Model-dielectric-function analysis of ion-implanted Si(100) wafers

Journal of Applied Physics

Volumn 93, Issue 1, 2003, Pages 115-120

  Adachi, Sadao ^a   Mori, Hirofumi ^a   Takahashi, Mitsutoshi ^b  

^a GUNMA UNIVERSITY   (Japan)

^b NTT CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; ELLIPSOMETRY; ION IMPLANTATION; PHASE TRANSITIONS; POSITIVE IONS;

OPTICAL CONSTANTS;

SILICON WAFERS;

EID: 0037246658     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1527215     Document Type: Article

References (39)

1. J. M. Poate and J. S. Williams, in Ion Implantation and Beam Processing, edited by J. S. Williams and J. M. Poate (Academic, New York, 1984), p. 13.
2. See, for instance, S. U. Campisano, S. Coffa, V. Raineri, F. Priolo, and E. Rimini, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 80/81, 514 (1993).
3. F. F. Morehead, Jr. and B. L. Crowder, Radiat. Eff. 6, 27 (1970).
4. M. L. Swanson, J. R. Parsons, and C. W. Hoelke, Radiat. Eft. 9, 249 (1971).
5. O. W. Holland, S. J. Pennycook, and G. L. Albert, Appl. Phys. Lett. 55, 2503 (1989).
6. R. M. A. Azzam and N. M. Bashara, Ellipsometry and Polarized Light (North-Holland, Amsterdam, 1977).
7. H. G. Tompkins, A User's Guide to Ellipsometry (Academic, Boston, 1993).
8. H. G. Tompkins and W. A. McGahan, Spectroscopic Ellipsometry and Reflectometry (Wiley-Interscience, New York, 1999).
9. M. Fried, T. Lohner, J. M. M. de Nijs, A. van Silfhout, L. J. Hanekamp, Z. Laczik, N. Q. Khanh, and J. Gyulai, J. Appl. Phys. 66, 5052 (1989).
10. X.-F. He, R.-R. Jiang, R.-X. Chen, and D. Mo, J. Appl. Phys. 66, 5261 (1989).
11. N. V. Nguyen, K. Vedam, and J. Narayan, J. Appl. Phys. 67, 599 (1990).
12. N. V. Nguyen and K. Vedam, J. Appl. Phys. 67, 3555 (1990).
13. P. J. McMarr, B. J. Mrstik, M. S. Barger, G. Bowden, and J. R. Blanco, J. Appl. Phys. 67, 7211 (1990).
14. T. M. Burns, S. Chongsawangvirod, J. W. Andrews, E. A. Irene, G. McGuire, and S. Chevacharoeukul, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 41 (1991).
15. J. C. Jans, R. W. J. Hollering, and H. Lifka, J. Appl. Phys. 70, 6643 (1991).
16. M. Fried, T. Lohner, W. A. M. Aarnink, L. J. Hanekamp, and A. van Silfhout, J. Appl. Phys. 71, 2835 (1992).
17. M. Fried, T. Lohner, W. A. M. Aarnink, L. J. Hanekamp, and A. van Silfhout, J. Appl. Phys. 71, 5260 (1992).
18. S. Adachi, T. Matsumura, and T. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 1931 (1994).
19. S. Holgado, J. Martinez, J. Garrido, and J. Piqueras, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 60, 325 (1995).
20. W. Fukarek and J. R. Kaschny, J. Appl. Phys. 86, 4160 (1999).
21. H. Mori, S. Adachi, and M. Takahashi, J. Appl. Phys. 90, 80 (2001).
22. P. K. Girl, S. Tripurasundazi, G. Raghavan, B. K. Panigrahi, P. Magudapathy, K. G. M. Nair, and A. K. Tyagi, J. Appl. Phys. 90, 659 (2001).
23. K. Tsunoda, S. Adachi, and M. Takahashi, J. Appl. Phys. 91, 2936 (2002).
24. M. Erman, J. B. Theeten, P. Chambon, S. M. Kelso, and D. E. Aspnes, J. Appl. Phys. 56, 2664 (1984).
25. S. Adachi, H. Mori, and S. Ozaki, Phys. Rev. B. 66, 153201 (2002).
26. S. Adachi, Optical Properties of Crystalline and Amorphous Semiconductors: Materials and Fundamental Principles (Kluwer Academic, Boston, 1999).
27. D. Courboin, A. Grouillet, and E. Andre, Surf. Sci. 342, L1111 (1995).
28. D. E. Aspnes and A. A. Studna, Phys. Rev. B 27, 985 (1983).
29. S. Adachi, Phys. Rev. B 38, 12 966 (1988).
30. T. Suzuki and S. Adachi, Jpn. J. Appl. Phys. 32, 4900 (1993).
31. L. Viña and M. Cardona, Phys. Rev. B 29, 6739 (1984).
32. P. Lautenschlager, M. Garriga, L. Viña, and M. Cardona, Phys. Rev. B 36, 4821 (1987).
33. S. Adachi, Phys. Rev. B 43, 12 316 (1991).
34. L. Ley, S. Kowalczyk, R. Pollak, and D. A. Shirley, Phys. Rev. Lett. 29, 1088 (1972).
35. M. F. Thorpe and D. Weaire, Phys. Rev. Lett. 27, 1581 (1971).
36. J. D. Joannopoulos and M. L. Cohen, Phys. Rev. B 7, 2644 (1973).
37. J. D. Joannopoulos and M. L. Cohen, Phys. Rev. B 8, 2733 (1973).
38. H. R. Philipp and H. Ehrenreich, Phys. Rev. 129, 1550 (1963).
39. J. F. ziegler, J. Appl. Phys. 85, 1249 (1999).