THz lasing due to resonant acceptor states in strained p-Ge and SiGe quantum-well structures

Physica Status Solidi (B) Basic Research

Volumn 235, Issue 2, 2003, Pages 293-296

  Kagan, M S ^a   Altukhov, I V ^a   Chirkova, E G ^a   Sinis, V P ^a   Troeger, R T ^b   Ray, S K ^b   Kolodzey, J ^b  

^a INSTITUTE OF RADIO ENGINEERING AND ELECTRONICS   (Russian Federation)

^b UNIVERSITY OF DELAWARE   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0037327470     PISSN: 03701972     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssb.200301571     Document Type: Conference Paper

References (11)

1. G. Dehlinger, L. Diehl, U. Gennser, H. Sigg, J. Faist, K. Ensslin, D. Grützmacher, and E. Müller, Science 290, 2277 (2000).
2. I. V. Altukhov, M. S. Kagan, K. A. Korolev, and V. P. Sinis, JETP Lett. 59, 476 (1994).
3. I. V. Altukhov, E. G. Chirkova, M. S. Kagan, K. A. Korolev, V. P. Sinis, and I. N. Yassievich, phys. stat. sol. (b) 198, 35 (1996).
4. I. V. Almkhov, M. S. Kagan, K. A. Korolev, V. P. Sinis, E. G. Chirkova, M. A. Odnoblyudov, and I. N. Yassievich, JETP 88, 51 (1999).
5. M. A. Odnoblyudov, V. M. Chistyakov, I. N. Yassievich, and M. S. Kagan, phys. stat. sol. (b) 210, 873 (1998).
6. M. A. Odnoblyudov, I. N. Yassievich, M. S. Kagan, Yu. M. Galperin, and K. A. Chao, Phys. Rev. Lett. 83, 644 (1999).
7. M. A. Odnoblyudov, I. N. Yassievich, M. S. Kagan, and K. A. Chao, Phys. Rev. B 62, 15291 (2000).
8. Y. P. Gousev, I. V. Altukhov, K. A. Korolev, V. P. Sinis, M. S. Kagan, E. E. Haller, M. A. Odnoblyndov, I. N. Yassievich, and K. A. Chao, Appl. Phys. Lett. 75, 757 (1999).
9. R. Zobl, E. Gornik, I. V. Altukhov, V. P. Sinis, and M. S. Kagan, Mater. Res. Forum 384/385, 189 (2002).
10. I. V. Altukhov, E. G. Chirkova, V. P. Sinis, M. S. Kagan, Yu. P. Gousev, S. G. Thomas, K. L. Wang, M. A. Odnoblyudov, and I. N. Yassievich, Appl. Phys. Lett. 79, 3909 (2001).
11. A. Blom, M. A. Odnoblyudov, H. H. Cheng, I. N. Yassievich, and K. A. Chao, Appl. Phys. Lett. 79, 713 (2001).