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Volumn 36, Issue 1, 2000, Pages 42-48

Defect luminescence in heavily Si-doped n- and p-type GaAs

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EID: 0034344984     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.