   Birkett, M J ^a   Larkin, I A ^a   Grey, R ^a   Hill, G ^a   Hopkinson, M ^a  

^a UNIVERSITY OF SHEFFIELD   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0042050505     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.121302     Document Type: Article

References (22)

1. J. Faist, F. Capasso, D. L. Sivco, C. Sirtori, A. L. Hutchinson, and A. Y. Cho, Science 264, 553 (1994).
2. J. Faist, F. Capasso, C. Sirtori, D. L. Sivco, A. L. Hutchinson, S. N. G. Chu, and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 64, 1144 (1994).
3. C. Sirtori, F. Capasso, J. Faist, D. L. Sivco, A. L. Hutchinson, and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 66, 4 (1995).
4. C. Sirtori, J. Faist, F. Capasso, D. L. Sivco, A. L. Hutchinson, and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 69, 2810 (1996).
5. S. Sauvage, Z. Moussa, P. Boucaud, F. H. Julien, V. Berger, and J. Nagle, Appl. Phys. Lett. 70, 1345 (1997).
6. Y. B. Li, J. W. Cockburn, M. S. Skolnick, J. P. Duck, M. J. Birkett, R. Grey, and G. Hill, Electron. Lett. 33, 22 (1997).
7. G. Strasser, P. Kruck, M. Helm, J. N. Heyman, L. Hvozdara, and E. Gornik, Appl. Phys. Lett. 71, 2892 (1997).
8. Y. Lavon, A. Sa'ar, Z. Moussa, F. H. Julien, and R. Planel, Appl. Phys. Lett. 67, 1984 (1995).
9. J. W. Cockburn, M. S. Skolnick, D. M. Whittaker, P. D. Buckle, A. R. K. Willcox, and G. W. Smith, Appl. Phys. Lett. 64, 2400 (1994).
10. I. A. Larkin and Y. N. Khanin, Semiconductors 27, 990 (1993).
11. S. A. Gurvitz, I. Bar-Joseph, and B. Deveaud, Phys. Rev. B 43, 14703 (1991).
12. R. Ferreira and G. Bastard, Phys. Rev. B 40, 1074 (1989).
13. M. G. W. Alexander, M. Nido, W. W. Rühle, and K. Köhler, Phys. Rev. B 41, 12295 (1990).
14. Y. B. Li, J. W. Cockburn, J. P. Duck, M. J. Birkett, M. S. Skolnick, I. A. Larkin, M. Hopkinson, R. Grey, and G. Hill, Phys. Rev. B 57, 6290 (1998).
15. A. Kastalsky, V. J. Goldman, and J. H. Abeles, Appl. Phys. Lett. 59, 2636 (1991).
16. H. J. Hovel, Semiconductor and Semimetals (Academic, New York, 1975), Vol. 11, Chap. 3.
17. M. Zalúzny, Phys. Rev. B 49, 2923 (1994).
18. M. Zalúzny, Phys. Rev. B 43, 4511 (1991).
19. Y. B. Li, R. A. Stradling, L. Artús, S. J. Webb, R. Cuscó, S. J. Chung, and A. G. Norman, Semicond. Sci. Technol. 11, 1137 (1996).
20. M. S. Skolnick, D. G. Hayes, P. E. Simmonds, A. W. Higgs, G. W. Smith, H. J. Hutchinson, C. R. Whitehouse, L. Eaves, M. Henini, O. H. Hughes, M. L. Leadbeater, and D. P. Halliday, Phys. Rev. B 41, 10754 (1990).
21. M. O. Manasreh, F. Szmulowicz, T. Vaughan, K. R. Evans, C. E. Stutz, and D. W. Fischer, Phys. Rev. B 43, 9996 (1991).
22. B. Gelmont, V. Gorfinkel, and S. Luryi, Appl. Phys. Lett. 68, 2171 (1996).