Cl2 plasma passivation of etch induced damage in GaAs and InGaAs with an inductively coupled plasma source

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 17, Issue 6, 1999, Pages 2745-2749

  Berg, E W ^a   Pang, S W ^a  

^a UNIVERSITY OF MICHIGAN   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0033275686     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (15)

1. E. S. Aydil and R. A. Gottscho, Mater. Sci. Forum 148-149, 159 (1994).
2. P. R. Lefebvre, L. Lai, and E. A. Irene, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 996 (1998).
3. F. Cappasso and G. F. Williams, J. Electrochem. Soc. 129, 821 (1982).
4. G. P. Schwartz, J. E. Griffiths, and G. J. Gualtieri, Thin Solid Films 94, 213 (1982).
5. S. Thomas III, H. H. Chen, and S. W. Pang, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 681 (1997).
6. E. S. Aydil, K. P. Giapis, R. A. Gottscho, V. M. Donnelly, and E. Yoon, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 195 (1993).
7. K. K. Ko and S. W. Pang, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 2376 (1995).
8. E. S. Aydil, Z. H. Zhou, R. A. Gottscho, and Y. J. Chabal, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 258 (1995).
9. E. W. Berg and S. W. Pang, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 2643 (1997).
10. O. J. Glembocki, A. J. Tuchman, K. K. Ko, S. W. Pang, A. Giordana, R. Kaplan, and C. K. Stutz, Appl. Phys. Lett. 66, 3053 (1995).
11. E. Yoon, R. A. Gottscho, V. M. Donnelly, and H. S. Luftman, Appl. Phys. Lett. 60, 2681 (1992).
12. J. S. Herman and F. L. Terry, Jr., J. Vac. Sci. Technol. A 11, 1094 (1993).
13. B. Pajot, Mater. Sci. Forum 148-149, 321 (1994).
14. W. C. Simpson, D. K. Shuh, and J. A. Yarmoff, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2909 (1996).
15. K. K. Ko, S. W. Pang, T. Brock, M. W. Cole, and L. M. Casas, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 3382 (1994).