Heterointerface control of ZnSe based II-VI laser diodes

Applied Surface Science

Volumn 117-118, Issue , 1997, Pages 719-724

  Itoh, S ^a   Tomiya, S ^a   Imoto, R ^a   Ishibashi, A ^a  

^a SONY CORPORATION   (Japan)

Author keywords

AFM; Blue green laser diode; II VI laser diode; REDR; Wide bandgap; ZnMgSSe

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CONTINUOUS WAVE LASERS; ELECTRON TRANSITIONS; ENERGY GAP; HETEROJUNCTIONS; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTING ZINC COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH; STACKING FAULTS; SURFACE ROUGHNESS;

SEMICONDUCTING ZINC SELENIDE;

SEMICONDUCTOR LASERS;

EID: 0031548537     PISSN: 01694332     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0169-4332(97)80171-7     Document Type: Article

References (25)

1. M.A. Haase, J. Qiu, J.M. DePuydt, H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 59 (1991) 1272.
2. J.M. Gaines, R.R. Drenten, K.W. Haberern, T. Marshall, P. Mensz, J. Petruzzello, Appl. Phys. Lett. 62 (1993) 2462.
3. S. Itoh, H. Okuyama, S. Matsumoto, N. Nakayama, T. Ohata, T. Miyajima, A. Ishibashi, K. Akimoto, Electron. Lett. 29 (1993) 766.
4. N. Nakayama, S. Itoh, T. Ohata, K. Nakano, H. Okuyama, M. Ozawa, A. Ishibashi, M. Ikeda, Y. Mori, Electron. Lett. 29 (1993) 1488.
5. N. Nakayama, S. Itoh, H. Okuyama, M. Ozawa, T. Ohata, K. Nakano, M. Ikeda, A. Ishibashi, Y. Mori, Electron. Lett. 29 (1993) 2194.
6. S. Itoh, N. Nakayama, S. Matsumoto, M. Nagai, K. Nakano, M. Ozawa, H. Okuyama, S. Tomiya, T. Ohata, M. Ikeda, A. Ishibashi, Y. Mori, Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) L938.
7. D.C. Grillo, J. Han, M. Ringle, G. Hua, R.L. Gunshor, P. Kelkar, V. Kozlov, H. Jeon, A.V. Nurmikko, Electron. Lett. 30 (1994) 2131.
8. M.A. Haase, F.F. Baude, M.S. Hagedorn, J. Qiu, J.M. DePuydt, H. Cheng, S. Guha, G.E. Hofler, B.J. Wu, Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 2315.
9. K.-K. Law, P.P. Baude, T.J. Miller, M.A. Haase, G.M. Haugen, K. Smekalin, Electron. Lett. 32 (1996) 345.
10. A. Ishibashi, J. Selected Topics Quantum Electron. 1 (1995) 741.
11. S. Taniguchi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, M. Ikeda, Electron, Lett. 32 (1996) 552.
12. H. Okuyama, K. Nakano, T. Miyajima, K. Akimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) L1620.
13. S. Guha, J.M. DePuydt, J. Qiu, G.E. Hofler, M.A. Haase, B.J. Wu, H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 3023.
14. G.C. Hua, N. Otsuka, D.C. Grillo, Y. Fan, J. Han, M.D. Ringle, R.L. Gunshor, M. Hovinen, A.V. Nurmikko, Appl. Phys. Lett. 65 (1994) 1331.
15. S. Tomiya, E. Morita, M. Ukita, H. Okuyama, S. Itoh, K. Nakano, A. Ishibashi, Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 1208.
16. G.C. Hua, N. Otsuka, D.C. Grillo, J. Han, L. He, R.L. Gunshor, J. Cryst. Growth 138 (1994) 367.
17. L.H. Kuo, L. Salamanca-Riba, B.J. Wu, G.M. Haugen, J.M. DePuydt, G.E. Hofler, H. Cheng, J. Vac. Sci. Technol. B 13 (1995) 1694.
18. C.C. Chu, T.B. Ng, J. Han, G.C. Hua, R.L. Gunshor, E. Ho, E.L. Warlick, L.A. Kolodziejski, A.V. Nurmikko, Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 602.
19. S. Itoh, A. Ishibashi, J. Cryst. Growth 150 (1995) 701.
20. G.W. Smith, A.J. Pidduck, C.R. Whitehouse, J.L. Glasper, J. Spowart, J. Cryst. Growth 127 (1993) 966.
21. R. Hey, M. Wassermeier, J. Behrend, L. Daweritz, K. Ploog, H. Rabit, J. Cryst. Growth 154 (1995) 1.
22. L.H. Kuo, L. Salamanka-Riba, B.J. Wu, G. Hofler, J.M. DePuydt, H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 3298.
23. B.J. Wu, J.M. DePuydt, G.M. Hofler, M.A. Haase, H. Cheng, S. Guha, J. Qiu, L.H. Kuo, L. Salamanca-Riba, Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 3462.
24. T. Maruyama, T. Ogawa, K. Akimoto, Y. Kitajima, S. Itoh, A. Ishibashi, Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L539.
25. S. Tomiya, R. Minatoya, H. Tsukamoto, S. Itoh, K. Nakano, E. Morita, A. Ishibashi, M. Ikeda, 23rd Int. Conf. on Physics and Semiconductor 1996, TuP-48, Schematic structure Berlin, Germany.