CdSe fractional-monolayer active region of molecular beam epitaxy grown green ZnSe-based lasers

Applied Physics Letters

Volumn 74, Issue 4, 1999, Pages 498-500

  Ivanov, S V ^a   Toropov, A A ^a   Sorokin, S V ^a   Shubina, T V ^a   Sedova, I V ^a   Sitnikova, A A ^a   Kop'ev, P S ^a   Alferov, Zh I ^a   Lugauer, H J ^b   Reuscher, G ^b   Keim, M ^b   Fischer, F ^b   Waag, A ^b   Landwehr, G ^b  

^a IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

^b UNIVERSITY OF WÜRZBURG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DEGRADATION; DENSITY (SPECIFIC GRAVITY); EFFICIENCY; HIGH RESOLUTION ELECTRON MICROSCOPY; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MONOLAYERS; OPTICALLY PUMPED LASERS; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING ZINC COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR LASERS; STABILITY; TEMPERATURE;

FRACTIONAL MONOLAYER; HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

SEMICONDUCTING CADMIUM COMPOUNDS;

EID: 0033601550     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.123167     Document Type: Article

References (18)

1. S. Itoh, S. Tomiya, R. Imoto, and A. Ishibashi, Appl. Surf. Sci. 117/118, 719 (1997).
2. E. Kato, H. Noguchi, M. Nagai, H. Okuyama, S. Kijima, and A. Ishibashi, Electron. Lett. 34, 282 (1998).
3. J. M. Gerald, O. Cabrol, and B. Sermage, Appl. Phys. Lett. 68, 3123 (1996).
4. S. H. Xin, P. D. Wang, A. Yin, C. Kim, M. Dobrovollska, J. L. Merz, and J. K. Furdyna, Appl. Phys. Lett. 69, 3884 (1996).
5. H.-C. Ko, D.-C. Park, Y. Kawakami, S. Fujita, and S. Fujita, Appl. Phys. Lett. 70, 3278 (1997).
6. K. Leonardi, H. Heinke, K. Ohkawa, D. Hommel, H. Selke, F. Gindele, and U. Woggon, Appl. Phys. Lett. 71, 1510 (1997).
7. S. V. Ivanov, A. A. Toropov, T. V. Shubina, S. V. Sorokin, A. V. Lebedev, V. Sedova, P. S. Kop'ev, G. R. Pozina, J. P. Bergman, and B. Monemar, J. Appl. Phys. 83, 3168 (1998).
8. Z. Zhu, H. Yoshihara, K. Takebayashi, and T. Yao, Appl. Phys. Lett. 63, 1678 (1993).
9. A. A. Toropov, S. V. Ivanov, T. V. Shubina, A. V. Lebedev, S. V. Sorokin, P. S. Kop'ev, G. R. Pozina, J. P. Bergman, and B. Monemar, J. Cryst. Growth 184/185, 293 (1998).
10. F. Gindele, C. Markle, U. Woggon, W. Langbein, J. M. Hvam, K. Leonardi, K. Ohkawa, and D. Hommel, J. Cryst. Growth 184/185, 306 (1998).
11. M. Strassburg, V. Kutzer, U. W. Pohl, A. Hoffmann, I. Broser, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, A. Rosenauer, U. Fischer, D. Gerthsen, I. L. Krestnikov, M. V. Maximov, P. S. Kop'ev, and Zh. I. Alferov, Appl. Phys. Lett. 72, 942 (1998).
12. M. A. Haase, P. F. Baude, M. S. Hagedorn, J. Qiu, J. M. DePuydt, H. Cheng, S. Guba, G. E. Höfler, and B. J. Wu, Appl. Phys. Lett. 63, 2315 (1993).
13. K. P. O'Donnell, D. M. Bagnall, P. J. Wright, and B. Cockayne, Phys. Status Solidi B 187, 451 (1995).
14. N. N. Ledentsov, I. L. Krestnikov, M. V. Maximov, S. V. Ivanov, S. V. Sorokin, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, D. Bimberg, and C. M. Sotomayor Torres, Appl. Phys. Lett. 69, 1343 (1996).
15. S. V. Ivanov, S. V. Sorokin, P. S. Kop'ev, J. R. Kim, N. D. Jung, and H. S. Park, J. Cryst. Growth 159, 16 (1996).
16. A. Waag, F. Fischer, K. Schüll, T. Baron, H.-J. Lugauer, Th. Litz, U. Zehnder, W. Ossau, T. Gerhardt, M. Keim, G. Reuscher, and G. Landwehr, Appl. Phys. Lett. 70, 1 (1997).
17. T. V. Shubina, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, G. N. Aliev, M. G. Tkatchman, S. V. Sorokin, N. D. Il'inskaya, and P. S. Kop'ev, J. Cryst. Growth 184/185, 596 (1998).
18. A. A. Toropov, S. V. Ivanov, T. V. Shubina, A. V. Lebedev, S. V. Sorokin, G. N. Aliev, M. G. Tkatchman, N. D. Il'inskaya, and P. S. Kop'ev, Proceedings of International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology," St. Petersburg, Russia, 1997, p. 210.