Crystalline to amorphous transition and band structure evolution in ion-damaged silicon studied by spectroscopic ellipsometry

Journal of Applied Physics

Volumn 90, Issue 2, 2001, Pages 659-669

  Giri, P K ^a   Tripurasundari, S ^a   Raghavan, G ^a   Panigrahi, B K ^a   Magudapathy, P ^a   Nair, K G M ^a   Tyagi, A K ^a  

^a INDIRA GANDHI CENTRE FOR ATOMIC RESEARCH   (India)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035878974     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1379055     Document Type: Article

References (53)

1. O. W. Holland and S. J. Pennycook, Appl. Phys. Lett. 55, 2503 (1989).
2. G. A. Bai and M.-A. Nicolet, J. Appl. Phys. 70, 649 (1991).
3. S. U. Campisano, S. Coffa, V. Raineri, F. Priolo, and E. Rimini, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 80/81, 514 (1993).
4. T. Diaz de la Rubia and G. H. Gilmer, Phys. Rev. Lett. 74, 2507 (1995).
5. T. Motooka, S. Hurada, and M. Ishimaru, Phys. Rev. Lett. 78, 2080 (1997).
6. J. A. Davies, J. Denhartog, L. Eriksson, and J. W. Mayer, Can. J. Phys. 45, 4053 (1967).
7. J. Narayan, D. Fathy, O. S. Oen, and O. W. Holland, J. Vac. Sci. Technol. A 2, 1303 (1984).
8. K. Laaziri, S. Kycia, S. Roorda, M. Chicoine, J. L. Robertson, J. Wang, and S. C. Moss, Phys. Rev. B 60, 13 520 (1999).
9. T. Motooka and O. W. Holland, Appl. Phys. Lett. 58, 2360 (1991).
10. A. Borghesi, A. Piaggi, A. Stella, G. Guizzetti, D. Bisero, and G. Queirolo, J. Appl. Phys. 67, 7045 (1990).
11. N. V. Nguyen, K. Vedam, and J. Narayan, J. Appl. Phys. 67, 599 (1990); S. Boultadakis, S. Logothetidis, and S. Ves, ibid. 72, 3648 (1992).
12. N. V. Nguyen, K. Vedam, and J. Narayan, J. Appl. Phys. 67, 599 (1990); S. Boultadakis, S. Logothetidis, and S. Ves, ibid. 72, 3648 (1992).
13. J. T. Lue and S. Y. Shaw, J. Appl. Phys. 53, 5617 (1982).
14. M. O. Ruault, J. Chaumont, and H. Bernas, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. 209/210, 351 (1983).
15. L. J. Lewis and R. M. Nieminen, Phys. Rev. B 54, 1459 (1996).
16. J. S. Custer, M. O. Thompson, D. C. Jacobson, J. M. Poate, S. Roorda, W. C. Sinke, and F. Spaepen, Appl. Phys. Lett. 64, 437 (1994).
17. K. Laaziri, S. Kycia, S. Roorda, M. Chicoine, J. L. Robertson, J. Wang, and S. C. Moss, Phys. Rev. Lett. 82, 3460 (1999).
18. S. C. Moss and J. F. Graczy, Phys. Rev. Lett. 23, 1167 (1969).
19. R. Car and M. Parrinello, Phys. Rev. Lett. 60, 204 (1988).
20. J. M. Gibson, J.-Y. Cheng, P. Voyles, M. M. J. Treacy, and D. C. Jacobson, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 540, 27 (1999).
21. J. M. Gibson and M. M. J. Treacy, Phys. Rev. Lett. 78, 1074 (1997).
22. D. L. Wiliamson, S. Roorda, M. Chicoine, R. Tabti, P. A. Stolk, S. Acco, and F. W. Saris, Appl. Phys. Lett. 67, 226 (1995).
23. L. Sealy, R. C. Barklie, K. J. Reeson, W. L. Brown, and D. C. Jacobson, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 62, 384 (1992).
