Potential sputtering of protons from hydrogen- and H2O-terminated Si(1 0 0) surfaces with slow highly charged ions

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

Volumn 203, Issue , 2003, Pages 183-191

  Kuroki, K ^a,b   Komaki, K ^a   Yamazaki, Y ^a,c  

^a UNIVERSITY OF TOKYO   (Japan)

^b NATIONAL RESEARCH INSTITUTE OF POLICE SCIENCE   (Japan)

^c RIKEN   (Japan)

Author keywords

H terminated Si surface; H2O saturated Si surface; Highly charged ions; Potential sputtering

Indexed keywords

CHEMICAL BONDS; ELECTRONS; HYDROGEN; IONS; SILICON; SPUTTERING;

POTENTIAL SPUTTERING;

PROTONS;

EID: 0037387558     PISSN: 0168583X     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0168-583X(02)02215-2     Document Type: Conference Paper

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