Characterization of 4H-SiC homoepitaxial films on porous 4H-SiC from bis(trimethylsilyl)methane precursor

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 150, Issue 2, 2003, Pages

  Jeong, Jae Kyeong ^a   Kim, Hyeong Joon ^a  

^a Seoul National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; DISLOCATIONS (CRYSTALS); FILM GROWTH; MORPHOLOGY; OPTICAL MICROSCOPY; SILICON CARBIDE; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

HOMOEPITAXIAL FILMS;

THIN FILMS;

EID: 0037326996     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1532329     Document Type: Article

References (20)

1. R. J. Trew, J. B. Yan, and P. M. Mock, Proc. IEEE, 79, 598 (1991).
2. B. J. Baliga, Proc. IEEE, 82, 1112 (1994).
3. Y. J. Mil, T. L. Lin, Y. C. Kao, B. J. Wu, K. L. Wang, C. W. Nieh, D. N. Jamieson, and J. K. Liu, J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 696 (1988).
4. T. L. Lin, L. Sadwick, K. L. Wang, Y. C. Kao, R. Hull, C. W. Nieh, D. N. Jamieson, and J. K. Liu, Appl. Phys. Lett., 51, 814 (1887).
5. Y. C. Kao, K. L. Wang, B. J. Wu, T. L. Lin, C. W. Nieh, D. Jamieson, and G. Bai, Appl. Phys. Lett., 51, 1809 (1987).
6. T. W. Kang, S. H. Park, and T. W. Kim, J. Mater. Res., 15, 2602 (2000).
7. S. E. Saddow, M. Mynbaeva, W. J. Choyke, R. P. Devaty, S. Bai, G. Melnychuk, Y. Koshka, V. Dmitriev, and C. E. C. Wood, Mater. Sci. Forum, 353-356, 115 (2001).
8. M. Mynbaeva, S. E. Saddow, G. Melnychuk, I. Nikitina, M. Scheglov, A. Simikova, N. Kuznetsov, K. Mynbaev, and V. Dmitriev, Appl. Phys. Lett., 78, 117 (2001).
9. J. E. Spanier, G. T. Dunne, L. B. Rowland, and I. P. Herman, Appl. Phys. Lett., 76, 3879 (2000).
10. TDI, Inc., www.tdii.com, Gaithersburg, MD.
11. V. J. Jennings, A. Sommer, and H. C. Chang, J. Electrochem. Soc., 113, 728 (1966).
12. T. Kimoto, H. Nishino, W. S. Yoo, and H. Matsunami, J. Appl. Phys., 73, 726 (1993).
13. H. S. Kong, B. L. Jiang, J. T. Glass, G. A. Rozgonyi, and K. L. More, J. Appl. Phys., 63, 2645 (1988).
14. M. J. Hordon and B. L. Averbach, Acta Metall., 9, 237 (1961).
15. B. E. Warren, X-Ray Diffraction, Chap 14, Addison-Wesley, Reading, MA (1969).
16. M. Ikeda, H. Matsunami, and T. Tanaka, Phys. Rev. B, 22, 2842 (1980).
17. I. G. Ivanov, C. Hallin, A. Henry, O. Kordina, and E. Janzen, J. Appl. Phys., 80, 3504 (1996).
18. J. A. Powell, D. J. Larkin, L. G. Matus, W. J. Choyke, J. L. Bradshaw, L. Henderson, M. Yoganathan, J. Yang, and P. Pirouz, Appl. Phys. Lett., 56, 1442 (1990).
19. A. Itoh, H. Akita, T. Kimoto, and H. Matsunami, Appl. Phys. Lett., 65, 1400 (1944).
20. J. K. Jeong, H. J. Na, B. S. Kim, M. Y. Um, and H. J. Kim, Thin Solid Films, 377-378, 567 (2000).