A general synthetic route to III-V compound semiconductor nanowires

Advanced Materials

Volumn 13, Issue 8, 2001, Pages 591-594

  Shi, Wensheng ^a   Zheng, Yufeng F ^a   Wang, Ning ^a,b   Lee, Chun Sing ^a   Lee, Shuit Tong ^a  

^a CITY UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

^b HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTALLOGRAPHY; ELECTRON DIFFRACTION; ENERGY DISPERSIVE SPECTROSCOPY; GROWTH (MATERIALS); LASER ABLATION; MATHEMATICAL MODELS; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SYNTHESIS (CHEMICAL); TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

GALLIUM OXIDE; METAL CATALYSTS; SEMICONDUCTOR NANOWIRES;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 0035906158     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/1521-4095(200104)13:8<591::aid-adma591>3.0.co;2-%23     Document Type: Article

References (26)

1. a) K. Hiruma, M. Yazawa, T. Katsuyama, K. Ogawa, K. Haraguchi, M. Koguchi, H. Kakibayashi, J. April. Phys. 1995, 77, 447.
2. b) M. Grayson, D. C. Tsui, M. Shayegan, K. Hirakawa, R. A. Ghanbari, H. I. Smith, Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 1564.
3. a) T. J. Trentler, K. M. Hickman, S. C. Goel, A. M. Viano, P. C. Gibbons, W. E. Buhro, Science 1995, 270, 1791.
4. b) C.C. Chen, C.C. Yeh, Adv. Mater. 2000, 12, 738.
5. c) T. Shimada, K. Hiruma, M. Shirai, M. Yazawa, K. Haraguchi, T. Sato, M. Matsui, T. Katsuyama, Superlattices Microstruct. 1998, 24, 453.
6. d) W. C. Ellis, C. J. Frosch, R. B. Zetterstrom, J. Cryst. Growth 1968, 2, 61.
7. e) Y. Wu, P. Yang, Chem. Mater. 2000, 12, 605.
8. a) A. M. Morales, C. M. Lieber, Science 1998, 279, 208.
9. b) X. Duan, J. Wang, C. M. Lieber, Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 1116.
10. c) X. Duan, C. M. Lieber, J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 188.
11. d) X. Duan, C. M. Lieber, Adv. Mater. 2000, 12, 298.
12. a) W. Han, S. Fan, O. Li, Y. Hu, Science 1997, 277, 1287.
13. b) A. D. Berry, R. J. Tonucci, M. Fatemi, Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 2846.
14. c) G. S. Cheng, S. H. Chen, X. G. Zhu, Y. Q. Mao, L. D. Zhang, Mater. Sci. Eng. A 2000, 286, 165.
15. a) S. T. Lee, Y. F. Zhang, N. Wang, Y. H. Tang, I. Bello, C. S. Lee, Y. W. Chung, J. Mater. Res. 1999, 14, 4503
16. b) S. T. Lee, N. Wang, Y. F. Zhang, Y. H. Tang, MRS Bull. 1999, 24 (August), 36.
17. Y. F. Zhang, Y. H. Tang, N. Wang, C. S. Lee, I. Bello, S. T. Lee, Phys. Rev. B 2000, 61, 4518.
18. a) N. Wang, Y. H. Tang, Y. F. Zhang, C. S. Lee, S. T. Lee, Phys. Rev. B 19998, 58, R16024.
19. b) N. Wang, Y. H. Tang, Y. F. Zhang, C. S. Lee, S. T. Lee, Chem. Phys. Lett. 1999, 299, 237.
20. R. K. Willardson, H. L. Goering, Compound Semiconductors, Reinhold, New York 1962.
21. C. D. Thurmond, G. P. Schwartz, G. W. Kammlott, B. Schwartz, J. Electrochem. Soc 1980, 127, 1366.
22. a) E. Schonherr, J. Cryst. Growth 1971, 9, 346.
23. b) J. Kasahara, K. Kajiwara, T. Yamada, J. Cryst. Growth 1977, 38, 23.
24. c) M. Gershenzon, R. M. Mikulyak, J. Electrochem. Soc. 1961, 108, 548.
25. H. Y. Peng, X. T. Zhou, N. Wang, Y. F. Zheng, L. S. Liao, W. S. Shi, C. S. Lee, S. T. Lee, Chem. Phys. Lett. 2000, 327, 263.
26. Z. G. Bai, D. P. Yu, H. Z. Zhang, Y. Ding, Y. P. Wang, X. Z. Gai, Q. L. Hang, G. C. Xiong, S. O. Feng, Chem. Phys. Lett. 1999, 303, 311.