24. D. E. Aspnes, in Handbook of Optical Constant of Solid, edited by E. B. Palik (Academic, New York, 1985).
25. G. E. Jellison, Opt. Mater. 1, 41 (1992).
26. V. Grasso, G. Mondio, G. Saitta, S. U. Campisano, G. Foti, and E. Rimini, Appl. Phys. Lett. 33, 632 (1978).
27. M. Fried, T. Lohner, W. A. M. Aarnink, L. J. Hanekamp, and A. Van Silfout, J. Appl. Phys. 71, 2835 (1992).
28. W. Fukarek and J. R. Kaschny, J. Appl. Phys. 86, 4160 (1999).
29. M. Fried, T. Lohner, W. A. M. Aarnink, L. J. Hanekamp, and A. Van Silfhout, J. Appl. Phys. 71, 5260 (1992).
30. D. E. Aspnes and A. A. Studana, Phys. Rev. B 27, 985 (1983).
31. L. Ley, in The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II, edited by J. D. Joannopolos and G. Lucovsky (Springer, Berlin, 1984), p. 61.
32. D. R. Penn, Phys. Rev. 128, 2093 (1962).
33. J. C. Phillips and J. A. Van Vechten, Phys. Rev. Lett. 22, 705 (1969).
34. S. H. Weinple and M. DiDomenico, Jr., Phys. Rev. Lett. 23, 1156 (1969).
35. M. Erman, J. B. Theeten, P. Chambon, S. M. Kelso, and D. E. Aspnes, J. Appl. Phys. 56, 2664 (1984).
36. T. Lohner, N. Q. Khanh, P. Petrik, M. Fried, E. Kotai, and J. Gyulai, Mater. Sci. Forum 248-249, 229 (1997).
37. T. Lohner, M. Fried, N. Q. Khanh, P. Petric, H. Wormester, and M. A. El-Sherbiny, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 147, 90 (1999).
38. D. T. Pierce and W. E. Spicer, Phys. Rev. B 5, 3017 (1972).
39. S. Lee, S. Y. Kim, and S. Oh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 5929 (1996).
40. S. Adachi, T. Matsumura, and T. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 1931 (1994).
41. J. F. Ziegler, J. P. Biersack, and U. Littmark, The Stopping of Ion Range in Solids (Pergamon, New York, 1985).
42. X. F. He, R. R. Jiang, R. X. Chen, and D. Mo, J. Appl. Phys. 66, 5261 (1989).
43. M. Geddo, D. Maghini, and A. Stella, Solid State Commun. 58, 483 (1986).
44. A. Claveri, C. Vieu, J. Faure, and J. Beauvillain, J. Appl. Phys. 64, 4415 (1988).
45. D. E. Aspnes, S. M. Kelso, C. G. Olson, and D. Y. Lynch, Phys. Rev. Lett. 48, 1863 (1982).
46. S. Roorda, S. Doom, W. C. Sinke, P. M. L. O. Scholte, and E. Van Loenen, Phys. Rev. Lett. 62, 1880 (1989).
47. S. Logothetidis and G. Kiriakidis, J. Appl. Phys. 64, 2389 (1988).
48. P. X. Zhang, I. V. Michell, B. Y. Tong, P. J. Schultz, and D. J. Lockwood, Phys. Rev. B 50, 17 080 (1994).
49. J. D. Joannopoulos and M. L. Cohen, Solid State Phys. 31, 71 (1976).
50. G. A. N. Connel, in Amorphous Silicon, edited by M. H. Broadsky (Springer, Berlin, 1979).
51. N. C. Cooper, C. M. Goringe, and D. R. McKenzie, Comput. Mater. Sci. 17, 1 (2000).
52. M. L. Cohen and J. R. Chelikowsky, Electronic Structure and Optical Properties of Semiconductors (Springer, Berlin, 1988).
53. G. F. Feng and R. Zallen, Phys. Rev. B 40, 1064 (1989).