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Volumn 65, Issue 23, 2002, Pages 2353251-2353255

Reduced temperature dependence of the band gap in GaAs1-yNy investigated with photoluminescence

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GALLIUM ARSENIDE; NITROGEN DERIVATIVE;

EID: 0037096543     PISSN: 01631829     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.65.235325     Document Type: Article
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.