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Volumn 6, Issue 2-4, 1997, Pages 333-338

High temperature polycrystalline diamond metal-insulator-semiconductor field-effect-transistor

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Device; Diamond; Electrical properties; Ion implantation

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EID: 0040055345     PISSN: 09259635     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/s0925-9635(96)00756-x     Document Type: Article
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References (22)
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.