Stepped NaCl films grown epitaxially on Si-precovered vicinal Ge(100)

Surface Science

Volumn 466, Issue 1-3, 2000, Pages 41-53

  Tegenkamp, C ^a   Ernst, W ^a   Eichmann, M ^a   Pfnur H ^a  

^a LEIBNIZ UNIVERSITY HANNOVER   (Germany)

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ADSORPTION; CARBON DIOXIDE; ELECTRON ENERGY LOSS SPECTROSCOPY; ELECTRONIC STRUCTURE; EPITAXIAL GROWTH; FILM GROWTH; GERMANIUM; LOW ENERGY ELECTRON DIFFRACTION; MORPHOLOGY; SILICON; SURFACE TREATMENT; TEMPERATURE PROGRAMMED DESORPTION;

THERMAL DESORPTION SPECTROSCOPY (TDS);

SODIUM CHLORIDE;

EID: 0034317072     PISSN: 00396028     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0039-6028(00)00716-0     Document Type: Article

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