Amphoteric native defect reactions in Si-doped GaAs

Journal of Applied Physics

Volumn 83, Issue 2, 1998, Pages 718-724

  Ky, Nguyen Hong ^a   Reinhart, F K ^a  

^a EPFL   (Switzerland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000185541     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.366743     Document Type: Article

References (37)

1. J. C. Bourgoin, H. I. von Bardeleben, and D. Stievenard, J. Appl. Phys. 64, R65 (1988).
2. G. A. Baraff and M. Schlüter, Phys. Rev. Lett. 55, 1327 (1915).
3. G. A. Baraff and M. Schlüter, Phys. Rev. B 33, 7346 (1986).
4. W. Walukiewicz, Appl. Phys. Lett. 54, 2094 (1989).
5. C. H. Chen and T. Y. Tan, Appl. Phys. A: Solids Surf. 61, 397 (1995).
6. D. T. J. Hurle, Phys. Rev. B 39, 8005 (1989).
7. G. A. Baraff and M. Schlüter, Phys. Rev. B 39, 8006 (1989).
8. N. H. Ky, L. Pavesi, D. Araújo, J. D. Ganière, and F. K. Reinhart, J. Appl. Phys. 70, 3887 (1991).
9. N. H. Ky, J. D Ganière, F. K. Reinhart, and B. Blanchard, Mater. Sci. Forum 143-147, 1397 (1994).
10. N. H. Ky, L. Pavesi, D. Araújo, J. D. Ganière, and F. K. Reinhart, J. Appl. Phys. 69, 7585 (1991).
11. N. H. Ky, J. D. Ganière, F. K. Reinhart, B. Blanchard, and J. C. Pfister, J. Appl. Phys. 74, 5493 (1993).
12. E. W. Williams and H. Barry Bebb, in Semiconductors and Semimetals, edited by R. K. Willardson and A. C. Beer (Academic, New York, 1972), Vol. 8, Chap. 5.
13. L. Pavesi and M. Guzzi, J. Appl. Phys. 75, 4779 (1994).
14. M. Brousseau, in Les défauts ponctuels dans les semiconducteurs (Les éditions de physique, Les Ulis, 1988), Chap. 8.
15. J. C. Bourgoin and M. Lannoo, Point Defects in Semiconductors II-Experimental Aspects (Springer, Berlin, 1983).
16. C. J. Hwang, Phys. Rev. 180, 827 (1969).
17. G. Oelgart, R. Schwabe, H. Fieseler, and B. Jacobs, Semicond. Sci. Technol. 3, 943 (1988).
18. E. A. Senokosov, V. M. Fedorov, and N. H. Ky, in Chalcogenide Semiconductors (Knowledge, Kishinev, 1985), p. 57.
19. P. W. Yu and D. C. Reynolds, J. Appl. Phys. 53, 1263 (1982).
20. K. R. Elliott, Appl. Phys. Lett. 42, 274 (1983).
21. M. Bugajski, K. H. Ko, J. Lagowski, and H. C. Gatos, J. Appl. Phys. 65, 596 (1989).
22. M. Mihara, M. Mannoh, K. Shinozaki, S. Naritsuka, and M. Ishil, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 25, L611 (1986).
23. M. Suezawa and K. Sumino, J. Appl. Phys. 76, 932 (1994).
24. R. Addinall and R. C. Newman, Semicond. Sci. Technol. 7, 1005 (1992).
25. J. F. Wager, J. Appl. Phys. 69, 3022 (1991).
26. R. W. Jansen and O. F. Sankey, Phys. Rev. B 39, 3192 (1989).
27. S. B. Zhang and J. E. Northrup, Phys. Rev. Lett. 67, 2339 (1991).
28. H. Seong and L. J. Lewis, Phys. Rev. B 52, 5675 (1995).
29. F. Piazza, L. Pavesi, M. Henini, and D. Johnston, Semicond. Sci. Technol. 7, 1504 (1992).
30. L. Pavesi, M. Henini, and D. Johnston, Appl. Phys. Lett 66, 2846 (1995).
31. Y. Kajikawa, J. Appl. Phys. 69, 1429 (1991).
32. M. J. Puska, J. Phys.: Condens. Malter 1, 7347 (1989).
33. H. Xu and U. Lindefelt, Phys. Rev. B 41, 5979 (1990).
34. A. H. van Ommen, J. Appl. Phys. 54, 5055 (1983).
35. B. Tuck. J. Phys. D 18, 557 (1985).
36. T. Y. Tan. U. Gösele, and S. Yu, CRC Crit Rev. Solid State Mater Sci. 17, 47 (1991).
37. M. Fockele, B. K. Meyer, J. M. Spaeth, M. Heuken, and K. Heime. Phys. Rev. B 40, 2001 (1989).